晶圆可接受性测试机台内部环境的监测方法和监测装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种晶圆可接受性测试机台内部环境的监测方法和监测装置。
【背景技术】
[0002]随着技术的进步，集成电路制造工艺要求日益提高，且由于集成电路制造周期长，成本高，因此，提高制造工艺的制造效率及质量尤为重要。在半导体制造过程中，需要经过上百道工艺步骤后才能在晶圆片上制备得到半导体器件，由于工艺步骤的复杂，对每个晶圆片进行晶圆可接受性(Wafer Acceptance Test，WAT)测试是必要而不可少的。
[0003]在进行WAT测试之前，先要对晶圆可接受性测试机台的内部环境加以监测，以判断机台是否合适进行测试。现有技术中，采用以下方法对机台内部环境监测。首先，量测I片空片(未经任何工艺处理的晶圆)的缺陷颗粒数量得到颗粒度前值，然后将该空片放入机台内部运行机台I次，接着传出空片再次量测其缺陷颗粒数量得到颗粒度后值，当发现颗粒度前值与后值的差超出预定标准，那么说明机台内部环境不良，不能进行正常的WAT测试，需要清理机台，当发现颗粒度前值与后值的差值未超出预定标准，则说明机台内部时干净的，接下来可正常进行WAT测试。
[0004]然而，一般来说进行WAT测试的一批晶圆的片数为25片，这25片晶圆依次测试，测试完成的晶圆退回与机台连通的晶圆盒中，从晶圆盒传出下一片晶圆。因此，整个过程机台会运行25次，造成机台内部的震动达25次，导致实际测试过程中在晶圆上，特别是放置在晶圆盒内最顶部的晶圆上会产生更多的缺陷颗粒，即使在WAT测试前的监测结果发现缺陷颗粒差值处于预定标准范围内，但最终正常测试结束后晶圆上的缺陷颗粒很可能大大增加而超出标准，因此，现有的监测方法无法严格验证晶圆可接受性测试机台的内部环境。
【发明内容】
[0005]本发明的主要目的旨在提供一种有效监测晶圆可接受性测试机台内部环境情况的方法和装置。
[0006]为达成上述目的，本发明提供一种晶圆可接受性测试机台内部环境的监测方法，包括以下步骤:
[0007]S1:提供一监测晶圆并检测该监测晶圆的缺陷颗粒数量；
[0008]S2:将所述监测晶圆置入所述晶圆可接受性测试机台，对该监测晶圆模拟N次晶圆可接受性测试，其中N等于待进行所述晶圆可接受性测试的所有晶圆的数量且N为大于等于2的正整数；
[0009]S3:检测所述监测晶圆的缺陷颗粒数量；
[0010]S4:根据所述步骤S3和所述步骤SI得到的监测晶圆的缺陷颗粒数量的差值判断所述晶圆可接受性测试机台的内部环境是否正常。
[0011]优选地，所述步骤S2包括:S21:打开晶圆盒，所述晶圆盒与所述晶圆可接受性测试机台连通；S22:载入所述监测晶圆；S23:运行所述晶圆可接受性测试机台；
[0012]S24:卸载所述监测晶圆；S25:将上述步骤S22至S24重复执行N-1次。
[0013]优选地，步骤S4中若所述步骤S3和所述步骤SI得到的监测晶圆的缺陷颗粒数量的差值小于等于设定阈值，则判断所述晶圆可接受性测试机台的内部环境为正常；否则，为不正常。
[0014]根据本发明的另一方面，还提供了一种晶圆可接受性测试机台内部环境的监测装置，包括:检测模块，用于检测监测晶圆的缺陷颗粒数量；模拟测试模块，用于对该监测晶圆模拟N次晶圆可接受性测试，其中N等于待进行所述晶圆可接受性测试的所有晶圆的数量且N为大于等于2的正整数；判断模块，用于根据所述模拟测试模块对该监测晶圆模拟N次晶圆可接受性测试前后所述检测模块检测到的该监测晶圆的缺陷颗粒数量的差值判断所述晶圆可接受性测试机台的内部环境是否正常。
[0015]优选地，所述模拟测试模块执行以下操作:打开晶圆盒，所述晶圆盒与所述晶圆可接受性测试机台连通；以及执行N次:载入所述监测晶圆、运行所述晶圆可接受性测试机台、卸载所述监测晶圆的步骤。
[0016]优选地，若所述模拟测试模块对该监测晶圆模拟N次晶圆可接受性测试前后所述检测模块检测到的该监测晶圆的缺陷颗粒数量的差值小于等于设定阈值，则所述判断模块判断所述晶圆可接受性测试机台的内部环境为正常；否则，为不正常。
[0017]本发明还提供了一种晶圆可接受性测试方法，包括:根据上述的监测方法监测晶圆可接受性测试机台的内部环境；以及当所述晶圆可接受性测试机台的内部环境为正常时，进行晶圆可接受性测试；否则，清洗所述晶圆可接受性测试机台。
[0018]本发明所提出的WAT测试机台内部环境的监测方法和监测装置，能够有效模拟WAT测试机台正常测试时的内部环境情况，从而更有效、更严格地控制机台内部环境。
【附图说明】
[0019]图1为本发明一实施例晶圆可接受性测试机台内部环境的监测方法的流程图；
[0020]图2为本发明一实施例晶圆可接受性测试机台内部环境的监测装置的方块图。
【具体实施方式】
[0021]为使本发明的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本发明的内容作进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。
[0022]以下将结合图1说明本发明一具体实施例的晶圆可接受性测试机台内部环境的监测方法。
[0023]如图1所示，晶圆可接受性测试机台内部环境的监测方法包括以下步骤。
[0024]步骤SI，提供一监测晶圆并检测该监测晶圆的缺陷颗粒数量。
[0025]本步骤中，监测晶圆例如是未经任何工艺处理的空片，量测该空片的缺陷颗粒数量，得到缺陷颗粒度前值。
[0026]步骤S2，将监测晶圆置入晶圆可接受性测试机台，对该监测晶圆模拟N次晶圆可接受性测试。
[0027]本步骤中，对监测晶圆模拟WAT测试的次数N应等同于将来待进行WAT测试的所有晶圆的数量。以晶圆盒中一批晶圆数量为25为例，进行WAT测试时这一批25片晶圆都要依次测试，因此在步骤S2中，对监测晶圆模拟25次WAT测试。由于待进行WAT测试的晶圆数量为多个，N也应当大于等于2。具体的对监测晶圆模拟N次WAT测试的方法如下:
[0028]首先，进行步骤S21，打开晶圆盒，需要注意的是，晶圆盒与晶圆可接受性测试机台是连通的。
[0029]然后，进行步骤S22，载入监测晶圆；
[0030]之后，进行步骤S23，运行晶圆可接受性测试机台；
[0031]接下来，进行步骤S24，卸载监测晶圆。
[0032]完成以上步骤后，重复进行监测晶圆载入一晶圆可接受性测试机台