中，将氢氟酸清洗过的硅片置于去离子水中进行超声清洗，并利用高纯氮气进行甩干或吹干，以得到清洁的硅片表面。
[0057]步骤303:利用ΝΗ40Η+Η202+Η20溶液清洗氧化硅片表面。
[0058]本步骤中，利用比例为1:2:10的ΝΗ40Η+Η202+Η20溶液，在温度45°C?90°C下清洗氧化硅片表面5?10分钟，以得到一层Inm左右厚度的二氧化硅氧化层，隔绝硅铝互溶现象。
[0059]步骤304:对氧化后的硅片进行超声清洗。
[0060]本步骤中，同样需要将氧化后的硅片置于去离子水中进行超声清洗，并利用高纯氮气进行甩干或吹干，以得到最终生长金属铝所需的硅片界面。
[0061]实施例2:
[0062]本实施例2针对利用HCL+H202+H20溶液对硅片进行处理的情况，参见图4:
[0063]步骤401:利用氢氟酸清洗娃片。
[0064]本步骤中，利用氢氟酸对硅片表面进行清洁，以去除硅片表面的二氧化硅氧化层和其他杂质。
[0065]步骤402:利用去离子水超声清洗得到清洁的硅片表面。
[0066]本步骤中，将氢氟酸清洗过的硅片置于去离子水中进行超声清洗，并利用高纯氮气进行甩干或吹干，以得到清洁的硅片表面。
[0067]步骤403:利用HCL+H202+H20溶液清洗氧化硅片表面。
[0068]本步骤中，利用比例为1:2:10的HCL+H202+H20溶液，在温度45°C?90°C下清洗氧化硅片表面5?10分钟，以得到一层Inm左右厚度的二氧化硅氧化层，隔绝硅铝互溶现象。
[0069]步骤404:对氧化后的硅片进行超声清洗。
[0070]本步骤中，同样需要将氧化后的硅片置于去离子水中进行超声清洗，并利用高纯氮气进行甩干或吹干，以得到最终生长金属铝所需的硅片界面。
[0071]实施例3:
[0072]本实施例3针对利用H2S04+H202溶液对硅片进行处理的情况，参见图5:
[0073]步骤501:利用氢氟酸清洗娃片。
[0074]本步骤中，利用氢氟酸对硅片表面进行清洁，以去除硅片表面的二氧化硅氧化层和其他杂质。
[0075]步骤502:利用去离子水超声清洗得到清洁的硅片表面。
[0076]本步骤中，将氢氟酸清洗过的硅片置于去离子水中进行超声清洗，并利用高纯氮气进行甩干或吹干，以得到清洁的硅片表面。
[0077]步骤503:利用H2S04+H202溶液清洗氧化硅片表面。
[0078]本步骤中，利用比例为3:1?4:1 WH2S04+H202溶液，在温度120°C?150°C下清洗氧化硅片表面5?10分钟，以得到一层Inm左右厚度的二氧化硅氧化层，隔绝硅铝互溶现象。
[0079]步骤304:对氧化后的硅片进行超声清洗。
[0080]本步骤中，同样需要将氧化后的硅片置于去离子水中进行超声清洗，并利用高纯氮气进行甩干或吹干，以得到最终生长金属铝所需的硅片界面。
[0081 ] 另外，需要说明的是，上述基于图3至图5的所有流程描述是本发明硅铝生长界面的处理方法的几种优选的实现过程，在本发明硅铝生长界面的处理方法的实际实现中，可以根据需要在图1所示流程的基础上进行任意变形，可以是选择图3至图5中的任意步骤来实现，各步骤的先后顺序也可以根据需要调整等。
[0082]本发明的一个实施例还提出了一种用于生长铝的硅片，如图6所示，包括:清洁的硅片衬底601和0.5nm?2nm厚度均匀的二氧化硅氧化层602，其中，二氧化硅氧化层602覆盖在清洁的硅片衬底601上。
[0083]在本发明的一个实施例中，为了使二氧化硅膜既能够隔离硅铝互溶作用，又不影响硅铝之间的接触和导电效果，优选地，二氧化硅氧化层602可以为Inm厚度均匀的二氧化硅氧化层。
[0084]可见，本发明实施例具有如下有益效果:
[0085]在本发明实施例提出的一种硅铝生长界面的处理方法和一种用于生长铝的硅片中，并不是直接将清洁的硅表面裸露出来，而是在上面再均匀地覆盖一层很薄的二氧化硅氧化层，这样能够有效隔绝后续生长铝的过程中产生的硅铝互溶现象，解决了现有技术中硅铝界面外观异常的技术问题。
[0086]最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
【主权项】
1.一种硅铝生长界面的处理方法，其特征在于，包括: 利用氢氟酸清洗硅片； 利用去离子水超声清洗得到清洁的硅片表面； 氧化所述清洁的硅片表面，生成一层0.5nm?2nm厚度均匀的二氧化硅氧化层。
2.根据权利要求1所述的硅铝生长界面的处理方法，其特征在于，所述氧化所述清洁的娃片表面包括: 利用nh4oh+h2o2+h2o溶液清洗氧化硅片表面。
3.根据权利要求2所述的硅铝生长界面的处理方法，其特征在于，所述利用nh4oh+h2o2+h2o溶液清洗氧化硅片表面包括: 利用比例为1:2:10的ΝΗ40Η+Η202+Η20溶液，在温度45°C?90°C下清洗氧化硅片表面5?10分钟。
4.根据权利要求1所述的硅铝生长界面的处理方法，其特征在于，所述氧化所述清洁的娃片表面包括: 利用hcl+h2o2+h2o溶液清洗氧化硅片表面。
5.根据权利要求4所述的硅铝生长界面的处理方法，其特征在于，所述利用hcl+h2o2+h2o溶液清洗氧化硅片表面包括: 利用比例为1:2:10的HCL+H202+H20溶液，在温度45°C?90°C下清洗氧化硅片表面5?10分钟。
6.根据权利要求1所述的硅铝生长界面的处理方法，其特征在于，所述氧化所述清洁的娃片表面包括: 利用h2so4+h2o2溶液清洗氧化硅片表面。
7.根据权利要求6所述的硅铝生长界面的处理方法，其特征在于，所述利用H2S04+H202溶液清洗氧化硅片表面包括: 利用比例为3:1?4:1的H2S04+H202溶液，在温度120°C?150°C下清洗氧化硅片表面5?10分钟。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的硅铝生长界面的处理方法，其特征在于，所述生成一层0.5nm?2nm厚度均匀的二氧化硅氧化层包括:生成一层Inm厚度均匀的二氧化硅氧化层。
9.一种用于生长铝的硅片，其特征在于，包括:清洁的硅片衬底，和0.5nm?2nm厚度均匀的二氧化硅氧化层；所述二氧化硅氧化层覆盖在所述清洁的硅片衬底上。
10.根据权利要求9所述的用于生长铝的硅片，其特征在于，所述0.5nm?2nm厚度均匀的二氧化硅氧化层为: Inm厚度均匀的二氧化硅氧化层。
【专利摘要】本发明提供一种硅铝生长界面的处理方法和一种用于生长铝的硅片，包括：利用氢氟酸清洗硅片；利用去离子水超声清洗得到清洁的硅片表面；氧化所述清洁的硅片表面，生成一层0.5nm～2nm厚度均匀的二氧化硅氧化层。本发明提出的一种硅铝生长界面的处理方法和一种用于生长铝的硅片中，并不是直接将清洁的硅表面裸露出来，而是在上面再均匀地覆盖一层很薄的二氧化硅氧化层，这样能够有效隔绝后续生长铝的过程中产生的硅铝互溶现象，解决了现有技术中硅铝界面外观异常的技术问题。
【IPC分类】H01L21-3205
【公开号】CN104779155
【申请号】CN201410016410
【发明人】陈兆同, 马万里, 赵文魁
【申请人】北大方正集团有限公司, 深圳方正微电子有限公司
【公开日】2015年7月15日
【申请日】2014年1月14日