方形对应于金属层中金属化区域的可能位置，其中在图5中为了进行说明在6X6图案中总共示出36个这样的位置。在一种实施例中，图5中示出的区域的面积能够是3.6微米X3.6微米，其中每个正方形的大小是0.6微米X0.6微米。这对于特定的设计而言能够几乎是最小可能的结构大小，例如在该大小的100%与200%之间。例如，在一种实施例中，金属化区域的最小面积能够大约是0.24平方微米，其中，于是0.6X0.6微米的示例超过最小大小大约50%。即便在图5中提供正方性的位置和/或金属化区域，在其他实施例中也能够使用其他形状。例如，也能够使用矩形形状、不同于四边的其他有角形状、例如六边形状或者圆形形状。有数个用于金属化区域的可能位置与这些金属层M1-M5中的每个层关联，例如7个或者8个区域，其中，并不是所有这些区域都必须被金属化。通过将不同可能位置与不同金属层关联来实现:不同金属层的金属化区域不交叠。在一种实施例中，例如能够在每个金属层中，5个与相应金属层关联的区域实际上被金属化，其中，其他数量的金属化区域也是可能的。
[0017]也能够提供另外的金属层，对于它们而言，例如其他的金属化区域大小成立，例如，基于用于制造金属层的工艺的可能的其他最小结构大小。例如，在第六金属层中，能够在大小为3.6微米X 3.6微米的区域中布置两个金属化区域，其中每个金属化区域例如大小能够是0.82X0.82微米，其中该设计所允许的最小面积例如是0.565平方微米，而最小长度能够是0.4微米。在第7金属层中，在9X9微米的区域中布置大小为3X3微米的金属化区域，其中3X3微米的大小能够相应于最小可能尺寸(最小设计规则)。
[0018]在实施例中，利用如上所述的金属填充物，例如对于无线电频率应用，线圈的功能性未被干扰、仅仅少量地被干扰或者在可接受界限内被干扰，而以下工艺能够得到改善。
[0019]要注意，上面给出的所有数值仅仅用于说明并且根据应用也能够使用其他数值。金属化区域在图5中的布置也仅仅用作示例并且其他图案以及布置也是可能的。此外，金属化区域不一定如图5中所示的那样是正方形，而是，其他形状也是可能的。
[0020]这些金属化部以及金属化区域能够利用标准半导体工艺来制造，例如利用等离子体工艺。
[0021]从上面的阐述能够看出，所示出的实施例仅仅考虑用于说明而非解释为限制性的。
【主权项】
1.一种装置，包括: 半导体衬底(10)， 构造在所述半导体衬底(10)上的线圈，以及 在所述线圈(11，42)内的金属填充物(12，40)， 其中，所述线圈(11，42 )是无线电频率发送和/或接收装置的线圈。
2.如权利要求1所述的装置，其中，所述金属填充物具有多个金属层(M1-M6)，其中在所述多个金属层中每个金属层中的密度小于20%。
3.如权利要求1所述的装置，其中，所述金属填充物的密度小于20%。
4.如权利要求2所述的装置，其中，所述多个金属层(M1-M6)之一的金属化区域与所述多个金属层(M1-M6)中的其他金属层的金属化区域错开布置。
5.如权利要求2或3所述的装置，其中，所述密度在10%与15%之间。
6.如权利要求1所述的装置，其中，所述金属填充物在至少一个金属层(M1-M6)中具有由金属化区域构成的图案。
7.如权利要求6所述的装置，其中，所述图案的每个金属化区域的大小在0.5微米X 0.5微米与5微米X 5微米之间。
8.如权利要求6或7所述的装置，其中，所述图案的每个金属化区域的面积在对于用于制造相应金属层的半导体工艺而言可能的最小大小的100%-200%之间。
9.如权利要求6所述的装置，其中，所述图案的金属化区域的大小在0.2平方微米与10平方微米之间。
10.如权利要求1所述的装置，其中，所述金属填充物(12;40)在至少一个金属层(M1-M6)中的密度小于20%。
11.如权利要求1所述的装置，其中，所述线圈(11;42)与通信电路(13)耦合构造在衬底(10)上。
12.—种方法，包括:在半导体衬底(10)上构造线圈(11 ;42)，其中，所述线圈(11，42)是无线电频率发送和/或接收装置的线圈；在所述线圈(11，42)内构造金属填充物(12，40)。
13.如权利要求12所述的方法，其中，所述金属填充物具有多个金属层(M1-M6)，其中在所述多个金属层中每个金属层中的密度小于20%。
14.如权利要求12所述的方法，其中，所述金属填充物的密度小于20%。
15.如权利要求13所述的方法,其中,所述多个金属层(M1-M6)之一的金属化区域与所述多个金属层(M1-M6)中的其他金属层的金属化区域错开布置。
16.如权利要求13或14所述的方法，其中，所述密度在10%与15%之间。
17.一种装置，包括: 金属沉积装置(20)，其中所述金属沉积装置(20)设立用于在半导体衬底(10)上构造线圈(11，42)以及在所述线圈(11 ；42)内的金属填充物(12 ;40)，其中，所述线圈(11，42)是无线电频率发送和/或接收装置的线圈。
18.如权利要求17所述的装置，其中，所述金属填充物具有多个金属层(M1-M6)，其中在所述多个金属层中每个金属层中的密度小于20%。
19.如权利要求17所述的装置，其中，所述金属填充物的密度小于20%。
20.如权利要求18所述的装置，其中，所述多个金属层(M1-M6)之一的金属化区域与所述多个金属层(M1-M6)中的其他金属层的金属化区域错开布置。
21.如权利要求18或19所述的装置，其中，所述密度在10%与15%之间。
【专利摘要】提供装置、方法以及制造装置，它们涉及在半导体衬底（10）上构造线圈（11）。在线圈（11）内部，布置金属填充物（12），例如以小于20%的密度。
【IPC分类】H01L23-522
【公开号】CN104637917
【申请号】CN201410618106
【发明人】B.秋丁, A.马拉克
【申请人】领特德国有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2014年11月6日
【公告号】DE102013112220A1, US20150137313