圆形qfn封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体器件封装技术领域，具体为一种高密度圆形扁平无引脚封装结构。
【背景技术】
[0002]随着集成电路行业的飞速发展，用于各类电子产品的芯片，向着高集成度，高性能，低成本，低功耗，小尺寸发展。与此同时，各类芯片的封装技术也在不断地突破和革新，以更好的适应当前电子产品小型化，便携化，高性能的步伐。
[0003]QFN封装是一种无引脚封装，十分轻薄，传统的QFN封装外观多为矩形，元件底部具有水平焊端，在中央有一个用来导热的大面积裸露的焊盘，围绕大焊盘的外围四周有实现电气连接的I/o焊端，它有利于降低引脚间的自感应系数，在高频领域的应用优势明显。QFN采用周边引脚方式使PCB布线更灵活。这些特点使QFN满足了在某一部分电子产品对体积、重量、热性能、电性能得要求，从而得到了广泛应用。
[0004]对于传统的QFN封装来说存在一定的缺点:导电焊盘只分布在导热焊盘周围，对于I/o数量有一定的限制；对于多引脚的芯片，方形的封装所需面积大；方形的导热焊盘易在四个边角堆积信号，降低了其抗干扰的能力；在焊接时，导电焊盘之间易造成桥接短路。
[0005]
【发明内容】
[0006]为了进一步改善传统QFN封装的性能，本发明提出了一种高密度的圆形扁平无引脚封装结构，提高了封装的抗干扰能力及导热性，缩小了体积，而且突破了 I/o数目的限制，为多层芯片的封装提供了一种结构参考。
[0007]为了实现上述目的，本发明提供一种高密度的圆形扁平无引脚封装结构，包括:塑封体，芯片，金线，芯片基岛，引线框架，导热焊盘以及导电焊盘。
[0008]所述的圆形塑封体为绝缘材质，填充在整个封装结构的空间内部。
[0009]所述芯片的芯片基岛为矩形，芯片基岛底部为导热焊盘，所述导热焊盘为圆形。
[0010]所述导电焊盘环形排布于所述导热焊盘外侧四周，每层导电焊盘呈圆弧形交叉排列。
[0011]所述导电焊盘为对边倒圆矩形。
[0012]所述导电焊盘，其特征在于，对边倒圆矩形的倒圆半径不小于所倒边长度的一半。
[0013]采用本发明中的封装结构后，对传统的QFN封装结构进行了如下优化:首先，采用圆形的封装体，可减小封装体的体积，同时圆形的封装结构及导热焊盘的设计能够更好的传递信号，提高抗干扰能力，增加导热能力及可靠性。
[0014]进一步地，对边倒圆矩形的导电焊盘使得芯片的可焊性有所提高，在焊接时焊锡不易外溢而造成短路。
[0015]进一步地，电焊盘环形排布于所述导热焊盘外侧四周，每层导电焊盘呈圆弧形交叉排列，这样的结构不仅有利于散热，同时增加了 I/o数目，为多引脚芯片的封装及多层芯片的封装提供了一种有效的结构。
【附图说明】
[0016]图1是本发明中圆形扁平无引脚多层交叉导电焊盘封装结构底部焊盘示意图；
图2是本发明中高密度圆形扁平无引脚封装结构俯视图；
图3是图1沿A-A直线的剖面图；
图4是图2沿B-B直线的剖面图；
以上附图中:1.塑封体2.芯片3.银胶4.芯片基岛5.引线框架6.金线7.导热焊盘8.导电焊盘。
【具体实施方式】
[0017]为使本发明的上述特征、目的和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的【具体实施方式】做详细的说明。由于本发明重在解释原理，因此，未按比例制图。
[0018]实施例:一种高密度圆形扁平无引脚封装结构。
[0019]一种高密度圆形扁平无引脚封装结构，参照附图1-3所示，包括1.塑封体2.芯片
3.银胶4.芯片基岛5.引线框架6.金线7.导热焊盘8.导电焊盘。其特征在于:塑封体I为绝缘材质，填充在整个封装结构的空间内部，其外形为圆形。芯片2通过银胶3粘结于芯片基岛4上，芯片基岛6为矩形，其底部为圆形的导热焊盘7。引线框架5环形排布于塑封体I内侧四周，呈圆弧形交叉排列，其形状为对边倒圆矩形，底部为导电焊盘。芯片2通过金线6与引线框架5实现电气连接。引线框架5底部为导电焊盘8，导电焊盘8环形排布于导热焊盘7的外侧四周，呈圆弧形交叉排列，其形状为对边倒圆矩形。
[0020]此封装结构还可用于多芯片封装，芯片在粘合材料的作用下相叠放置，不同芯片通过金线与不同层的引线框架相连，从而提高集成度。
[0021]上述实施例只为对本发明的内容做一个详细的说明，其目的在于让本领域的技术人员熟悉本发明的具体内容并据以实施。凡未脱离本发明的精神实质所做的任何等效变化或修饰，都应属于本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.在一种圆形扁平无引脚封装结构的基础之上，提出一种多层交叉导电焊盘框架结构，所述结构包括塑封体，芯片，金线，芯片基岛，引线框架，导热焊盘以及导电焊盘。
2.如权利要求1所述的圆形扁平无引脚多层交叉导电焊盘封装结构，其特征在于，所述塑封体为圆形。
3.如权利要求1所述的圆形扁平无引脚多层交叉导电焊盘封装结构，其特征在于，所述芯片基岛为矩形。
4.如权利要求1所述的圆形扁平无引脚多层交叉导电焊盘封装结构，其特征在于，所述芯片基岛底部为导热焊盘。
5.如权利要求4所述的圆形扁平无引脚多层交叉导电焊盘封装结构，其特征在于，所述导热焊盘为圆形。
6.如权利要求1所述的圆形扁平无引脚多层交叉导电焊盘封装结构，其特征在于，所述多层交叉导电焊盘为对边倒圆矩形，每层导电焊盘呈圆弧形交叉排列。
7.如权利要求6所述的导电焊盘，其特征在于，所述的对边倒圆矩形的倒圆半径不小于所倒边长度的一半。
8.如权利要求1所述的圆形扁平无引脚多层交叉导电焊盘封装结构，其特征在于，所述引线框架底部为导电焊盘。
9.如权利要求8所述的引线框架，其特征在于，芯片通过所述金线与引线框架连接。
【专利摘要】本发明提供了一种QFN(Quad Flat No Lead，方形扁平无引脚)封装结构，在一种圆形扁平无引脚封装结构的基础之上，提出一种多层交叉导电焊盘框架结构。其中包括圆形封装体；芯片基岛为矩形；芯片基岛底部的导热焊盘为圆形；引线框架底部的导电焊盘在导热焊盘周围以圆形轨迹围绕，其特点为：不同层导电焊盘交叉排列，其形状为对边倒圆矩形。这种圆形扁平无引脚多层交叉导电焊盘封装结构的特点有：突破了传统QFN封装的低I/O数量的限制，为多层芯片的封装提供了一种可能，增强了焊接的可靠性，提高了封装结构的散热性能力及抗干扰能力。
【IPC分类】H01L23-367, H01L23-31, H01L23-495
【公开号】CN104681507
【申请号】CN201310633344
【发明人】邹荣, 张玥, 程玉华
【申请人】上海北京大学微电子研究院
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2013年12月3日