>[0098]多个槽部23在第二方向上延伸。如图10所示，多个槽部23以与相邻的两个能量线感应区域131之间的区域相对的方式而配置。多个槽部23以与过剩电荷排出区域12或像素分离部14相对的方式而配置。在本实施方式中，多个槽部23在相对于像素排列的像素列平行的方向即第二方向上延伸。因此，在第一方向上，可以获得通过多个槽部23来缓和应力的效果。
[0099]此外，槽部23配置在与过剩电荷排出区域12或像素分离部14相对的位置。与能量线感应区域131相对的保护膜21的厚度是第I厚度。与过剩电荷排出区域12或像素分离部14相对的保护膜21的厚度是第2厚度。因此，能够通过保护膜21来谋求暗电流的降低和在物理性上的保护，并且能够通过多个槽部23进一步来缓和在保护膜21产生的应力。
[0100]以上，根据第3实施方式，能够通过保护膜21谋求暗电流的降低和在物理性上的保护，并且能够通过槽部23来缓和在保护膜21产生的应力。
[0101](第4实施方式)
[0102]参照图11，就第4实施方式所涉及的背面入射型能量线检测元件进行说明。第4实施方式所涉及的背面入射型能量线检测元件I除了保护膜21以外与第I实施方式所涉及的背面入射型能量线检测元件I同样。以下，省略与第I实施方式重复的说明，以不同点为中心进行说明。
[0103]图11是表示第4实施方式所涉及的背面入射型能量线检测元件I的保护膜21的部分放大图。
[0104]在第4实施方式中，如图11所示，保护膜21以在传输电荷的第二方向和第一方向上成为对称的方式具有槽部23。
[0105]如图11所示，保护膜21具有在第一方向和第二方向上延伸的多个槽部23。在本实施方式中，保护膜21具有格子状的槽部23。多个槽部23在相对于像素排列的像素列而平行的方向以及相对于像素排列的像素行而平行的方向上延伸。S卩，多个槽部23以格子状延伸。
[0106]因此，通过多个槽部23，从而在槽部23延伸的两个方向上获得高的应力缓和效果。因此，通过保护膜21具有多个槽部23，从而更进一步简单且切实地缓和保护膜21的应力。
[0107]以上，根据第4实施方式，背面入射型能量线检测元件I能够通过保护膜21来谋求暗电流的降低和在物理性上的保护，并且能够通过槽部23而在槽部23延伸的两个方向上缓和在保护膜21产生的应力。
[0108](第5实施方式)
[0109]参照图12，就第5实施方式所涉及的背面入射型能量线检测元件进行说明。第5实施方式所涉及的背面入射型能量线检测元件I除了保护膜21以外与第I实施方式所涉及的背面入射型能量线检测元件同样。以下，省略与第I实施方式重复的说明，以不同点为中心进行说明。
[0110]图12是表示第5实施方式所涉及的背面入射型能量线检测元件的保护膜21的部分放大图。
[0111]在第5实施方式中，如图12所示，保护膜21具有二维排列的多个凹部24。保护膜21具有排列在第一方向和第二方向上的凹部24。保护膜21在传输电荷的第二方向和第一方向上以大致相等的间隔具有凹部24。
[0112]保护膜21具有凹向厚度方向的凹部24。保护膜21在相对于保护膜21的厚度方向大致垂直的方向上具有底面24a。保护膜21在相对于保护膜21的厚度方向而大致平行的方向具有内侧面24b。通过底面24a和内侧面24b而在保护膜21内形成凹部24。在本实施方式中，令第二主面Ilb与底面24a的厚度为第2厚度。第I厚度比第2厚度厚。
[0113]相对于保护膜21的厚度方向而正交的方向的保护膜21的截面为由四个内侧面24b构成的矩形形状。不限于矩形形状，例如也可以呈多边形形状、椭圆形形状、或圆形形状。
[0114]凹部24也可以相对于能量线感应区域131的各像素而底面24a的面积大致相等。在这种情况下，相对于各像素的暗电流的降低效果变得大致相等。
[0115]因此，通过多个凹部24，从而在配置有凹部24的各个方向上获得高的应力缓和效果O
[0116]以上，根据第5实施方式，能够通过保护膜21来谋求暗电流的降低和在物理性上的保护，并且能够通过保护膜21具有多个凹部24，从而更进一步简单地且切实地缓和保护膜21的应力。
[0117](第6实施方式)
[0118]参照图13，就第6实施方式所涉及的背面入射型能量线检测元件进行说明。第6实施方式所涉及的背面入射型能量线检测元件I除了保护膜21以外与第I实施方式所涉及的背面入射型能量线检测元件同样。以下，省略与第I实施方式重复的说明，以不同点为中心进行说明。
[0119]图13是表示第6实施方式所涉及的背面入射型能量线检测元件I的保护膜21的部分放大图。
[0120]如图13所示，保护膜21具有二维排列的多个凹部24。在本实施方式中，具有排列在第一方向和第二方向上的凹部24，保护膜21的至少一部分的与第二主面Ilb平行的截面的截面形状呈大致圆形形状。该截面形状也可以为大致椭圆形形状。在该截面形状为大致圆形形状的情况下，与该截面形状为多边形形状的情况相比，可以更加避免应力的集中。因此，在配置有凹部24的各个方向上，获得高的应力缓和效果。
[0121]以上，根据第6实施方式，能够通过保护膜21来谋求暗电流的降低和在物理性上的保护，并且能够通过保护膜21具有凹部24，从而更进一步简单地且切实地缓和保护膜21的应力。与相对于保护膜21平行的截面的凹部24的截面形状为多边形形状的情形相比，能够更加缓和应力。
[0122](第7实施方式)
[0123]参照图14，就第7实施方式所涉及的背面入射型能量线检测元件进行说明。第7实施方式所涉及的背面入射型能量线检测元件I除了保护膜21以外与第I实施方式所涉及的背面入射型能量线检测元件I同样。以下，省略与第I实施方式重复的说明，以不同点为中心进行说明。
[0124]图14是表示第7实施方式所涉及的背面入射型能量线检测元件I的保护膜21的部分放大图。
[0125]如图14所示，保护膜21具有二维排列的多个凹部24。保护膜21在与电荷产生区域13的像素相对的位置具有凹部24。保护膜21以棋盘格状等二维排列地具有多个凹部
24。在本实施方式中，凹部24的底面24a即与第二主面Ilb平行的截面的截面形状呈圆形形状。上述截面形状或底面24a的形状也可以呈椭圆形形状。在该截面形状为大致圆形形状的情况下，与该截面形状为多边形形状的情形相比，更加避免应力的集中。因此，在配置有凹部24的各个方向上获得高的应力缓和效果。
[0126]以上，根据第7实施方式，能够通过保护膜21来谋求暗电流的降低和在物理性上的保护。通过保护膜21具有凹部24，从而更进一步简单且切实地缓和保护膜21的应力。与相对于保护膜21平行的截面的凹部24的截面形状为多边形形状的情形相比，能够更加缓和应力。
[0127](第8实施方式)
[0128]参照图15，就第8实施方式所涉及的背面入射型能量线检测元件进行说明。第8实施方式所涉及的背面入射型能量线检测元件I除了保护膜21以外与第I实施方式所涉及的背面入射型能量线检测元件I同样。以下，省略与第I实施方式重复的说明，以不同点为中心进行说明。
[0129]图15是表示第8实施方式所涉及的背面入射型能量线检测元件I的保护膜21的部分放大图。
[0130]如图15所示，保护膜21具有多个槽部23。在本实施方式中，多个槽部23位于电荷产生区域13的辅助配线121η?123η上。由于辅助配线121η?123η在与第一方向和第二方向交叉的方向上延伸，因此多个槽部23在与第一方向和第二方向交叉的方向上延伸。因此，能够在第一方向和第二方向上缓和在保护膜21产生的应力。此外，多个槽部并排在传输电荷的方向即第二方向上，因此多个能量线感应区域间的暗电流的降低效果的不均得以抑制。
[0131]配置有辅助配线121η?123η的区域通过配线而容易封闭氢。封闭在配置有辅助配线121η?123η的区域的氢有助于暗电流的降低。因此，与相邻的两个配线之间的区域相比，难以产生暗电流。因此，能够在不妨碍暗电流的降低效果的情况下缓和在保护膜21产生的应力。
[0132]以上，根据第8实施方式，背面入射型能量线检测元件I能够通过保护膜21来谋求暗电流的降低和在物理性上的保护。能够通过保护膜21具有多个槽部23，从而更进一步简单且切实地缓和保护膜21的应力。
[0133](第9实施方式)
[0134]参照图16，就第9实施方式所涉及的背面入射型能量线检测元件进行说明。第9实施方式所涉及的背面入射型能量线检测元件I除了保护膜21以外与第I实施方式所涉及的背面入射型能量线检测元同样。以下，省略与第I实施方式重复的说明，以不同点为