与控制线路50(67)相连接。
[0151]在供电直流电压源45或79的在图1和图3中所示的极性下，以及在相反的极性下，当温控开关10、63、64断开时所产生的电弧使得:首先接通两个MOSFET 94和101中的一个。于是，这使得:有电流流动通过接通的MOSFET 94、101以及通过另外那个MOSFET 101或94，具体而言是流经其衬底电极，电流与漏-源电流方向相反地通流。这又使得电弧熄灭，并且因而又使之前接通的MOSFET 94或101断开。
[0152]在应用根据图6的电路时，温度保护电路42、61以反极性接法受到保护，而在应用根据图5的电路时，必须注意温度保护电路42、61在具有设备46、78和供电直流电压45、79的开关电路中正确的极性。
[0153]在图7中以如图2中情形的图示示出另一温控开关112，该温控开关112能够用于图1中的温度保护电路42中。开关112如开关10那样包括上部件15，两个固定不动的接触部31、32在内部布置在上部件上，这两个固定不动的接触部与两个外接线端35、36相连接。
[0154]温控的接通机构11包括双金属翻转片113，在双金属翻转片的上侧面114上构造有两个对接接触部27、28，对接接触部在最简单的情况下由上侧面114本身形成，这是因为双金属翻转片113本身能导电。双金属翻转片113在这里作为弹性件附加地承担接触盘片24的任务，也就是同时用作电流传输件。
[0155]双金属翻转片113在中央借助导电的柱塞115固定在导电的承载电极117的内端部116上，承载电极的靠外的端部118与图1中的控制线路相连接。下部件14在该实施例中恰与上部件15 —样由绝缘材料制造。
[0156]相反，当下部件14导电时，则柱塞116能够直接在下方固定在下部件14的内底部上，从而下部件14由能够用于与控制输入端49持续的电连接。
[0157]当双金属翻转片113加热至超出其响应温度时，则双金属翻转片的边缘119在图7中朝下运动，这通过箭头120示出。在这种运动时，对接接触部27、28从固定不动的接触部31、32上移动离开，从而产生电弧，而电弧按照上面介绍的方式快速地借助半导体开关41来熄灭。
【主权项】
1.一种温度保护电路，具有两个用于需要受到保护防止过热的设备(46 ;78)的电连接接线端(39，40 ;59，60)以及至少一个温控开关(10 ;63，64 ; 112)，其特征在于，所述温度保护电路包括至少一个针对直流电压的电子半导体开关(41 ;62 ;94 ；101)。2.根据权利要求1所述的温度保护电路，其特征在于，温控开关(10;112)包括:温控的接通机构(11);两个固定不动的接触部(31、32)，其与连接接线端(39，40)连接；以及两个彼此电连接的对接接触部(27，28)，所述对接接触部根据温度与所述两个固定不动的接触部(31，32)发生抵靠并且将所述两个固定不动的接触部相互电连接。3.根据权利要求2所述的温度保护电路，其特征在于，半导体开关(41;62 ;94 ;101)包括两个电流接线端(47，48 ;69，70 ;96，97 ; 103，104)以及一个控制输入端(49 ；68 ；95 ；102)，其中，两个电流接线端(47,48 ;69，70 ;96，97 ;103，104)中的每一个都与连接接线端(39，40 ;59，60)中的一个连接，控制输入端(49 ；68 ；95 ；102)优选经由串联电阻(71 ；98 ；105)至少在温控开关(10)闭合的情况下经由接通机构(11)与对接接触部(27、28)电连接。4.根据权利要求3所述的温度保护电路，其特征在于，设置有两个半导体开关(94;101)，所述两个半导体开关的控制输入端(95 ；102)优选分别借助一个串联电阻(98 ;105)至少在温控开关(10)闭合的情况下借助接通机构(11)与对接接触部(27、28)电连接，其中，每个半导体开关(95 ；101)具有第一电流接线端(96 ；103)和第二电流接线端(97 ;104)，其中一个半导体开关(94)的第一电流接线端(96)与另外那个半导体开关(101)的第一电流接线端(103)相连接，所述其中一个半导体开关的第二电流接线端(97)以及所述另外那个半导体开关(101)的第二电流接线端(104)与连接接线端(39，40 ;59，60)中的一个连接。5.根据权利要求1至4中任一项所述的温度保护电路，其特征在于，所述或每个半导体开关(41)包括:晶体管(62)，优选为双极晶体管；场效应晶体管(FET)或者金氧半场效应晶体管(MOS-FET)。6.根据权利要求2至5中任一项所述的温度保护电路，其特征在于，接通机构(11)具有电流传输件(24 ;113)，两个相互电连接的对接接触部(27、28)布置在电流传输件上。7.根据权利要求6所述的温度保护电路，其特征在于，温控的接通机构(11)包括弹性件(21、22)，弹性件承载电流传输件(24)并且与电流传输件导电连接以及至少在温控开关(10)闭合的情况下与控制输入端(49)电连接。8.根据权利要求7所述的温度保护电路，其特征在于，开关(10)具有接纳接通机构(11)的壳体(12)，壳体具有下部件(14)以及上部件(15)，在上部件的内侧(29)上布置有固定不动的接触部(31、32)。9.根据权利要求7所述的温度保护电路，其特征在于，弹性件(21、22)是双金属翻转片(22)，双金属翻转片至少在温控开关(10)闭合的情况下支撑在下部件(14)上。10.根据权利要求7所述的温度保护电路，其特征在于，弹性件(21、22)是弹性翻转片(21)，弹性翻转片至少在温控开关(10)闭合的情况下支撑在下部件(14)上，其中，设置有双金属翻转片(22)，双金属翻转片将电流传输件(24)在高于电流传输件的切换温度的情况下从固定不动的接触部(31、32)上抬离。11.根据权利要求9或10所述的温度保护电路，其特征在于，下部件(14)是导电的。12.根据权利要求11所述的温度保护电路，其特征在于，弹性件(21、22)持续地与下部件(14)电连接。13.根据权利要求2至12中任一项所述的温度保护电路，其特征在于，在固定不动的接触部(31、32)之间连接有自保持电阻(37)。14.根据权利要求2至13中任一项所述的温度保护电路，其特征在于，在固定不动的接触部(31、32)中的一个(31)与所对应的连接接线端(39)之间连接有加热电阻(56)。15.根据权利要求6至14中任一项所述的温度保护电路，其特征在于，电流传输件(24)是能够导电的接触盘片(24)，在接触盘片上布置有所述两个对接接触部(27、28)，所述两个对接接触部借助接触盘片(24)相互导电连接，其中，接触盘片(24)与接通机构(11)导电连接。16.根据权利要求6所述的温度保护电路，其特征在于，电流传输件(24、113)是能够导电的弹性件(113)，在弹性件上设置有所述两个对接接触部(27、28)，所述两个对接接触部借助弹性件(113)相互电连接。17.根据权利要求16所述的温度保护电路，其特征在于，弹性件(13)是双金属翻转片(113)ο18.根据权利要求17所述的温度保护电路，其特征在于，弹性件(113)持续地与控制输入端(49)电连接。19.根据权利要求1、3、5中任一项或根据权利要求5所述的温度保护电路，其特征在于，设置有两个温控开关出3、64)，所述两个温控开关分别具有温控的接通机构(76、77)，温控的接通机构根据温度建立或断开两个外接线端(72，73 ;74，75)之间的电连接，其中，每个开关(63、64)的一个外接线端(72、74)分别与连接接线端(59、60)中的一个连接或者被用作连接接线端，并且每个开关(63、64)的相应的另外那个外接线端(73、75)相互连接。20.根据权利要求19所述的温度保护电路，其特征在于，半导体开关￠2)包括两个电流接线端(69、70)和一个控制输入端(68)，其中，两个电流接线端(69、70)中的每一个都与连接接线端(59、60)中的一个连接，并且控制输入端￠8)优选经由串联电阻(71)与彼此相互连接的外接线端(73、75)电连接。21.—种电气设备(46;78)，具有根据权利要求1至20中任一项所述的温度保护电路。22.根据权利要求21所述的电气设备，其特征在于，半导体阀(41;62)以能够分离的方式优选借助插头(51)与所述或每个温控开关(10 ;63 ;64)相连接。
【专利摘要】介绍了一种温度保护电路，具有两个用于需要受到保护防止过热的设备(46)的电连接接线端(39，40)以及至少一个温控开关(10；63，64；112)以及至少一个针对直流电压的电子半导体开关(41；62；94；101)。
【IPC分类】H01H37/54, H01H9/54, H02H5/04
【公开号】CN105103254
【申请号】CN201380072925
【发明人】汉斯-克里斯蒂安·里尔, 马塞尔·P·霍夫萨埃斯
【申请人】特密·格拉特步股份有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2013年12月10日
【公告号】CN103871779A, DE102012112487A1, DE202013100509U1, DE202013102091U1, EP2747110A1, EP2867910A1, US20140168844, US20150270698, WO2014095477A1