的直径呈现为均匀的。
[0090]而且，由于气体调节构件的高度或高度差异根据晶片的晶向进行改变，可以对晶片的每个区间精确控制气体流速，因此外延晶片的平坦度可以呈现为均匀的。
[0091]而且，根据实施方式的衬托器，可以提供边缘部分具有均匀平坦度的半导体晶片，使得半导体晶片的质量和成品率可以得到提高。
[0092]虽然已经描述在硅晶片100的表面上外延生长作为实例，但是本发明并不限于此。例如，本发明可应用于外延生长速率依赖于晶向或本文中所使用的衬托器的任何材料的外延制造装置。而且，虽然已描述了〈110〉晶向和〈100〉晶向，但是本发明可被应用于具有相同的晶体特性的[110]取向和[100]取向。
[0093]尽管已经参照多个说明性实施方式进行说明实施方式，但是应该理解的是，本领域技术人员能够想到的许多其它的修改和实施方式也将落入本发明的原理的精神和范围内。更具体地，说明书、附图和所附的权利要求书的范围内主题组合排列的组成部分和/或布置中的各种变化和修改都是可能的。除了组成部分和/或布置中的变化和修改之外，其它应用对本领域技术人员来说也是显而易见的。
[0094]工业实用件
[0095]本实施方式可以应用至用于制造外延晶片的外延生长装置，因此具有工业实用性。
【主权项】
1.一种用于外延生长的衬托器，所述衬托器用于制造外延晶片，通过晶片和腔室中的源气体之间的反应在所述衬托器上生长外延层，所述衬托器包括: 凹部，所述凹部具有形成在所述凹部中的开口，所述晶片放置在所述开口中； 凸缘部分，所述凸缘部分支撑所述晶片；和 气体调节构件，所述气体调节构件形成在所述衬托器的开口的上表面的外圆周部分上， 其中，所述气体调节构件包括:第一气体调节构件，所述第一气体调节构件形成在面向所述晶片的〈110〉晶向的预定区域上；第二气体调节构件，所述第二气体调节构件形成在面向所述晶片的〈100〉晶向的预定区域上；和第三气体调节构件，所述第三气体调节构件形成在所述第一气体调节构件和所述第二气体调节构件之间， 其中，所述第一气体调节构件至所述第三气体调节构件形成为它们沿着所述晶片的圆周形成的区域具有不同的尺寸， 其中，所述第一气体调节构件至所述第三气体调节构件形成为在所述晶片的中心至所述衬托器的方向上具有不同的倾角以改变气体流速。
2.根据权利要求1所述的衬托器，其中，所述第一气体调节构件的区域和所述第二气体调节构件的区域相对于所述第三气体调节构件彼此不对称。
3.根据权利要求1所述的衬托器，其中，所述第一气体调节构件形成在所述晶片的边缘部分的外延层沉积为相对大厚度的区域上，并且形成在所述衬托器上以相对于〈110〉晶向具有约O度至约5度的角度。
4.根据权利要求1所述的衬托器，其中，所述第三气体调节构件形成在所述晶片的边缘部分的外延层厚度增加或减少的区域上，并且在约2.5度至约17.5度的角度内形成在所述第一气体调节构件的两侧。
5.根据权利要求1所述的衬托器，其中，所述第二气体调节构件形成在所述晶片的边缘部分的外延层沉积为相对小厚度的区域上，并且形成在所述衬托器上以相对于〈110〉晶向具有约55度至约80度的角度。
6.根据权利要求1所述的衬托器，其中，所述第一气体调节构件至所述第三气体调节构件在所述衬托器上形成为不同高度以改变所述气体流速。
7.根据权利要求1所述的衬托器，其中，所述第一气体调节构件和第二气体调节构件相对于所述晶片的晶向以约90度的间隔形成在所述衬托器上。
8.根据权利要求1所述的衬托器，其中，所述第一气体调节构件是具有预定厚度以减少所述气体流速的硅沉积层，并且所述第二气体调节构件是具有预定厚度以增加所述气体流速的硅沉积层。
9.根据权利要求1所述的衬托器，其中，所述第一气体调节构件是在所述晶片的中心至所述衬托器的方向上倾斜以减少所述气体流速的结构。
10.根据权利要求1所述的衬托器，其中，所述第二气体调节构件是在所述衬托器至所述晶片的中心的方向上倾斜以升高所述气体流速的结构。
11.根据权利要求1所述的衬托器，其中，所述第一气体调节构件和所述第二气体调节构件是在所述晶片的中心至所述衬托器的方向上倾斜以减少所述气体流速的结构，其中，所述第一气体调节构件的倾角大于所述第二气体调节构件的倾角。
12.一种用于外延生长的衬托器，所述衬托器用于制造外延晶片，通过晶片和腔室中的源气体之间的反应在所述衬托器上生长外延层，所述衬托器包括: 凹部，所述凹部具有形成在所述凹部中的开口，所述晶片放置在所述开口中； 凸缘部分，所述凸缘部分支撑所述晶片；和 气体调节构件，所述气体调节构件形成在所述衬托器的开口的上表面的外圆周部分上， 其中，所述气体调节构件包括:第一气体调节构件，所述第一气体调节构件形成在面向所述晶片的〈110〉晶向的预定区域上；第二气体调节构件，所述第二气体调节构件形成在面向所述晶片的〈100〉晶向的预定区域上；和第三气体调节构件，所述第三气体调节构件形成在所述第一气体调节构件和所述第二气体调节构件之间， 其中，所述第一气体调节构件至所述第三气体调节构件形成为它们沿着所述晶片的圆周形成的区域具有不同的尺寸。
13.一种用于外延生长的装置，所述装置包括根据权利要求1至12中任意一项所述的用于外延生长的衬托器。
【专利摘要】本发明涉及一种用于外延生长的衬托器，该衬托器用于通过执行晶片与腔室内的源气体的反应和生长外延层来制造外延晶片，该衬托器包括：凹部，该凹部设置有开口，晶片布置在该开口上；凸缘部分，该凸缘部分用于支撑该晶片；和气体调节构件，该气体调节构件放置在衬托器开口的上表面的外圆周部分上，其中，该气体调节构件包括：第一气体调节构件，该第一气体调节构件形成在该晶片的晶向<110>对面的预定区域上；第二气体调节构件，该第二气体调节构件形成在该晶片的晶向<100>对面的预定区域上；和第三气体调节构件，该第三气体调节构件形成在第一气体调节构件和第二气体调节构件之间，其中，第一气体调节构件、第二气体调节构件和第三气体调节构件形成为沿着晶片的圆周形成的区域的尺寸彼此不同，其中，第一气体调节构件、第二气体调节构件和第三气体调节构件形成为它们从晶片的中心至衬托器的方向的倾角彼此不同以改变气体流速。结果，可以通过在该区域上形成分别用于在衬托器的外圆周部分周围增加/减少气体流速的装置(气体调节构件)控制气体流速，从而当在半导体晶片上形成外延层时减少晶片的边缘部分上外延层的差异。
【IPC分类】C23C16-44, H01L21-683, H01L21-205
【公开号】CN104756244
【申请号】CN201380054238
【发明人】姜侑振
【申请人】Lg矽得荣株式会社
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2013年10月16日
【公告号】DE112013005951T5, US20150275395