电子部件的制作方法
【专利说明】
【背景技术】
[0001]电子部件可以包括在具有外部接触的封装内的两个或者更多半导体器件。外部接触用于将电子部件安装到再分布板(redistribut1n board)，诸如印刷电路板。封装可以包括环氧树脂，该环氧树脂将半导体芯片嵌入其中从而保护其不受环境影响，并且该环氧树脂覆盖从半导体芯片到外部接触内部部分的内部电连接。所述封装的外部接触可以有不同的形式，例如，管脚、触点(land)或焊球。
【发明内容】
[0002]在一个实施例中，电子部件包括:外壳；裸片焊盘，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一高电压半导体器件，布置在裸片焊盘的第一表面；另外的半导体器件，布置在裸片焊盘的第二表面；以及导电连接，位于第一高电压半导体器件和另外的半导体器件之间。导电连接被外壳包围，并且包括布置为邻近裸片焊盘的部分。
[0003]本领域技术人员通过阅读以下详细说明并且观看附图，会认识到额外的特征和优点。
【附图说明】
[0004]附图元件相对彼此不一定成比例。相同的附图标记标示相应的类似的部件。各种说明性实施例的特征可以任意组合，除非它们相互排斥。实施例在附图中被描绘，并且在以下说明中被详细说明。
[0005]图1示出了根据第一实施例的包含两个半导体器件的电子部件。
[0006]图2a示出了根据第二实施例的包含两个半导体器件的电子部件的截面视图。
[0007]图2b示出了根据第二实施例的电子部件的顶视图。
[0008]图2c示出了根据第二实施例的电子部件的底视图。
[0009]图3a不出了根据第三实施例的电子部件的截面视图。
[0010]图3b不出了根据第四实施例的电子部件的截面视图。
[0011]图4a示出了根据第五实施例的包含三个半导体器件的电子部件的截面视图。
[0012]图4b示出了根据第五实施例的电子部件的顶视图。
[0013]图5示出了根据第六实施例的包含三个半导体器件的电子部件的截面视图。
[0014]图6示出了根据第七实施例的包含两个裸片焊盘和三个半导体器件的电子部件的截面视图。
[0015]图7示出了根据第八实施例的包含两个半导体器件的电子部件。
【具体实施方式】
[0016]在以下详细说明中，对附图做出参考，该附图形成本详细说明的一部分，并且在附图中借助于说明可实施本发明的特定实施例进行示意。就这点而言，方向术语诸如“上”、“下”、“前”、“后”、“首部”、“尾部”等参考附图所描绘的方位来使用。因为实施例的部件可以以各种不同的方位放置，因此以说明为目的使用方向术语，而绝不是进行限制。应当理解，在不偏离本发明的范围的情形下，可以利用其他实施例并且做出结构或者逻辑修改。因此，以下详细说明不应当以限制的意义进行理解，而且本发明的范围由所附权利要求限定。
[0017]下文将阐释很多实施例。在这种情况下，同样的结构特征在附图中通过相同的或者相似的附图标记进行识别。在本说明书的背景下，“横向”或者“横向方向”应当被理解为意指大体上平行于半导体材料或者半导体载体的横向延伸的方向或者延伸。因此，横向方向大体上平行于这些表面或者侧地扩展。与之相对，术语“垂直”或者“垂直方向”应当被理解为意指大体上垂直于这些表面或者侧因而垂直于横向方向的方向。因此，垂直方向在半导体材料或者半导体载体的厚度方向扩展。
[0018]如本说明书所使用的，术语“耦合”和/或“电耦合”并不旨在意指元件必须直接耦合在一起，而是也可以在“耦合”或“电耦合”的元件之间提供中介元件。
[0019]如本文所使用的，“高电压器件”，比如高电压耗尽型晶体管，是优化用于高电压开关应用的电子器件。即，当晶体管关断时，其能够阻断高电压，诸如约300V或更高、约600V或更高或约1200V或更高的电压；而当晶体管导通时，其具有对于其所被使用的应用足够低的导通电阻(Rw)，即当大量的电流通过器件的时候，其经历足够小的导电损耗。高电压器件可以至少能够阻断等于其所被使用的电路中的高电压供给(high-voltage supply)或者最高电压的电压。高电压器件可以能够阻断300V、600V、1200V或者应用所需的其他合适的阻断电压。
[0020]如本文所使用的，“低电压器件(low-voltage device) ”，比如低电压增强型晶体管，是一种能够阻断诸如在OV和V1ot之间的低电压，但是不能够阻断比V lOT更高的电压的电子器件。V1ot可以是约10V、约20V、约30V、约40V或者在约5V至50V之间，比如在1V至30V之间。
[0021]图1不出了根据第一实施例的电子部件10的截面不意图。电子部件10包括具有第一表面12和与第一表面12相对的第二表面13的裸片焊盘11。电子部件10进一步包括布置在第一表面12上的第一半导体器件14和布置在第二半导体表面13上的另外的半导体器件15。第一半导体器件14是高电压半导体器件。电子部件10进一步包括在第一半导体器件14和另外的半导体器件15之间延伸的导电连接16。电子部件10包括包围导电连接16的外壳17。一部分导电连接16布置为邻近裸片焊盘11。
[0022]外壳17可以由环氧树脂提供，并且可以完全覆盖第一半导体器件14、第二半导体器件15、裸片焊盘11、以及在第一半导体器件14和第二半导体器件15之间的导电连接16。导电连接16被外壳17完全包围，并且完全嵌入环氧树脂之内。可以认为导电连接16是电子部件10的内部重新布线结构的内部连接。
[0023]第一半导体器件14和第二半导体器件15布置在裸片焊盘11的相对的侧面上，使得单个裸片焊盘11被用于支持布置在堆叠中的两个半导体器件。导电连接16从裸片焊盘11的一侧延伸到裸片焊盘11的另一侧，以便将第一半导体器件14与第二半导体器件15电耦合。至少一部分导电连接16布置为邻近裸片焊盘11的侧面18，并且与之间隔一定距离。
[0024]导电连接16可以包括从第一半导体器件14延伸的第一导电连接器19和从另外的半导体器件15延伸的导电连接器20。
[0025]在一些实施例中，导电连接16可以进一步包括引线部分21。第一导电连接器19可以耦合到引线部分的第一表面22，第二导电连接20可以耦合到引线部分21的第二表面23。引线部分21可以布置为邻近裸片焊盘11的侧面18，并且与裸片焊盘11的侧表面18间隔开一定距离。引线部分21可以具有约为裸片焊盘11厚度的厚度，从而使得引线部分21的上表面22与裸片焊盘11的上表面12大体上共面并且引线部分21的下表面23与裸片焊盘11的下表面13大体上共面。
[0026]在一些实施例中，第二导电连接器直接附接到第一导电连接器，这种情况下不提供单独存在的引线部分作为导电连接16的一部分。
[0027]第一导电连接器19和第二导电连接器20可以包括键合接线或夹片(clip)。
[0028]在一个实施例中，作为高电压半导体器件的第一半导体器件包括晶体管器件，而另外的半导体器件包括至少一个控制器件、逻辑器件和栅极驱动器。晶体管器件可以是MOSFET或者绝缘栅双极型晶体管(IGBT)或者高电子迀移率晶体管(HEMT)。晶体管器件可以是具有横向漂移路径的横向器件或者具有垂直漂移路径的垂直器件。另外的半导体器件可以包括栅极驱动器和诸如电流检测和源检测功能之类的检测功能电路。
[0029]电子部件可以包括多于两个半导体器件。在一个实施例中，电子部件包括布置在裸片焊盘第一表面上的第二高电压半导体器件。在电子部件包含两个高电压半导体器件的实施例中，第一高电压半导体器件和第二高电压半导体器件可以配置为提供半桥电路。在这些实施例中，第一高电压半导体器件和第二高电压半导体器件可以安装到裸片焊盘的第一表面中，并且裸片焊盘可以提供半桥电路的输出节点。
[0030]电子部件可以也包括第二裸片焊盘。一个或者多个另外的半导体器件可以安装到第二裸片焊盘上。在一个实施例中，电子部件包括第二高电压半导体器件和第二裸片焊盘，并且第二高电压半导体器件布置在第二裸片焊盘上。在该实施例中，另外的半导体器件可以是逻辑器件和/或包括栅极驱动器，并且可以布置在第一裸片焊盘或者第二裸片焊盘的、相对的表面。
[0031]电子部件不限于只具有一个导电连接。在一些实施例中，电子部件包括位于第一高电压半导体器件和另外的半导体器件之间的一个或者多个另外的导电连接。每个另外的导电连接被外壳包围，并且包含布置为邻近裸片焊盘的一部分。例如，另外的导电连接可以用于提供电流检测功能或者源极检测功能。
[0032]在电子部件包含半桥电路的实施例中，可以在半桥电路的每个晶体管器件的栅极和另外的半导体器件之间提供单独存在的导电连接，以便驱动半桥电路的两个栅极。
[0033]在第一高电压半导体器件为晶体管器件的实施例中，晶体管器件可以布置为其在裸片焊盘和引线部分之间延伸。晶体管器件的源极可以布置在裸片焊盘上并且电耦合到裸片焊盘，晶体管器件的栅极可以布置在引线部分并且电耦合到引线部分。引线部分被外壳包围。另外的半导体器件可以电耦合到引线部分，以便驱动晶体管器件的栅极。
[0034]电子部件可以进一步包括多个引线，每个都具有布置在外壳内的内部部分和从外壳伸出的外部部分。外部部分提供器件的外部接触，并且可能提供表面贴装的外部接触。引线中的至少一个可以从裸片焊盘延伸到外壳之外，从而使得该引线的外部