中所记载的，虚设凸块421与接触部422连接的位置可以灵活地修改。这样的灵活性可以与在其它实施例中记载的其它灵活性组合。
[0081](第三实施例)
图9A图示了根据第三实施例的半导体器件4中的虚设凸块421、有源凸块411和431以及电源顶部金属互连53的布置的一个示例，并且图9B是图示了在图9A中图示的截面E-E上的半导体器件4的截面结构的截面视图。本实施例中的半导体器件4的总体结构与在图6A中图示的第一实施例的半导体器件4的总体结构类似。
[0082]通过如下那样修改根据图7A和7B中图示的第一实施例的结构来获得根据图9A和9B中图示的本实施例的结构:接触部62和顶部金属互连63附加地与每一个虚设凸块421连接，以用于加强与每一个虚设凸块421的连接。
[0083]每一个顶部金属互连63在对应的虚设凸块421的中间部分正下方的位置处被设置在半导体器件4的主结构46的顶表面46b上，以使得每一个顶部金属互连63不干扰电源顶部金属互连53。每一个接触部62连接在相应一个虚设凸块421与相应一个顶部金属互连63之间。
[0084]在本实施例中，每一个虚设凸块421的中间部分利用接触部62和顶部金属互连63而被固定于主结构46的顶表面46b。该附加结构有效地抑制了具有比有源凸块411和431的长度更长的长度的虚设凸块421的结构缺陷，包括在与主结构46的连接部分处的变形、虚设凸块421的破损以及虚设凸块421的剥落。
[0085]应当指出的是，如在图9A和9B中所示，本实施例中的半导体器件4的其它元件类似于第一实施例中的图7A和7B中所示的对应元件进行构造。
[0086](第四实施例)
图1OA图示了根据第四实施例的半导体器件4中的虚设凸块421、有源凸块411和431以及电源顶部金属互连53的布置的一个示例，并且图1OB是图示了在图1OA中图示的截面F-F上的半导体器件4的截面结构的截面视图。本实施例中的半导体器件4的总体结构类似于在图6A中图示的第一实施例的半导体器件4的总体结构。
[0087]通过如下那样修改根据图7A和7B中图示的第一实施例的结构来获得根据图1OA和1B中图示的本实施例的结构:接触部72和顶部金属互连73附加地与每一个虚设凸块421连接，以用于加强与每一个虚设凸块421的连接。
[0088]每一个顶部金属互连73在相对于与接触部422连接的端部分的对应虚设凸块421的端部分正下方的位置处被设置在半导体器件4的主结构46的顶表面46b上，以使得每一个顶部金属互连73不干扰电源顶部金属互连53。每一个接触部72连接在相应一个虚设凸块421与相应一个顶部金属互连73之间。
[0089]同样在本实施例中，如关于第三实施例的情形那样，每一个虚设凸块421的端部分利用接触部72和顶部金属互连73而被固定于主结构46的顶表面46b。该附加结构有效地抑制了具有比有源凸块411和431的长度更长的长度的虚设凸块421的结构缺陷，包括在与主结构46的连接部分处的变形、虚设凸块421的破损以及虚设凸块421的剥落。
[0090]应当指出的是，如在图1OA和1B中所示，本实施例中的半导体器件4的其它元件类似于第一实施例中的图7A和7B中所示的对应元件进行构造。
[0091]尽管在上文具体描述了本发明的各个实施例，但是本发明不应解释为限于上述实施例。本领域技术人员将了解到，可以在不脱离本发明的范围的情况下利用各种修改来实现本实施例。
[0092]只要不发生技术矛盾，则在上述实施例中记载的相应特征可以进行各种组合。应当特别指出的是，可以同时使用第三和第四实施例中记载的顶部金属互连63和73以及接触部62和72，并且可以设置进一步附加的顶部金属互连和接触部，以用于加强与凸块的连接。只要不发生与有源凸块411、431和电源顶部金属互连53的干扰，则可以灵活地组合用于加强与凸块的连接的顶部金属互连和接触部的添加、虚设凸块的长度的修改、以及将虚设凸块与保护元件连接的接触部的位置的修改。
【主权项】
1.一种半导体器件，包括: 主结构，包括半导体衬底； 多个有源凸块，被提供在主结构的表面之上；以及 多个虚设凸块，被提供在主结构的表面之上， 其中有源凸块布置在第一到第η行中，其中η为等于二或更大的自然数， 其中定位在第一到第η行的每一个中的有源凸块以第一间距在包括于主结构的表面中的第一方向上排列， 其中有源凸块的第一到第η行以升序在包括于主结构的表面中并且垂直于第一方向的第二方向上排列， 其中，对于作为从I到η-1的任何一个整数的j而言，有源凸块的第(j+1)行在第二方向上以第二间距从有源凸块的第j行偏移并且在第一方向上以预定的子间距从有源凸块的第j行偏移， 其中虚设凸块以第一间距在第一方向上排列，并且 其中每一个虚设凸块在第二方向上的长度长于第二间距。2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括: 多个有源凸块接触部，经由其有源凸块分别与主结构的表面连接；以及 多个虚设凸块接触部，经由其虚设凸块分别与主结构的表面连接， 其中有源凸块接触部布置在第一到第η行中， 其中有源凸块接触部的第一到第η行以升序在第二方向上排列， 其中定位在第一到第η行的每一个中的有源凸块接触部在第一方向上以第一间距排列， 其中对于作为从I到η-1的任何一个整数的j而言，有源凸块接触部的第(j+1)行在第二方向上以第二间距从有源凸块接触部的第j行偏移并且在第一方向上以子间距从有源凸块接触部的第j行偏移，并且 其中虚设凸块接触部以第一间距在第一方向上排列。3.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括: 多个有源凸块保护元件，分别为有源凸块提供电保护； 多个第一顶部金属互连，分别提供经由有源凸块接触部的有源凸块保护元件与有源凸块之间的电连接； 多个虚设凸块保护元件，分别为虚设凸块提供电保护；以及 多个第二顶部金属互连，分别提供经由虚设凸块接触部的虚设凸块保护元件与虚设凸块之间的电连接， 其中顶部金属互连形成在主结构的表面上，以通过从虚设凸块中选择的相邻两个虚设凸块之间的区域。4.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括: 多个有源凸块保护元件，分别为有源凸块提供电保护； 多个第一顶部金属互连，分别提供经由有源凸块接触部的有源凸块保护元件与有源凸块之间的电连接； 多个虚设凸块保护元件，分别为虚设凸块提供电保护； 多个第二顶部金属互连，分别提供经由虚设凸块接触部的虚设凸块保护元件与虚设凸块之间的电连接；以及 第三顶部金属互连，形成在主结构的表面上并且与第一和第二顶部金属互连电分离， 其中第三顶部金属互连与虚设凸块的相邻两个相交。5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中虚设凸块接触部分别在虚设凸块的第二方向上的端部分处与虚设凸块连接。6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中虚设凸块接触部分别在虚设凸块的第二方向上的中间部分处与虚设凸块连接。7.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括: 多个虚设凸块加强接触部，与相应的虚设凸块的第二方向上的中间部分连接；以及 多个第四顶部金属互连，形成在主结构的表面上并且分别与虚设凸块加强接触部连接。8.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括: 多个虚设凸块加强接触部，与相应的虚设凸块的第二方向上的其它端部分连接；以及 多个第四顶部金属互连，形成在主结构的表面上并且分别与虚设凸块加强接触部连接。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中虚设凸块在第二方向上的长度为有源凸块在第二方向上的长度的1.5倍或更多倍。10.根据权利要求2所述的半导体器件，其中虚设凸块接触部在第一方向上与定位在第一行中的有源凸块接触部对齐，并且 其中虚设凸块的第二方向上的相应端与定位在第η行中的有源凸块的第二方向上的相应端对齐。11.根据权利要求2所述的半导体器件，其中虚设凸块接触部沿着半导体器件的一个边排列。
【专利摘要】本发明涉及具有外部连接凸块的半导体器件。一种半导体器件包括主结构、以及被提供在主结构的表面之上的有源凸块和虚设凸块。有源凸块布置在第一到第n行中。定位在每一行中的有源凸块在第一方向上以预定的第一间距排列。有源凸块的第一到第n行在垂直于第一方向的第二方向上排列。对于作为从1到n-1的任何一个整数的j而言，第（j+1）行在第二方向上以第二间距从有源凸块的第j行偏移，并且在第一方向上以预定的子间距从有源凸块的第j行偏移。虚设凸块在第一方向上以第一间距排列，并且每一个虚设凸块在第二方向上的长度长于第二间距。
【IPC分类】H01L23/482
【公开号】CN104952821
【申请号】CN201510146619
【发明人】铃木进也, 幕田喜一
【申请人】辛纳普蒂克斯显像装置合同会社
【公开日】2015年9月30日
【申请日】2015年3月31日
【公告号】US20150279800