发光二极管封装方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种半导体发光装置封装方法，尤其涉及一种发光二极管封装方法。
【背景技术】
[0002] 相比于传统的发光源，发光二极管（Light Emitting Diode，LED)具有重量轻、体 积小、污染低、寿命长等优点，其作为一种新型的发光源，已经被越来越多地应用到各领域 当中，如路灯、交通灯、信号灯、射灯及装饰灯等。
[0003] 现有的发光二极管封装结构，通常包括具有金属导电线路以及反射杯结构的引线 框架、设置在引线框架的反射杯结构内并电连接至金属导电线路的发光二极管芯片、以及 填充在反射杯结构内并覆盖发光二极管芯片的封装体。制作该种发光二极管封装结构时， 通常事先制备导电铜板，然后通过嵌入成型（Insert Molding)工艺注塑聚对苯二酰对苯二 胺（PPA)塑料，使得导电铜板嵌入PPA塑料而形成具有反射杯结构的引线框架，继而将发光 二极管晶粒置入反射杯结构内并电连接至导电铜板，最后向反射杯结构内填充封装材料并 固化封装材料形成封装体。
[0004] 该种制造方法中"向反射杯结构内置入发光二极管晶粒"的步骤需要将发光二极 管晶粒与导电铜板进行对位，由于对位机械设备的精度具有局限性，使得尺寸较小的发光 二极管晶粒在反射杯结构内的封装位置精确度难以确保，从而影响整个封装元件的精度。
【发明内容】
[0005] 有鉴于此，有必要提供一种高精度的发光二极管封装方法。
[0006] -种发光二极管封装方法，包括步骤：第一步，提供一具有粘性及弹性的薄膜层 并将多个发光二极管晶粒设置在薄膜层上，各发光二极管晶粒的两个电极均贴设在薄膜层 上；第二步，形成一封装层在薄膜层上并使封装层覆盖所述多个发光二极管晶粒；第三步， 在每两个相邻的发光二极管晶粒之间切割封装层以形成切割道，多个切割道贯穿封装层并 止于薄膜层，从而每两个相邻的切割道之间形成一个发光二极管单元，每个发光二极管单 元包括一个发光二极管晶粒和覆盖该发光二极管晶粒的封装层；第四步，拉伸薄膜层以增 大各相邻发光二极管单元之间的间距；第五步，在拉伸后的薄膜层上形成多个相连的光学 透镜，每个光学透镜对应一个发光二极管单元并包覆该发光二极管单元；第六步，移除薄膜 层；以及第七步，切割所述多个相连的光学透镜，以获得多个分离的发光二极管封装体，每 个发光二极管封装体包括一个发光二极管单元以及一个包覆该发光二极管单元的光学透 镜。
[0007] 与现有技术相比，上述封装方法采用薄膜层支撑发光二极管晶粒，然后进行封装 层以及光学透镜的设置，无需采用传统技术中的引线框架，能够避免传统封装技术中将发 光二极管与引线框架的电路结构进行对位所产生的时间耗费以及精确度误差、还能简化发 光二极管的封装结构、降低成本。
[0008] 下面参照附图，结合【具体实施方式】对本发明作进一步的描述。
【附图说明】
[0009] 图1至图9为本发明实施方式提供的发光二极管封装方法示意图。
[0010] 主要元件符号说明
【主权项】
1. 一种发光二极管封装方法，包括以下步骤： 第一步，提供一具有粘性及弹性的薄膜层并将多个发光二极管晶粒设置在薄膜层上， 各发光二极管晶粒的两个电极均贴设在薄膜层上； 第二步，形成一封装层在薄膜层上并使封装层覆盖所述多个发光二极管晶粒； 第三步，在每两个相邻的发光二极管晶粒之间切割封装层以形成切割道，多个切割道 贯穿封装层并止于薄膜层，从而每两个相邻的切割道之间形成一个发光二极管单元，每个 发光二极管单元包括一个发光二极管晶粒和覆盖该发光二极管晶粒的封装层； 第四步，拉伸薄膜层以增大各相邻发光二极管单元之间的间距； 第五步，在拉伸后的薄膜层上形成多个相连的光学透镜，每个光学透镜对应一个发光 二极管单元并包覆该发光二极管单元； 第六步，移除薄膜层；以及 第七步，切割所述多个相连的光学透镜，以获得多个分离的发光二极管封装体，每个发 光二极管封装体包括一个发光二极管单元以及一个包覆该发光二极管单元的光学透镜。
2. 如权利要求1所述的发光二极管封装方法，其特征在于，所述薄膜层为UV薄膜或聚 酰亚胺薄膜。
3. 如权利要求1所述的发光二极管封装方法，其特征在于，所述第一步将多个发光二 极管晶粒通过覆晶方式设置在薄膜层上。
4. 如权利要求1所述的发光二极管封装方法，其特征在于，所述第二步通过涂布、印 刷、压膜或转模的方法使封装层覆盖所述薄膜层设有发光二极管晶粒的表面上。
5. 如权利要求1所述的发光二极管封装方法，其特征在于，所述第五步采用模造方法 在薄膜层上形成多个相连的光学透镜。
【专利摘要】一种发光二极管封装方法，包括步骤：第一步，提供一具有粘性及弹性的薄膜层并将多个发光二极管晶粒设置在薄膜层上；第二步，形成一封装层在薄膜层上并使封装层覆盖所述多个发光二极管晶粒；第三步，在每两个相邻的发光二极管晶粒之间切割封装层以形成切割道，多个切割道贯穿封装层并止于薄膜层，从而每两个相邻的切割道之间形成一个发光二极管单元；第四步，拉伸薄膜层；第五步，在拉伸后的薄膜层上形成多个相连的光学透镜，每个光学透镜对应一个发光二极管单元并包覆该发光二极管单元；第六步，移除薄膜层；第七步，切割所述多个相连的光学透镜，以获得多个分离的发光二极管封装体。
【IPC分类】H01L33-54, H01L33-48
【公开号】CN104752582
【申请号】CN201310747517
【发明人】张书修, 陈滨全, 陈隆欣, 曾文良
【申请人】展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2013年12月31日