漏极区域13、沟道多晶硅层14等在内的多晶硅层上具有栅极绝缘膜16、栅极线层15、第一层间绝缘膜18、源极层22、漏极层19、第二层间绝缘膜20。另外，在基板6为玻璃基板的情况下，为了阻止Na(钠)或K(钾)等的离子从基板6向沟道多晶硅层14及栅极绝缘膜16的混入，在薄膜晶体管和基板6之间具有由SiNx(氮化硅)膜等构成的第一底膜11，进而，在第一底膜11和多晶硅层之间具有由S1x(氧化硅)膜等构成的第二底膜12。
[0073]构成有机发光二极管元件70的下部电极300以覆盖成为像素的发光区域的部分的方式形成为岛状。这时，下部电极300穿过将第二层间绝缘膜20贯通的孔，与漏极19连接。
[0074]在下部电极300的周缘部和驱动晶体管10及数据线7 (在图1中，未图示)、栅极线8(在图1中，未图示)等非发光区域上，形成有具有与像素的发光区域对应的开口的第三层间绝缘膜21。在本发明公开中，以下也将第三层间绝缘膜21称为隔堤21。
[0075]包含发光层在内的有机膜100以覆盖显示部2的整个面的方式形成在下部电极300上，但在发光区域以外的区域中，通过隔堤21与下部电极300隔离。在有机膜100上，以遍及显示部2的整个面的方式形成有上部电极200。上部电极200和下部电极300分别作为阳极或阴极而发挥功能。
[0076]作为有机发光二极管元件70的有机膜100，可使用在上部电极200和下部电极300之间从阴极(例如上部电极200)侧起依次层叠配置有电子输送层、发光层、空穴输送层的有机膜。当这种有机发光二极管元件对上部电极200和下部电极300施加直流电压时，从阳极(例如，下部电极300)侧注入的空穴就经由空穴输送层而到达发光层，另外，从阴极侧注入的电子经由电子输送层而到达发光层，产生电子和空穴的再结合，所以产生规定波长的发光。此外，在有机发光二极管元件70的有机膜100中，也可以使用能够兼用发光层和电子输送层的材料。另外，也可以使用在阳极和空穴输送层之间配置有阳极缓冲层或空穴注入层的结构。
[0077]此外，下部电极300由光的反射率高的材料构成，但从提高发光层放射的光的利用效率方面来看，是理想的。有机膜100采用通过对阳极或阴极之间施加规定的电压且使电流流动来得到白色发光的材料及构造。作为实现白色发光的有机发光二极管元件70，具有通过称为多光子的构造来层叠发光色不同的多个发光层的方法和在一个发光层中掺杂发光色不同的色素的方法。不管怎样，作为白色发光的有机发光二极管元件70，理想的都是使用发光效率高且寿命长的可得到白色发光的元件。另外，有机膜100由发光层、空穴输送层、电子输送层等多个层构成，在某些情况下，也可以含有无机材料的层。
[0078]在上部电极200上至少以覆盖显示部的整个面的方式形成密封材料600。为了使水分等不会侵入到有机发光二极管元件70，所以密封材料600理想的是阻气性高且相对于可见光而透明的材料。因此，也可以通过如氮化硅那样的致密的无机膜、或者无机膜和有机膜的层叠膜来实现。
[0079]在密封材料600上配置有透明基板700，所述透明基板700形成有未图示的彩色滤光片或黑矩阵。这时，也可以通过在密封材料600和透明基板700之间填充由高分子材料构成的透明的填充材料500而密闭来进行固体密封。或者，也可以在密封材料600和透明基板700之间封入氮等惰性气体，且由密封材料来密闭基板6和透明基板700的周缘部进行密封。
[0080]在本实施例中，对使用发白色光的元件作为有机发光二极管元件70且通过与对应于三原色的彩色滤光片组合来实现全彩色显示的显示装置进行了说明，但本发明不局限于此。
[0081]图4A是实施例的显示部的部分平面图。显示部2为了使显示装置的电力消耗下降，除具备RGB显示用的像素以外，还具备白色(W)显示用的像素。在显示部2，将发白色光的发光元件以规定的顺序配置成矩阵状，在发光元件的光取出侧，如果是红色显示用的像素，就具备透过红色(R)光的彩色滤光片，如果是绿色显示用的像素，就具备透过绿色(G)光的彩色滤光片，如果是蓝色显示用的像素，就具备透过蓝色(B)光的彩色滤光片。此外，也可以不在白色显示用的像素上设置彩色滤光片，但为了调节白色的色度，也可以根据需要来配置彩色滤光片。彩色滤光片只要通过染色法、颜料分散法或印刷法等众所周知的技术来分涂即可。
[0082]像素电极42的形状为八边形，像素开口部(隔堤开口部)43的形状为正方形。相对于图6的比较例的隔堤开口部63，本实施例的隔堤开口部43倾斜45°。将最接近的邻接像素且位于夹着具有该隔堤开口部43的像素的位置的邻接像素彼此的中心连结的线段的方向为X方向及Y方向。最接近的邻接像素彼此的隔堤开口部43的顶角相互面对面。通过采用图4A所示的平面布局，能够抑制来自最接近发光像素Pcitl的邻接像素Pen、Ptl — 1、P — 1Q、P10的漏光。这是由于，相对于邻接的像素的方向，由隔堤边缘形成的线段的方向成以45°为中心的角度，不是垂直。
[0083]隔堤开口部43的形状不局限于正方形倾斜45°而成的形状，即使是图1lA?图1lG所示的形状，虽然不是最大的效果，但可得到减少来自邻接像素的漏光的效果(在以下的变形例中，也相同)。图1lA是正方形稍微倾斜而成的图，只要Θ不是90°即可(只要Θ是锐角或钝角即可)。在此，Θ是将最接近的邻接像素且位于夹着具有该隔堤开口部43的像素的位置的邻接像素的中心连结的线段U、L2, L3, L4和隔堤边缘形成的线段所成的角度。例如，是线段L1和像素Pltl的线段Lpi所成的角度。此外，线段L1和像素Pltl的线段Lp2所成的角度为90° — Θ。最接近的邻接像素是像素Ptltl和像素Pltl、像素Pltl和像素Pn、像素P11和像素Ptll、像素Ptll和像素Pm。图1lB是正方形倾斜而成的图，是Θ =60°的情况，图1lC是正方形倾斜而成的图，是Θ =45°的情况，图1lD是正方形倾斜而成的图，是Θ= 30°的情况。图1lE是纵长的菱形，α =60°，β = 30°。在此，α是线段L1和像素Pltl的隔堤边缘形成的线段Lpi所成的角度，β是线段L2和像素Ptll的隔堤边缘形成的线段Lpi所成的角度。图1lE是横长的菱形，α =30°，β = 60°。图1lG是长方形稍微倾斜而成的图。优选θ、α、β都是45°，但也可以是30°?60°左右。
[0084]另外，如上所述(参照图7的说明)，来自邻接像素的漏光抑制效果高的理由是如下情况，即，隔堤边缘的形状成为大致线状部分(线段)相对于发光像素的方向，成为以45°为中心的角度即27°?63°的角度范围，在图1lA?图1lG中，图1lC大概可得到最高的漏光抑制的效果。
[0085]另一方面，在隔堤边缘的形状成为大致线状部分(线段)相互大致平行的像素间(例如，像素P。。和像素P11之间)，隔堤边缘的线段的方向相对于像素的方向相互大致正交。由于该像素间的距离比最接近的邻接像素间的距离长，因此，能够减少些漏光。但是，虽然该像素间的距离比最接近的像素间的距离长，但仍然有可能发生漏光。
[0086](变形例I)
[0087]图4B是变形例I的显示部的部分平面图。如图4B所示,显示部2A在隔堤边缘所成的线段的方向成为相互大致平行的像素间(例如，P00和P1 -1之间)，形成有由凹凸形状构成的防漏光构造44。除具有防漏光构造44以外，显示部2A与实施例的显示部2都相同。图9是表示防漏光构造的概要构造的局部剖面示意图。图9是表示图4B的a — a’剖面的图。防漏光构造44的凹凸形状只要利用形成于下部电极300的周缘部的绝缘膜21而形成即可。即，防漏光构造44其凹凸与隔堤21形成在同一层上，在其上层叠有密封材料600及填充材料500。因此，不需要特别增加工艺，所以不会产生对制造成本的影响。
[0088]防漏光构造44以凹凸形状的大致线状部分(线段)与像素的隔堤边缘的形状成为大致线状部分(线段)的