专利名称：电子部件的制作方法
技术领域：
本发明涉及电子部件，特别涉及内置有电容器的电子部件。
背景技术：
作为现有的电子部件，例如已知专利文献1记载的层叠电容器。该层叠电容器具备电容器本体、第一外部端子电极、第二外部端子电极及电容器。电容器本体具有以被层叠的多个电介质层构成的层叠构造，呈长方体形状，该长方体形状具有沿着电介质层的面方向延伸且相互对置的第一主面及第二主面、相互对置的第一侧面及第二侧面、以及相互对置的第一端面及第二端面的，且具有第一端面及第二端面各自的长边方向的尺寸比第一侧面及第二侧面各自的长边方向的尺寸长的形状。另外，第一外部端子电极与电容器连接，且设置在第一端面上。第二外部端子电极与电容器连接，且设置在第二端面上。根据专利文献1记载的层叠电容器，如下面的说明所示，较之在第一侧面及第二侧面分别设置有第一外部端子电极及第二外部端子电极的层叠电容器，能实现低ESL化。 具有第一端面及第二端面各自的长边方向的尺寸比第一侧面及第二侧面各自的长边方向的尺寸长的形状。由此，在第一侧面及第二侧面分别设置有第一外部端子电极及第二外部端子电极的层叠电容器中，信号线路连结在距离相对长且宽度相对窄的第一侧面和第二侧面之间。另一方面，在专利文献1记载的层叠电容器中，第一外部端子电极及第二外部端子电极分别设置于第一端面及第二端面。由此，信号线路连结在距离相对短且宽度相对宽的第一端面和第二端面之间。因此，在专利文献1记载的层叠电容器的信号线路上产生的电感值，比在第一侧面及第二侧面分别设置有第一外部端子电极及第二外部端子电极的层叠电容器的信号线路上产生的电感值小。也就是说，根据专利文献1记载的层叠电容器，较之在第一侧面及第二侧面分别设置有第一外部端子电极及第二外部端子电极的层叠电容器，能实现低ESL化。可是，专利文献1记载的层叠电容器却具有向电路基板内的安装比较困难的问题。图13(a)是专利文献1记载的层叠电容器500被安装在电路基板600内的情况下的断面构造图，图13 (b)是专利文献1记载的层叠电容器500被安装在电路基板600内情况下的俯视图。如图13(a)所示，层叠电容器500被安装在电路基板600的凹部602内。之后， 在层叠电容器500上用密封件604实施密封。在电路基板600的主面上设置有布线608a、 608b。布线608a、608b和外部端子电极504a、504b通过通孔导体606a、606b进行连接。基于上述结构，层叠电容器500被安装在电路基板600内。另外，通孔导体606a、606b通过下述步骤进行制作。在将层叠电容器500安装在凹部602内，用密封件604实施密封之后，在规定的位置照射具有50 μ m 100 μ m直径的激光束，从而形成通孔。然后，对通孔填充导电性膏剂或实施镀覆，从而形成了通孔导体606a、 606b。
可是，如图13(b)所示，外部端子电极504a、504b分别被设置于第一端面及第二端面。第一侧面及第二侧面的长边方向的尺寸L2比第一端面及第二端面的长边方向的尺寸 Ll短。因此，如图13(b)所示，被折返到外部端子电极504a、504b的第一主面上的部分的宽度W变窄了。由此，为使与外部端子电极504a、504b相连接而形成通孔导体606a、606b是比较困难的。特别是，因为设置有密封件604，所以难以在正确的位置照射激光束，故为使与外部端子电极504a、504b相连接而形成通孔导体606a、606b是比较困难的。
专利文献1 JP特开2009-170873号公报
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种能够实现低ESL化、且易于向电路基板内安装的电子部件。本发明的一实施方式所涉及电子部件，其特征在于，具备长方体形状的层叠体， 具有位于层叠方向两端的第一主面和第二主面、以及位于该第一主面的短边延伸的短边方向的两端的第一侧面及第二侧面；第一电容器导体及第二电容器导体，在所述层叠体内构成了电容器；第一外部电极，包括与所述第一电容器导体连接且设置于所述第一侧面的第一侧面电极、以及与该第一侧面电极连接且按照与所述第一主面的第一角相接的方式设置于该第一主面的长方形形状的第一主面电极；和第二外部电极，包括与所述第二电容器导体连接且设置于所述第二侧面的第二侧面电极、以及与第二侧面电极连接且按照与位于所述第一角的对角处的所述第一主面的第二角相接的方式设置于该第一主面的长方形形状的第二主面电极，该第二主面电极在该第一主面的长边延伸的长边方向上与所述第一主面电极对置。根据本发明，能够实现低ESL化、且易于向电路基板内安装。
图1是第一实施方式涉及的电子部件的外观立体图及部分放大图。图2是图1的电子部件的层叠体的分解立体图。图3是电子部件的母层叠体的分解立体图。图4是现有的电子部件的外观立体图。图5是计算机模拟仿真的分析结果。图6是电子部件被安装在电路基板内情况下的工序剖视图。图7是第一变形例涉及的电子部件IOb的外观立体图。图8是图7的电子部件IOb的层叠体12的分解立体图。图9是第二变形例涉及的电子部件IOc的外观立体图。图10是图9的电子部件IOc的层叠体12的分解立体图。图11是第二实施方式涉及的电子部件的外观立体图。图12是图11的电子部件的层叠体的分解立体图。图13(a)是专利文献1记载的层叠电容器被安装在电路基板内情况下的断面构造图，图13(b)是专利文献1记载的层叠电容器被安装在电路基板内情况下的俯视图。符号说明
C电容器Cl C8 角S1、S2 主面S3、S4 端面S5、S6 侧面IOa IOd电子部件12层叠体14a、14b 外部电极16a、16b、16_la 16_3a、16_lb 16_3b 侧面电极18a、18b、19a、19b 主面电极20绝缘体层22a、22b 电容器导体23a、23b、24a、24b 引出导体30a、30b、32a、32b 端面电极112母层叠体120陶瓷印刷电路基板
具体实施例方式下面，参照
本发明实施方式所涉及的电子部件。第一实施方式电子部件的结构首先，参照
第一实施方式涉及的电子部件的结构。图1是第一实施方式涉及的电子部件IOa的外观立体图及部分放大图。图2是图1的电子部件IOa的层叠体12 的分解立体图。下面，将层叠体12的层叠方向设为ζ轴方向。将在从ζ轴方向俯视层叠体 12时层叠体12的主面的长边延伸的长边方向定义为χ轴方向。将在从ζ轴方向俯视层叠体12时层叠体12的短边延伸的短边方向定义为y轴方向。电子部件IOa为芯片电容器，如图1及图2所示，具备层叠体12、外部电极14 (14a、 14b)及电容器C(图1中未示出)。芯片电容器呈具有约600 μ m(x轴方向)X约300 μ m(y 轴方向)X约150 μ m(z轴方向)外形尺寸的长方体形状。此外，优选芯片电容器的ζ轴方向的高度为50 μ m以上330 μ m以下。此外，芯片电容器的ζ轴方向的高度从薄型观点出发， 优选为50 μ m以上150 μ m以下。层叠体12呈长方体形状。下面，在层叠体12中，将ζ轴方向的正方向侧的面称为主面Si，将Z轴方向的负方向侧的面称为主面S2。也就是说，主面Si、S2位于Z轴方向的两端。另外，将χ轴方向的负方向侧的面称为端面S3，将χ轴方向的正方向侧的面称为端面 S4。也就是说，端面S3、S4位于χ轴方向的两端。另外，将y轴方向的负方向侧的面称为侧面S5，将y轴方向的正方向侧的面称为侧面S6。也就是说，侧面S5、S6位于y轴方向的两端。层叠体12如图2所示，多个绝缘体层20层叠而成。在本实施方式中，层叠了 30层的绝缘体层20。绝缘体层20呈长方形形状，由电介质陶瓷制作。作为电介质陶瓷的例子，例如有BaTi03、CaTi03、SrTi03或Ca&03。另外，也可将这些材料作为主成分，将Mn化合物、 Fe化合物、Cr化合物、Co化合物或M化合物作为副成分。下面，将绝缘体层20的ζ轴方向的正方向侧的主面称为表面，将绝缘体层20的ζ轴方向的负方向侧的主面称为背面。另外，在将端面S3与S4之间的距离设为L、将侧面S5与S6之间的距离设为W、将上面Sl与底面S2之间的距离设为T的情况下，优选L > W > T关系成立。特别是，优选 T 彡 0. 25mm, 0. 2 · W 彡 T 彡 1. 5 · W。如以上，层叠体12的主面Sl由设置于ζ轴方向的最正方向侧的绝缘体层20的表面构成。层叠体12的主面S2由设置于ζ轴方向的最负方向侧的绝缘体层20的背面构成。 另外，端面S3由相连多个绝缘体层20的χ轴方向的负方向侧的短边而构成。端面S4由相连多个绝缘体层20的χ轴方向的正方向侧的短边而构成。侧面S5由相连多个绝缘体层20 的y轴方向的负方向侧的长边而构成。侧面S6由相连多个绝缘体层20的y轴方向的正方向侧的长边而构成。另外，在层叠体12的主面Sl上，将位于χ轴方向的负方向侧且y轴方向的负方向侧的角设为角Cl。在层叠体12的主面Sl上，将位于X轴方向的正方向侧且y轴方向的正方向侧的角设为角C2。在层叠体12的主面Sl上，将位于χ轴方向的负方向侧且y轴方向的正方向侧的角设为角C3。在层叠体12的主面Sl上，将位于χ轴方向的正方向侧且y轴方向的负方向侧的角设为角C4。另外，在层叠体12的主面S2上，将位于χ轴方向的负方向侧且y轴方向的负方向侧的角设为角C5。在层叠体12的主面S2上，将位于χ轴方向的正方向侧且y轴方向的正方向侧的角设为角C6。在层叠体12的主面S2上，将位于χ轴方向的负方向侧且y轴方向的正方向侧的角设为角C7。在层叠体12的主面S2上，将位于χ轴方向的正方向侧且y轴方向的负方向侧的角设为角C8。如图2所示，电容器C由内置于层叠体12的电容器导体22 (22a、22b)而构成。电容器导体22例如由Ni、Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等导电性材料制作。电容器导体22a如图2所示那样设置在绝缘体层20的表面上，且呈长方形形状。 电容器导体22a被引出到绝缘体层20的y轴方向的负方向侧的长边。电容器导体22b如图 2所示那样设置在绝缘体层20的表面上，且呈长方形形状。电容器导体22b被引出到绝缘体层20的y轴方向的正方向侧的长边。电容器导体22a、22b隔着绝缘体层20相互对置， 产生容量。由此，电容器导体22a、22b在层叠体12内构成了电容器C。采样上述结构的电容器导体22a、22b以沿着ζ轴方向交替排列的方式设置在多个绝缘体层20上。并且，将层叠了设置有电容器导体22的多个绝缘体层20的区域称为内层区域。另外，在内层区域的ζ轴方向的正方向侧，层叠了未设置有电容器导体22的多个绝缘体层20。同样地，在内层区域的ζ轴方向的负方向侧，层叠了未设置有电容器导体22的多个绝缘体层20。下面，将这两个区域称为外层区域。外部电极14a如图1所示那样包括侧面电极16a及主面电极18a、19a。侧面电极 16a以覆盖侧面S5整体的方式设置，且与电容器导体22a连接。侧面电极16a通过在由Ni 构成的基底电极上实施Cu镀覆而制作的。另外，侧面电极16a因为通过浸渍法(dipping method)形成基底电极，因此如图1放大图所示，折返到与侧面S5相邻的主面Si、S2及端面S3、S4而形成。并且，将侧面电极16a的折返宽度设为宽度D。优选宽度D为5μπι以上20 μ m以下。主面电极18a通过在由Ni构成的基底电极上实施Cu镀覆而制作的。主面电极 18a与侧面电极16a连接，且被设置在ζ轴方向的最正方向侧所设的绝缘体层20的表面。 更详细而言，主面电极18a是以与主面Sl的角Cl相接的方式设置在主面Sl上的长方形形状的导体层。主面电极18a在y轴方向的负方向侧的边上与侧面电极16a相接。其中，主面电极18a的y轴方向的负方向侧的边，仅与主面Sl的y轴方向的负方向侧的一部分长边相接。在主面电极18a的y轴方向的正方向侧的边与主面Sl的y轴方向的正方向侧的长边之间，存在间隙。由此，主面电极18a与外部电极14b被绝缘。其中，主面电极18a的y 轴方向的正方向侧的边，较之主面Sl的对角线的交点Pl而位于y轴方向的正方向侧。另外，主面电极18a的χ轴方向的负方向侧的边，与主面Sl的χ轴方向的负方向侧的短边相一致。另外，主面电极18a的χ轴方向的正方向侧的边，较之交点Pl在χ轴方向的负方向侧沿着y轴方向延伸。主面电极19a通过在由Ni构成的基底电极上实施Cu镀覆而制作的。主面电极 19a与侧面电极16a连接，且被设置在ζ轴方向的最负方向侧所设的绝缘体层20的背面。 更详细而言，主面电极19a是以与主面S2的角C5相接的方式设置在主面S2上的长方形形状的导体层。主面电极19a在y轴方向的负方向侧的边上与侧面电极16a相接。其中，主面电极19a的y轴方向的负方向侧的边，仅与主面S2的y轴方向的负方向侧的一部分长边相接。在主面电极19a的y轴方向的正方向侧的边与主面S2的y轴方向的正方向侧的长边之间，存在间隙。由此，主面电极19a与外部电极14b被绝缘。其中，主面电极19a的y轴方向的正方向侧的边，较之主面S2的对角线的交点P2位于y轴方向的正方向侧。另外，主面电极19a的χ轴方向的负方向侧的边，与主面S2的χ轴方向的负方向侧的短边相一致。 另外，主面电极19a的χ轴方向的正方向侧的边，较之交点P2在χ轴方向的负方向侧沿着 y轴方向延伸。外部电极14b如图1所示那样包括侧面电极16b及主面电极18b、19b。侧面电极 16b以覆盖侧面S6整体的方式设置，且与电容器导体22b连接。侧面电极16b通过在由Ni 构成的基底电极上实施Cu镀覆而制作的。另外，侧面电极16b因为通过浸渍法(dipping method)形成基底电极，因此与侧面电极16a同样地，折返到与侧面S6相邻的主面S1、S2及端面S3、S4而形成。并且，将侧面电极16b的折返宽度设为宽度D。优选宽度D为5μπι以上20μπι以下。主面电极18b通过在由Ni构成的基底电极上实施Cu镀覆而制作的。主面电极 18b与侧面电极16b连接，且被设置在ζ轴方向的最正方向侧所设的绝缘体层20的表面。 更详细而言，主面电极18b是以与位于角Cl对角处的主面Sl的角C2相接的方式设置在主面Sl上的长方形形状的导体层。主面电极18b在y轴方向的正方向侧的边上与侧面电极 16b相接。其中，主面电极18b的y轴方向的正方向侧的边，仅与主面Sl的y轴方向的正方向侧的一部分长边相接。在主面电极18b的y轴方向的负方向侧的边与主面Sl的y轴方向的负方向侧的长边之间，存在间隙。由此，主面电极18b与外部电极14a被绝缘。其中， 主面电极18b的y轴方向的负方向侧的边，较之主面Sl的对角线的交点Pl而位于y轴方向的负方向侧。另外，主面电极18b的χ轴方向的正方向侧的边，与主面Sl的χ轴方向的正方向侧的短边相一致。另外，主面电极18b的χ轴方向的负方向侧的边，较之交点Pl而在χ轴方向的正方向侧沿着y轴方向延伸。由此，主面电极18a的1轴方向的正方向侧的边与主面电极18b的χ轴方向的负方向侧的边，相互并行地沿着y轴方向延伸，在从χ轴方向俯视时一部分重叠。也就是说，主面电极18a、18b在χ轴方向上隔着间隙相互对置。主面电极19b通过在由Ni构成的基底电极上实施Cu镀覆而制作的。主面电极19b 与侧面电极16b连接，且被设置在ζ轴方向的最负方向侧所设的绝缘体层20的背面。更详细而言，主面电极19b是以与位于角C5的对角处的主面S2的角C6相接的方式设置在主面 S2上的长方形形状的导体层。主面电极19b在y轴方向的正方向侧的边上与侧面电极16b 相接。其中，主面电极19b的y轴方向的正方向侧的边，仅与主面S2的y轴方向的正方向侧的一部分长边相接。在主面电极19b的y轴方向的负方向侧的边与主面S2的y轴方向的负方向侧的长边之间，存在间隙。由此，主面电极1%与外部电极14a被绝缘。其中，主面电极19b的y轴方向的负方向侧的边，较之主面S2的对角线的交点P2而位于y轴方向的负方向侧。另外，主面电极19b的χ轴方向的正方向侧的边，与主面S2的χ轴方向的正方向侧的短边相一致。另外，主面电极19b的χ轴方向的负方向侧的边，较之交点P2而在χ 轴方向的正方向侧沿着y轴方向延伸。由此，主面电极19a的1轴方向的正方向侧的边与主面电极19b的χ轴方向的负方向侧的边，相互并行地沿着y轴方向延伸，在从χ轴方向俯视时一部分重叠。也就是说，主面电极19a、19b在χ轴方向上隔着间隙相互对置。采用上述结构的外部电极14a、14b上形成的镀覆Cu的厚度，优选为2μπι以上 20 μ m以下，如果如后述还考虑耐激光性及薄型化，则进一步优选为5 μ m以上15 μ m以下。 另外，优选外部电极14a、14b的表面粗糙度(Ra)为1. 55 μ m以下。所谓表面粗糙度(Ra) 是在JISB0601-1994中规定的算术平均粗糙度Ra。电子部件的制造方法下面，说明电子部件IOa的制造方法。图3是电子部件IOa的母层叠体112的分解立体图。首先，将作为主成分的BaTi03、CaTiO3> SrTiO3或Ca&03和作为副成分的Mn化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物或M化合物，以规定的比率进行称重，投入到球磨机 (ball mill)中进行湿式调和。在将所得到的混合物干燥之后粉碎，并将所得到的粉末进行预煅烧。将所得到的预煅烧粉末由球磨机进行湿式粉碎之后，干燥后再粉碎，从而得到电介质陶瓷粉末。在该电介质陶瓷粉末中加入结合剂、可塑剂、湿润剂及分散剂由球磨机进行混合， 然后通过减压进行脱泡。通过刮粉刀法将所得到的陶瓷生料在载体薄片上形成为薄片状进行干燥，从而制作图3所述的陶瓷印刷电路基板120。其次，通过丝网印刷法等方法，在陶瓷印刷电路基板120上涂敷由导电性材料构成的膏剂，形成了电容器导体22a、22b，准备出形成有电容器导体22a、22b的陶瓷印刷电路基板。由导电性材料构成的膏剂，例如在M中加入了清漆及溶剂。另外，通过丝网印刷法等方法，在陶瓷印刷电路基板120上涂敷由导电性材料构成的膏剂，形成了主面电极18a、18b或主面电极19a、19b，分别准备出形成了主面电极18a、 18b或主面电极19a、19b的陶瓷印刷电路基板。由导电性材料构成的膏剂，例如在M中加入了清漆及溶剂。其次，将陶瓷印刷电路基板120 —枚一枚地层叠并临时压接，得到了未烧成的母层叠体112。在层叠陶瓷印刷电路基板120时，在内层区域中层叠了形成有电容器导体22a、 22b的陶瓷印刷电路基板120，在外层区域中层叠了未设置电容器导体22的多个陶瓷印刷电路基板120。进而，还在层叠体的最外侧层叠了形成有主面电极18a、18b或主面电极19a、 19b的陶瓷印刷电路基板120使得主面电极配置在外侧，而得到了母层叠体112。然后，以静水压压接的方式对未烧成的母层叠体112实施正式压接。其次，将未烧成的母层叠体112剪切成规定尺寸(例如，0. 6mmX0. 3mmX0. 3mm)， 得到了多个未烧成的层叠体12。接着，通过浸渍法在未烧成的层叠体12的侧面S5、S6上形成应该成为侧面电极16 的Ni电极。此时，膏剂状的Ni因表面张力仅涂敷在与侧面S5、S6相邻的主面S1、S2及端面S3、S4上(参照图1的放大图)。然后，对未烧成的层叠体12进行烧成。烧成温度例如优选900°C以上1300°C以下。 通过上述工序，完成了内置有电容器导体22的已烧成的层叠体12的准备工作。其次，通过镀覆法，对应该成为侧面电极16及主面电极18、19的Ni电极实施Cu 镀覆，而形成了侧面电极16及主面电极18、19。由此，形成了外部电极14。经过以上工序， 完成了电子部件10a。(效果)根据以上的电子部件10a，能实现低ESL化。图4(a)是现有的电子部件210的外观立体图。图5是表示电子部件IOa及电子部件210的频率与阻抗之间关系的曲线图。图 5是计算机模拟仿真的分析结果。图4 (a)的电子部件210具备外部电极214a、214b。外部电极214a、214b分别包括端面电极216a,216b及主面电极218a、218b、219a、219b。端面电极216a,216b分别设置于端面S3、S4。主面电极218a、218b、219a、219b分别设置于主面Si、S2。由此，在电子部件 210中，信号线路为端面电极216a与216b之间。也就是说，沿着主面Sl的长边方向(χ轴方向)传送信号。另一方面，在电子部件IOa中，侧面电极16a、16b分别设置于侧面S5、S6。由此， 在外部电极14a中，信号线路为侧面电极16a与16b之间。也就是说，沿着主面Sl的短边方向(y轴方向)传送信号。因此，在电子部件IOa中，较之电子部件210，信号线路短且信号线路更宽。其结果，电子部件IOa较之电子部件210，能实现低ESL化。此外，如图5所示，根据计算机仿真结果也可知，在电子部件IOa中，较之电子部件 210，能实现低ESL化。更详细而言，电子部件IOa较之电子部件210，谐振频率变高。由此可知，主要在200MHz以上的频带中，电子部件IOa的阻抗比电子部件210的阻抗小。也就是说，可知电子部件IOa较之于电子部件210实现了低ESL化。进而，在谐振方面上，电子部件IOa具有比电子部件210小的阻抗。由此可知，电子部件IOa的电阻值比电子部件210 的电阻值小。S卩，可知在电子部件IOa中，与电子部件210相比，ESR下降了。另外，电子部件IOa易于安装在电路基板内。图4(b)是现有的电子部件310的外观立体图。图4(b)的电子部件310具备外部电极314a、314b。外部电极314a、314b分别包括侧面电极316a,316b及主面电极318a、318b、319a、319b。侧面电极316a,316b分别设置于侧面S5、S6。主面电极318a、319a分别沿着主面S1、S2的y轴方向的负方向侧的长边设置。主面电极318b、319b分别沿着主面S1、S2的y轴方向的正方向侧的长边设置。在以上的电子部件310被安装在电路基板内的情况下，如图13所示，被收容在电路基板600的凹部602内。并且，主面电极318a、318b与通孔导体606a、606b连接。可是，在电子部件310中，因为主面电极318a、318b沿着主面Sl的整个长边设置， 因此无法将主面电极318a、318b的y轴方向的宽度增大为主面Sl的y轴方向的宽度的一半以上。为此，在电子部件310中，以与主面电极318a、318b连接的方式形成通孔导体606a、 606b是比较困难的。另一方面，在电子部件IOa中，主面电极18a、18b分别是以与主面Sl的角Cl、C2 相接的方式设置在主面Sl上的长方形形状的导体层。由此，主面电极18a、18b在X轴方向上，隔着间隙相互对置。也就是说，在电子部件IOa中，主面电极18a的y轴方向的正方向侧的边，较之主面电极18b的y轴方向的负方向侧的边位于y轴方向的正方向侧。由此，在电子部件IOa中，能够将主面电极18a、18b的y轴方向的宽度增大至主面Sl的y轴方向的宽度的一半以上。由此，在电子部件IOa中，与电子部件310相比，易于形成通孔导体606a、 606b并使其与主面电极18a、18b连接。以上，在电子部件IOa中，既能实现低ESL化，又能容易安装在电路基板600内。此外，在本实施方式中，通孔导体606a、606b的直径为100 μ m。另外，在电子部件IOa中，抑制了向电路基板600内安装时层叠体12的破损。图 6是电子部件IOa被安装在电路基板600内时的工序剖视图。在电子部件IOa向电路基板600内安装时，由喷嘴300吸引层叠体12的主面Sl 的状态下，将设置于凹部602内的粘合剂610a、610d和主面电极19a、19b进行对位，而装配在凹部602内。此时，层叠体12在主面Sl的中央部分，从喷嘴300向ζ轴方向的负方向侧施力，在主面电极19a、19b中，从凹部602向ζ轴方向的正方向侧施力。因此，电子部件IOa 的长边有可能会弯曲成V字型而破损。特别是在薄型化的电子部件IOa中，破损的可能性变高。因此，在电子部件IOa中，以覆盖侧面S5、S6的方式设置有侧面电极16a、16b。由此，增强了层叠体12。其结果抑制了电子部件IOa的破损。进而，在电子部件IOa中，侧面电极16a、16b稍微向与侧面S5、S6相邻的主面Si、 S2及端面S3、S4折返。由此，更有效地抑制了电子部件IOa的破损。采用上述结构的外部电极14a、14b的镀覆Cu的厚度，优选为2μπι以上20μπι以下，如果还考虑耐激光性及薄型化，则进一步优选为5 μ m以上15 μ m以下。更详细而言，在外部电极14a、14b的镀覆Cu的厚度小于5μπι的情况下，在安装电子部件IOa进行激光束照射时，会损伤外部电极14a、14b。另一方面，在外部电极14a、14b的镀覆Cu的厚度大于 15 μ m的情况下，形成外部电极14a、14b时的成本变高，且妨碍了薄型化。外部电极14a、14b的表面粗糙度(Ra)为1. 55 μ m以下，从而在安装电子部件IOa 进行激光束照射时，在外部电极14a、14b中抑制了激光束的乱反射。第一变形例下面，参照
第一变形例涉及的电子部件10b。图7是第一变形例涉及的电子部件IOb的外观立体图。图8是图7的电子部件IOb的层叠体12的分解立体图。电子部件10与电子部件IOb的不同点在于，外部电极14的形状及电容器导体22 的形状。电容器导体2 如图8所示那样呈长方形形状，且被引出到绝缘体层20的χ轴方向的负方向侧的边。电容器导体22b呈长方形形状，且被引出到绝缘体层20的χ轴方向的正方向侧的边。外部电极14 (Ha、14b)如图7所示，还包括端面电极30 (30a、30b)。端面电极30a 设置于层叠体12的端面S3，且与上面电极18a、底面电极19a及侧面电极16a连接，并覆盖了在端面S3上电容器导体2 露出的部分。其中，端面电极30a不与端面S3的y轴方向的正方向侧的短边相接，以免与侧面电极16b接触。端面电极30b设置于层叠体12的端面S4，且与上面电极18b、底面电极19b及侧面电极16b连接，并覆盖了在端面S4上电容器导体22b露出的部分。其中，端面电极30b 不与端面S4的y轴方向的负方向侧的短边相接，以免与侧面电极16a接触。根据采用上述结构的电子部件10b，端面电极30a、30b还设置于端面S3、S4。由此，在外部电极14a、14b中，信号分别经由侧面电极16a、16b及端面电极30a、30b进行传送。因此，在电子部件IOb中，较之电子部件10a，信号线路变宽。其结果，电子部件IOb较之电子部件10a，实现了低ESL化。(第二变形例)下面，参照
第二变形例涉及的电子部件10c。图9是第二变形例涉及的电子部件IOc的外观立体图。图10是图9的电子部件IOc的层叠体12的分解立体图。电子部件IOb和电子部件IOc的不同点在于，外部电极14的形状及电容器导体22 的形状。电容器导体2 如图10所示，被引出到绝缘体层20的χ轴方向的负方向侧的边， 并且沿着绝缘体层20的y轴方向的负方向侧而被引出到绝缘体层20的χ轴方向的正方向侧的短边。电容器导体22b呈长方形形状，且被引出到绝缘体层20的χ轴方向的正方向侧的边，并沿着绝缘体层20的y轴方向的正方向侧的长边而被引出到绝缘体层20的χ轴方向的负方向侧的短边。外部电极14(1 ，14b)如图9所示，还包括端面电极32(3h、32b)。端面电极32a 被设置于层叠体12的端面S4,且与侧面电极16a连接，并覆盖在端面S4上电容器导体2 露出的部分。其中，端面电极3 不与端面电极30b相接。端面电极32b被设置于层叠体12的端面S3，且与侧面电极16b连接，并覆盖在端面S3上电容器导体22b露出的部分。其中，端面电极32b不与端面电极30a相接。根据采用上述结构的电子部件10c，端面电极32a、32b还设置于端面S4、S3。由此，在外部电极14a、14b中，信号分别经由侧面电极16a、16b及端面电极30a、30b、32a、32b 进行传送。由此，在电子部件IOc中，较之电子部件10b，信号线路更宽。其结果，较之电子部件10b，电子部件IOc实现了低ESL化。第二实施方式电子部件的结构其次，参照
第二实施方式涉及的电子部件IOd的结构。图11是第二实施方式涉及的电子部件IOd的外观立体图。图12是图11的电子部件IOd的层叠体12的分解立体图。电子部件IOd是芯片电容器，如图11及图12所示，具备层叠体12、外部电极 14(1如、1413)、引出导体23(233、2313)、24(对3、对13)(在图11中未示出)及电容器C(在
11图11中未示出)。芯片电容器呈具有约600 μ m(x轴方向)X约300ym(y轴方向)X约 150ym(z轴方向)尺寸的长方体形状。电子部件IOd的层叠体12的外观与电子部件IOa 的层叠体12的外观相同，因此省略说明。层叠体12如图12所示那样层叠了多个绝缘体层20而构成。由于电子部件IOd 的绝缘体层20与电子部件IOa的绝缘体层20相同，因此省略说明。电容器C如图12所示，由内置于层叠体12的电容器导体220h、22b)而构成。由于电子部件IOd的电容器C与电子部件IOa的电容器C相同，因此省略说明。引出导体23a、2!3b较之内层区域而设置于ζ轴方向的正方向侧所设的外层区域的绝缘体层20的表面。引出导体Ma、24b较之内层区域而设置于ζ轴方向的负方向侧所设的外层区域的绝缘体层20的表面。引出导体23a设置成与绝缘体层20的y轴方向的负方向侧的长边相接，自χ轴方向的负方向侧的短边起延伸。在从ζ轴方向俯视的情况下，引出导体23a与该长边相接的部分，和电容器导体2 与该长边相接的部分重叠。引出导体2 设置成与绝缘体层20 的y轴方向的正方向侧的长边相接，自χ轴方向的正方向侧的短边起延伸。在从ζ轴方向俯视的情况下，引出导体2 与该长边相接的部分，与电容器导体22b与该长边相接的部分重叠。引出导体2 设置成与绝缘体层20的y轴方向的负方向侧的长边相接，自χ轴方向的正方向侧的短边起延伸。在从ζ轴方向俯视的情况下，引出导体2 与该长边相接的部分，和电容器导体2 与该长边相接的部分重叠。引出导体24b设置成与绝缘体层20 的y轴方向的正方向侧的长边相接，自χ轴方向的负方向侧的短边起延伸。在从ζ轴方向俯视的情况下，引出导体24b与该长边相接的部分，和电容器导体22b与该长边相接的部分重叠。外部电极Ha如图11所示，包括侧面电极16-la、16-2a、16_3a及主面电极18a、 19a。侧面电极16-la是为覆盖侧面S5的一部分而设置的长方形形状的电极，且与电容器导体2 连接。侧面电极16-la通过对电容器导体2 从侧面S5露出的部分实施Cu镀覆而制作的。侧面电极16- 是为覆盖侧面S5的一部分而设置的长方形形状的电极，且与侧面电极16-la连接。侧面电极16- 通过对弓I出导体23a从侧面S5露出的部分实施Cu镀覆而制作的。侧面电极16_3a是为覆盖侧面S5的一部分而设置的长方形形状的电极，且与侧面电极16-la连接。侧面电极16-3a通过对弓|出导体2 从侧面S5露出的部分实施Cu镀覆而制作的。主面电极18a与侧面电极16- 连接，且被设置于ζ轴方向的最正方向侧所设的绝缘体层20的表面。更详细而言，主面电极18a是以与主面Sl的角Cl、以及夹持短边和角 Cl相邻的角C3相接的方式在主面Sl上设置的长方形形状的导体层。更详细而言，主面电极18a在y轴方向的负方向侧的边上，与侧面电极16- 相接。并且，主面电极18a的三边与主面Sl的χ轴方向的负方向侧的短边及两个长边相接。另外，主面电极ISaWx轴方向的正方向侧的边，较之主面Sl的对角线的交点Pl而在χ轴方向的负方向侧沿着y轴方向延伸。
主面电极19a与侧面电极16_3a连接，且设置在ζ轴方向的最负方向侧所设的绝缘体层20的背面。更详细而言，主面电极19a是以与主面S2的角C6、以及夹持短边和角 C6相邻的角C8相接的方式在主面S2上设置的长方形形状的导体层。更详细而言，主面电极19a在y轴方向的负方向侧的边上，与侧面电极16-3a相接。并且，主面电极19a的三边与主面S2的χ轴方向的正方向侧的短边及两个长边相接。另外，主面电极19a的χ轴方向的负方向侧的边，较之主面S2的对角线的交点P2而在χ轴方向的正方向侧沿着y轴方向延伸。外部电极14b如图11所示，包括侧面电极16-lb、16-2b、16_;3b及主面电极18b、 19b。侧面电极16-lb是为覆盖侧面S6的一部分而设置的长方形形状的电极，且与电容器导体22b连接。侧面电极16-lb通过对电容器导体22b从侧面S6露出的部分实施Cu镀覆而制作的。侧面电极16_2b是为覆盖侧面S6的一部分而设置的长方形形状的电极，且与侧面电极16-lb连接。侧面电极16-2b通过对引出导体2 从侧面S6露出的部分实施Cu镀覆而制作的。侧面电极16- 是为覆盖侧面S6的一部分而设置的长方形形状的电极，且与侧面电极16-lb连接。侧面电极16- 通过对引出导体24b从侧面S6露出的部分实施Cu镀覆而制作的。主面电极18b与侧面电极16_2b连接，且被设置于ζ轴方向的最正方向侧所设的绝缘体层20的表面。更详细而言，主面电极18b是以与主面Sl的角C2、以及夹持短边与角 C2相邻的角C4相接的方式在主面Sl上设置的长方形形状的导体层。更详细而言，主面电极18b在y轴方向的正方向侧的边上，与侧面电极16-2b相接。并且，主面电极18b的三边与主面Sl的χ轴方向的正方向侧的短边及两个长边相接。另外，主面电极18b的χ轴方向的负方向侧的边，较之主面Sl的对角线的交点Pl而在χ轴方向的正方向侧沿着y轴方向延伸。由此，主面电极18a的χ轴方向的正方向侧的边与主面电极18b的χ轴方向的负方向侧的边，相互平行地沿着y轴方向延伸，在从χ轴方向俯视的情况下重叠。也就是说，主面电极18a、18b在χ轴方向上隔着间隙相互对置。主面电极19b与侧面电极16- 连接，且设置在ζ轴方向的最负方向侧所设的绝缘体层20的背面。更详细而言，主面电极19b是以与主面S2的角C5、以及夹持短边和角 C5相邻的角C7相接的方式在主面S2上设置的长方形形状的导体层。更详细而言，主面电极19b在y轴方向的正方向侧的边上，与侧面电极16- 相接。并且，主面电极19b的三边与主面S2的χ轴方向的负方向侧的短边及两个长边相接。另外，主面电极19b的χ轴方向的正方向侧的边，较之主面S2的对角线的交点P2而在χ轴方向的负方向侧沿着y轴方向延伸。由此，主面电极19a的1轴方向的负方向侧的边与主面电极19b的χ轴方向的正方向侧的边，相互平行地沿着y轴方向延伸，在从χ轴方向俯视的情况下重叠。也就是说，主面电极19a、19b在χ轴方向上隔着间隙相互对置。如电子部件10d，侧面电极16-la 16_3a、16_lb 16- 也可不覆盖侧面S5、S6 的整个面。此外，侧面电极16-la 16-3a、16-lb 16_3b，通过在侧面S5、S6上镀覆而直接形成。由此，在电子部件IOd的制造方法中，因为不需要用于形成基底电极的浸渍工序， 因此可减少工序数。
另外，在电子部件IOd中，较之电子部件10a，主面电极18a，18b的y轴方向的宽度宽。因此，易于将电子部件IOd安装于电路基板600。进而，在电子部件IOd中，与电子部件 IOa同样，能够实现低ESL化。此外，在电子部件IOa IOd中，外部电极14a、14b也可通过下述工序形成。具体而言，在层叠体12上，由包括可扩散至Cu中的金属及陶瓷粘合剂的导电膏剂形成基底电极，在基底电极上形成第一 Cu镀覆膜。其次，对基底电极及第一 Cu镀覆膜进行加热，使基底电极的金属扩散至第一 Cu镀覆膜。进而，在第一 Cu镀覆膜上形成第二 Cu镀覆膜。在以上制作的外部电极14a、14b中，未扩散金属的第二 Cu镀覆膜构成了外部电极 14a、14b的表面。由此，外部电极14a、14b相对于激光束具有高的反射率。因此，抑制了激光束照射时对外部电极14a、14b造成的损伤。其中，第二 Cu镀覆膜也可不设置于外部电极 Ha、14b。以上，本发明在电子部件中是有用的，特别是在能实现低ESL化且易于向电路基板内安装的方面是优异的。
1权利要求
1.一种电子部件，其特征在于，具备长方体形状的层叠体，具有位于层叠方向两端的第一主面和第二主面、以及位于该第一主面的短边延伸的短边方向的两端的第一侧面及第二侧面；第一电容器导体及第二电容器导体，在所述层叠体内构成了电容器；第一外部电极，包括与所述第一电容器导体连接且设置于所述第一侧面的第一侧面电极、以及与该第一侧面电极连接且按照与所述第一主面的第一角相接的方式设置于该第一主面的长方形形状的第一主面电极；和第二外部电极，包括与所述第二电容器导体连接且设置于所述第二侧面的第二侧面电极、以及与第二侧面电极连接且按照与位于所述第一角的对角处的所述第一主面的第二角相接的方式设置于该第一主面的长方形形状的第二主面电极，该第二主面电极在该第一主面的长边延伸的长边方向上与所述第一主面电极对置。
2.根据权利要求1所述的电子部件，其特征在于，所述第一侧面电极覆盖整个所述第一侧面电极。
3.根据权利要求1所述的电子部件，其特征在于，所述第一主面电极被设置成与第三角相接，该第三角夹着所述第一主面的短边与所述第一角相邻，所述第二主面电极被设置成与第四角相接，该第四角夹着所述第一主面的短边与所述第二角相邻。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的电子部件，其特征在于，所述层叠体的层叠方向的高度为50 μ m以上150 μ m以下。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的电子部件，其特征在于，所述第一侧面电极及所述第二侧面电极通过镀覆形成。
全文摘要
本发明提供一种电子部件。外部电极(14a)包括设置于侧面(S5)的侧面电极(16a)、以及与侧面电极(16a)连接且按照与主面(S1)的角(C1)相接的方式设置于主面(S1)的长方形形状的主面电极(18a)。外部电极(14b)与电容器导体连接，且包括设置于侧面(S6)的侧面电极(16b)、以及与侧面电极(16b)连接且按照与位于角(C1)的对角处的主面(S1)的角(C2)相接的方式设置于主面(S1)的长方形形状的主面电极(18b)，该主面电极(18b)在主面(S1)的长边延伸的x轴方向上与主面电极(18a)对置。由此，可实现低ESL化且可易于向电路基板内安装。
文档编号H01G4/005GK102385988SQ20111025249
公开日2012年3月21日 申请日期2011年8月30日 优先权日2010年9月6日
发明者堤启恭 申请人:株式会社村田制作所