适用于amoled的tft背板制作方法及结构的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种适用于AMOLED的TFT背板制作方法及结构。
【背景技术】
[0002]平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(Liquid Crystal Display, IXD)及有机发光二极管显不器件(Organic Light Emitting Display，OLED)。
[0003]有机发光二极管显示器件由于同时具备自发光，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异特性，被认为是下一代平面显示器的新兴应用技术。
[0004]OLED按照驱动类型可分为无源矩阵型OLED (Passive Matrix 0LED，PM0LED)和有源矩阵型OLED (Active Matrix OLED，AM0LED)。AMOLED具有反应速度更快、对比度更高、视角更宽广等特点，其通常包括基板、形成于基板上的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)及形成于薄膜晶体管上的有机发光二极管，所述薄膜晶体管驱动有机发光二极管发光，进而显示相应的画面。具体的，所述薄膜晶体管至少包括一个驱动薄膜晶体管(DrivingTFT)和一个开关薄膜晶体管(Switch TFT)，通过所述开关薄膜晶体管控制驱动薄膜晶体管的打开与关闭，通过所述驱动薄膜晶体管在饱和状态时产生的电流驱动有机发光二级管发光，通过向驱动薄膜晶体管输入不同的灰阶电压产生不同的驱动电流实现面板灰阶控制。驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅(sub-threshold swing，S.S.)将直接影响显示面板的灰阶切换性能。
[0005]薄膜晶体管的亚阈值摆幅取决于栅极电容的大小，栅极电容的大小又取决于栅极绝缘层的厚度，因此可通过增加栅极绝缘层的厚度，提高驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅，以提升显示面板的灰阶切换性能。
[0006]请参阅图1，现有的一种适用于AMOLED的TFT背板结构包括开关薄膜晶体管Tl与驱动薄膜晶体管T2，其中的栅极绝缘层为双层结构，包括第一栅极绝缘层4、及第二栅极绝缘层6，通过调整第二栅极绝缘层6的厚度可以达到增加驱动薄膜晶体管T2的亚阈值摆幅的效果。该现有的适用于AMOLED的TFT背板的制作流程为:首先在基板I上沉积缓冲层2，接着沉积非晶硅(a-si)层，通过准分子激光退火(ELA)工艺将所述非晶硅层转化结晶为多晶硅(poly-Si)层，再将所述多晶硅层进行图案化处理，并进行离子掺杂，形成包括开关薄膜晶体的有源层31和驱动薄膜晶体管的有源层32的有源层3，通过化学气相沉积(CVD)工艺在有源层3及缓冲层2上沉积第一栅极绝缘层4，通过溅射及光刻工艺形成开关薄膜晶体管的栅极5，通过化学气相沉积(CVD)工艺在开关薄膜晶体管的栅极5及第一栅极绝缘层4上沉积第二栅极绝缘层6，通过溅射及光刻工艺形成驱动薄膜晶体管的栅极7，之后再依次形成层间绝缘层8、源/漏极9，完成TFT背板的制作。该制作方法中需要沉积两层栅极绝缘层来增加驱动薄膜晶体管T2的亚阈值摆幅，制作工艺较繁琐，制作效率较低。
【发明内容】
[0007]本发明的目的在于提供一种适用于AMOLED的TFT背板制作方法，该方法能够简化TFT背板的制作流程，减少制作工艺数量，以较少的制程达到增加驱动TFT亚阈值摆幅的目的，提高AMOLED面板的灰阶切换与控制性能。
[0008]本发明的目的还在于提供一种适用于AMOLED的TFT背板结构，能够增加驱动TFT的亚阈值摆幅，提高AMOLED面板的灰阶切换与控制性能，且制作工艺简单。
[0009]为实现上述目的，本发明首先提供一种适用于AMOLED的TFT背板制作方法，包括如下步骤:
[0010]步骤1、提供一基板，在所述基板上沉积一缓冲层；
[0011]步骤2、在所述缓冲层上形成有源层，再在所述有源层及缓冲层上沉积一栅极绝缘层；
[0012]所述有源层包括开关薄膜晶体管的有源层和驱动薄膜晶体管的有源层；
[0013]步骤3、对所述栅极绝缘层进行图案化处理，形成一位于所述开关薄膜晶体管的有源层上方的凹陷部，使位于所述开关薄膜晶体管的有源层上方的栅极绝缘层的厚度小于位于所述驱动薄膜晶体管的有源层上方的栅极绝缘层的厚度；
[0014]步骤4、通过溅射及光刻工艺在所述栅极绝缘层上形成开关薄膜晶体管的栅极、及驱动薄膜晶体管的栅极；
[0015]所述开关薄膜晶体管的栅极位于所述凹陷部上；
[0016]步骤5、在所述开关薄膜晶体管的栅极、驱动薄膜晶体管的栅极、及栅极绝缘层上沉积一层间绝缘层。
[0017]所述适用于AMOLED的TFT背板制作方法还包括步骤6、在所述开关薄膜晶体管的有源层和驱动薄膜晶体管的有源层的相应区域形成开关薄膜晶体管的源/漏极和驱动薄膜晶体管的源/漏极。
[0018]所述步骤2包括:
[0019]步骤21、在所述缓冲层上沉积一非晶硅层；
[0020]步骤22、通过准分子激光退火工艺将所述非晶硅层转化为多晶硅层；
[0021]步骤23、图案化所述多晶硅层，再对多晶硅层进行离子掺杂制程，形成包括开关薄膜晶体管的有源层和驱动薄膜晶体管的有源层的有源层；
[0022]步骤24、在所述有源层及缓冲层上沉积一栅极绝缘层。
[0023]所述步骤24采用化学气相沉积工艺在所述有源层及缓冲层上沉积一栅极绝缘层O
[0024]所述基板为透明基板；所述缓冲层包括氧化硅层、氮化硅层之一或其组合；所述栅极绝缘层包括氧化硅层、氮化硅层之一或其组合。
[0025]所述步骤3中采用光刻工艺对所述栅极绝缘层进行图案化处理，形成所述位于开关薄膜晶体管的有源层上方的凹陷部。
[0026]所述开关薄膜晶体管的栅极、及驱动薄膜晶体管的栅极的材料为钼；所述层间绝缘层包括氧化硅层、氮化硅层之一或其组合；所述开关薄膜晶体管的源/漏极和驱动薄膜晶体管的源/漏极均通过形成于层间绝缘层与栅极绝缘层上的过孔与所述开关薄膜晶体管的有源层和驱动薄膜晶体管的有源层的相应区域接触。
[0027]本发明还提供一种适用于AMOLED的TFT背板结构，包括:
[0028]基板；
[0029]设于所述基板上缓冲层；
[0030]设于所述缓冲层上的有源层，所述有源层包括开关薄膜晶体管的有源层和驱动薄膜晶体管的有源层；
[0031]设于所述有源层及缓冲层上的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层对应于所述开关薄膜晶体管的有源层的位置设有一凹陷部；
[0032]设于所述凹陷部上的开关薄膜晶体管的栅极、位于所述驱动薄膜晶体管的有源层的上方并设于所述栅极绝缘层上的驱动薄膜晶体管的栅极；
[0033]设于所述开关薄膜晶体管的栅极、驱动薄膜晶体管的栅极、及栅极绝缘层上的层间绝缘层。
[0034]所述适用于AMOLED的TFT背板结构还包括设于所述开关薄膜晶体管的有源层和驱动薄膜晶体管的有源层的相应区域的开关薄膜晶体管的源/漏极和驱动薄膜晶体管的源/漏极。
[0035]所述基板为透明基板；所述开关薄膜晶体管的栅极、及驱动薄膜晶体管的栅极的材料为钼；所述缓冲层包括氧化硅层、氮化硅层之一或其组合；所述栅极绝缘层包括氧化硅层、氮化硅层之一或其组合；所述层间绝缘层包括氧化硅层、氮化硅层之一或其组合；所述开关薄膜晶体管的源/漏极和驱动薄膜晶体管的源/漏极均通过设于层间绝缘层与栅极绝缘层上的过孔与所述开关薄膜晶体管的有源层和驱动薄膜晶体管的有源层的相应区域接触。
[0036]本发明的有益效果:本发明提供的一种适用于AMOLED的TFT背板制作方法通过在一层栅极绝缘层上采用光刻工艺形成一凹陷部，形成具有厚度差的栅极绝缘层，其中厚度较小的部分作为开