一种外置式栅控冷阴极阵列电子枪的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种场致发射外置式栅控冷阴极阵列电子枪，属于真空电子技术领域，用于真空电子辐射源器件或产生大电流的器件中。
【背景技术】
[0002]场致电子发射是与热电子发射在性质上完全不同的一种电子发射形式。热电子发射是靠升高物体的温度，给与物体内部的电子以附加的能量，使一些高能电子能够越过物体表面上的势皇而逸出，热电子发射所能提供的电流密度最高不过几百A/ cm2，而且还有一段时间的迟滞；但即使把金属加热到发生显著蒸发的高温，能够逸出的电子数也只占金属中自由电子总数的极小部分，提供给阴极的热能绝大部分以热辐射的形式消耗掉了，这种热的耗散还给使用热阴极的电子器件以及整个仪器设备都带来不少麻烦。场致电子发射的原理不同，它并不需要供给固体内的电子以额外的能量，而是靠很强的外部电场来压抑物体表面的势皇，使势皇的高度降低并使势皇的宽度变窄。由此，物体内的大量电子就能穿透过表面势皇而逸出，场致发射阴极可以提供17A/cm 2以上的电流密度，没有发射的时间迟滞。所以，冷阴极由于电子发射效率高，可控性强，响应快和能够实现大面积电子发射等优点，在真空微电子器件上有重要应用前景。
[0003]在公开号为CN 102709133 A的专利文件中公开了《一种具有嵌入式电极的冷阴极电子源阵列及其制作方法和应用》，该冷阴极在其衬底上刻蚀出具有阴极电极条图案的刻蚀槽；接着在刻蚀槽上制作阴极电极条；然后在阴极电极条上沉积绝缘层薄膜；然后在绝缘层薄膜上制作与阴极电极条垂直的栅极电极条；接着对绝缘层薄膜进行刻蚀；露出阴极电极条；然后在特定局域制作生长源薄膜；最后对基板进行氧化，即得到以纳米线作为阴极材料的具有嵌入式电极结构的电子源阵列。该专利技术的制作过程十分复杂，同时，还涉及到等离子体刻蚀、化学气相沉积、磁控溅射、电子束蒸发等多种加工工艺；由于该嵌入式电极的冷阴极电子源阵列在微米量级，尺寸非常小，电子源阵列在这种复杂的工艺下，势必会造成冷阴极发射单元以及栅极的一致性较差，良品率低，其单一发射单元出现问题，则会导致周围多个乃至整体的冷阴极发射单元无法产生电流或发射电流不均匀。另一方面，栅极在制作中也极易造成不均匀和混入杂质，以导致电子打到柵网上造成局部的发射电流过大，局部发热，使得器件极易损坏，影响冷阴极电子源阵列的使用寿命。
[0004]进一步的，因上述专利技术制作的是一种嵌入式电极的冷阴极电子源阵列，为了避免栅极与冷阴极短路，故在栅极与冷阴极之间加入了特定的绝缘介质。然而，正是由于加入了特定的绝缘介质，其介质较薄，在微米量级，使其在制作工艺中中易混入金属肩或杂质，从而导致介质表面存在电流，造成打火现象，损毁器件，影响器件的工作。同时，由于场致发射与表面电场强度有关，理论上电场强度越高越好，因此，对器件的耐压强度有极高的要求，但其结构中介质的引入，反而极大地降低了器件的耐压性，而无法产生大的电流。
[0005]因此，这种具有嵌入式电极的冷阴极电子源阵列不适用于电真空辐射源器件或需要大电流的器件中。
【发明内容】
[0006]本发明的目的在于克服上述缺陷，提供一种结构简单，使用寿命长，性能优良的外置式栅控冷阴极阵列电子枪。
[0007]为了实现上述目的，本发明采用的技术方案如下:
一种外置式栅控冷阴极阵列电子枪，包括阴极底座，固定于所述阴极底座上的阴极衬底，设置于所述阴极衬底上端面且具有槽的冷阴极发射单元阵列，以及上端部为开口、下端部与所述阴极底座连接并密封的电子枪外壳；所述电子枪外壳内部为真空；其中，电子枪外壳上端部开放式设计便于可以接入到注波互作用腔或其他器件上得到更广泛应用；采用真空环境代替传统的绝缘介质，极大地提高了器件的耐压特性，从而使场致发射的性能更好，效率更高；阴极衬底为柱形不锈钢；阴极底座由无氧铜或不锈钢材料加工而成，其结构并不作特别限定；
进一步的，所述电子枪外壳由下套筒和上套筒组成，在所述下套筒和上套筒之间设置有中部有通孔的栅极固定下底座，在所述栅极固定下底座上安装有外置式栅极，在所述外置式栅极上设置有栅极固定上底座。本发明中包括有两种调节阴栅距离的方法:1、通过制作不同高度的衬底来调整冷阴极表面与栅极之间的距离；2、调节外置式栅极与阴极衬底之间的距离。
[0008]其中，下套筒和上套筒根据所需栅极与冷阴极发射单元阵列的距离，二者的高度可调，当上述距离较大，则下套筒较高，反之，下套筒较低；外置式栅极通过均由无氧铜或不锈钢材料加工而成的栅极固定上底座和栅极固定下底座固定，基于外置式栅极的设置，通过前期的模拟仿真的结果，可以任意将不同形状的阴极发射单元与对应电子输出孔形状的栅极以及两者之间的距离进行匹配，从而提高了器件在工作中的稳定性，也提高了工作效率。栅极固定上底座可以作为调制阳极，起到将发射出来的电子注进行聚焦，因此根据不同的阴栅结构发射出的电子注，可以将其制作成不同的形状以及结构，以达到很好的聚焦效果。进一步的，在电子枪中加入特定的磁场，可以使电子注汇聚效果更优，当只有栅极固定上底座(即调制阳极)的时候，电子注汇聚能压缩到几倍，但加入特定磁场后，则可以压缩到十几倍至几十倍。
[0009]进一步的，所述冷阴极发射单元阵列为圆柱形或多边形，其高度为0.
[0010]进一步的，所述冷阴极发射单元阵列通过LIGA或线切割工艺切割出。通过上述设置，可以得到所需要的各种形状的冷阴极发射单元，且具有良好的规模性和一致性。
[0011]进一步的，在所述冷阴极发射单元阵列上设置有纳米材料的冷阴极材料。对冷阴极发射单元阵列进行热氧化，即可以得到纳米材料作为冷阴极材料的阴极发射单元阵列。
[0012]进一步的，所述阴极衬底的刻槽处到外置式栅极的距离大于冷阴极发射单元阵列表面到外置式栅极的距离。由于该阴极阵列刻槽处到栅极的距离大于电子源阵列到栅极的距离，因此栅极在刻槽处的产生的场强不足以使其发射出电子，因此不需要填充绝缘介质，此即为采用真空环境代替绝缘介质的实现基础。在真空中的击穿场强可以达到1.3108V/m，远大于传统介质的耐压性。
[0013]进一步的，所述外置式栅极呈圆形并在中部设置有若干网孔，所有网孔构成圆形，在所述外置式栅极的外边缘处开设有多个安装孔；所述网孔为电子输出孔，其形状为圆孔或多边形孔。
[0014]进一步的，所述冷阴极发射单元阵列中每个发射单元的中央与所述外置式栅极中每个电子输出孔的中央一一对应。进一步的，所述外置式栅极电子输出孔通过激光刻蚀工艺刻蚀出。通过上述设置，栅极片上阵列式电子输出孔的大小及间距可调，增大了对应不同形状的冷阴极发射单元所发射出电子的通过率，具体的说，使电子对栅极的通过率理论上(仿真当中)可以达到100%。
[0015]进一步的，所述阴极底座上设置有凸起部，所述阴极衬底底部设置与所述凸起部匹配的凹陷部，所述阴极衬底通过凸起部与凹陷部的配合固定在所述阴极底座上。通过上述设置，可以制备不同高度的栅极固定下底座来调整栅极与冷阴极表面之间的距离。阴极底座与阴极衬底之间的连接固定方式还可以选择其他常见的固定方式，如螺丝固定、卡接、扣接等。
[0016]与现有技术相比，本发明具有以下有益效果:
(I)本发明具有制作上工艺简单，精度高，一致性好等优点，提高了部件在加工中的良品率。
[0017](2)本发明中栅极是独立外置式的，通过前期的模拟仿真的结果，可以任意将不同形状的阴极发射单元与对应输出孔形状的栅极以及两者之间的距离进行匹配，从而提高了器件在工作中的稳定性，增大电子通过率，在仿真实验中，可达到100%的通过率。
[0018](3)本发明中由于在阴极与栅极之间将一般的介质填充用真空替代，由此提高了器件的耐压特性，从而使场致发射的性能更好，效率更高。
[0019](4)本发明中在电子枪内加入特定的磁场，由此进一步提高了电子汇聚效果，较之只有栅极固定上底座(即调制阳极)的时候，电子注汇聚能压缩到几倍，加入特定磁场后，则可以压缩到十几倍至几十倍。
【附图说明】
[0020]图1为本发明的结