凹陷图案中的纳米银线102从玻璃凹版100剥离时，能够得到具有图案化的纳米银线膜层102的
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[0049]图2(a)?图2(e)示出现有技术中的一种形成具有预设宽度的凹陷部的玻璃凹版的分解示意图。
[0050]参照图2 (a)，首先提供一玻璃基板200，并在玻璃基板200的上方形成一钼薄膜层202。之后，在图2(b)中，利用光刻法(photolithography)对钼薄膜层202进行图案化，以露出玻璃基板的一部分。接着，在图2(c)中，对玻璃基板200经光刻之后的露出部分进行各向同性湿蚀刻(isotropic wet etching)，以形成玻璃基板200的凹陷图案204。最后，在图2(d)中，移除玻璃基板200上方的图案化钼薄膜层202，从而得到玻璃凹版。在此，玻璃凹版是指玻璃基板200具有多个间隔设置的凹陷图案。
[0051]如前文所述，参照图2 (e)，玻璃基板200因使用氢氟酸(HF)湿蚀刻制程造成了各向同性蚀刻(isotropic wet etching)，将无法做出线宽较小(诸如，3微米)的凹陷图案。即使将制程中的玻璃基板的凹陷图案宽度预设为3微米，因各向同性蚀刻等因素影响，其实际的凹陷图案宽度也会大于3微米。
[0052]为了解决现有技术中的上述问题，本申请揭露了一种新颖的、形成小线宽的图案化纳米导电材料的制造方法。图3示出依据本发明的一实施方式，用于形成小线宽的图案化的纳米导电材料的制造方法的流程框图。图4示出在图3的制造方法中，形成具有预设宽度的玻璃凹版的凸起部的示意图。图5(a)?图5(e)示出图3的制造方法的分解示意图。
[0053]参照图3、图4以及图5(a)?图5 (e)，在该制造方法中，首先执行步骤SlOl，提供一玻璃凹版，其包括间隔设置的一凹陷部和一凸起部，该凸起部具有一预设宽度W。与现有技术不同的是，在本发明的玻璃凹版的形成过程中，并未针对凹陷图案的宽度进行控制，而是将玻璃凹版的相邻凹陷部之间的凸起部的宽度对应于纳米银线的预设线宽，因而各向同性湿蚀刻并不会对凸起部的宽度造成影响，如图4所示。接着执行步骤S103，如图5(a)所示，将一纳米银线300涂布于圆筒形的高分子膜层302的表面。本领域的技术人员应当理解，本发明的导电材料除了使用纳米银线之外，还可采用其它的导电材料，诸如银浆(silver paste)、碳棒(Carbon)或石墨稀(graphene)。此外，高分子膜层302可为聚二甲基娃氧烧(Polydimethylsiloxane，PDMS)材质。
[0054]在步骤S105中，滚动高分子膜层302，以狭缝涂布(slot coating)方式将纳米银线300转移至玻璃凹版的凸起部的表面。如图5(b)所示，在玻璃凹版的凸起部的表面形成有纳米银线304。在步骤S107和S109中，填充一树脂层306于纳米银线304以及玻璃凹版的凹陷部的上方，该树脂层306与该纳米银线304之间的黏着力大于该纳米银线304与玻璃凹版的凸起部之间的黏着力。较佳地，树脂层306的凸起高度等于玻璃凹版的凹陷部的深度。
[0055]之后形成一塑胶基板308于树脂层306的上方，并利用紫外光对树脂层306进行固化，如图5(c)所示。
[0056]最后执行步骤S111，通过一离型制程，使树脂层306以及塑胶基板308与玻璃凹版相脱离，从而形成图案化的树脂层。如此一来，由于树脂层306与纳米银线304之间的黏着力大于纳米银线304与玻璃凹版的凸起部之间的黏着力，因而剥离之后的纳米银线304位于图案化的树脂层306的沟槽底部，如图5(d)和图5(e)所示。
[0057]本领域的技术人员应当理解，采用图3的制造方法还可形成包含有小线宽的图案化纳米银线的电子装置，尤其地，该电子装置包括一塑胶基板308、一树脂层306和一图案化纳米银线304。其中，树脂层306位于塑胶基板308上。树脂层306具有间隔设置的一凸起部以及一沟槽。纳米银线304位于树脂层306的沟槽底部，如图5(e)所示。
[0058]图6(a)和图6(b)分别示出采用本发明的制造方法前后，将软性电路板与图案化的树脂层贴合时的状态对比示意图。
[0059]参照图6(a)和图6(b)，数字标记400表示图案化的树脂层，402为软性电路板(Flexible Printed Circuit，FPC)，404 为异方性导电胶膜(Anisotropic ConductiveFi lm，ACF)，406为纳米银线。虽然这两幅图中的贴合方式基本类似，软性电路板402通过异方性导电胶膜404电性耦接至纳米银线406，但是，图6 (a)的纳米银线406位于树脂层400的表面之上，因而在切割基板时容易致使软性电路板402折弯；相比之下，在图6(b)中，采用本发明的制造方法形成的图案化纳米银线406位于树脂层400的凹陷沟槽，由于此时的软性电路板402的一端抵靠凹陷沟槽的内壁，因而在切割基板时并不会导致软性电路板402折弯。
[0060]采用本发明的电子装置及其制造方法，首先提供一玻璃凹版，其包括间隔设置的一凹陷部和一凸起部，该凸起部具有一预设宽度，然后将导电材料涂布于圆筒形的高分子膜层表面，滚动高分子膜层以狭缝涂布方式将导电材料转移至凸起部的表面，接着填充一树脂层于导电材料以及凹陷部的上方，然后形成一塑胶基板于树脂层的上方并利用紫外光对树脂层进行固化，最后通过一离型制程，使树脂层与玻璃凹版相脱离从而形成图案化的树脂层，且导电材料位于图案化的树脂层的沟槽底部。相比于现有技术，本发明利用玻璃凹版的湿蚀刻制程形成预设宽度的凸起部(即，相邻凹陷部之间的距离)，然后使用狭缝涂布方式将导电材料转移至凸起部的表面，再通过压印转移将导电材料转移到树脂层上，如此一来，导电材料位于树脂层的沟槽底部且树脂层的沟槽宽度与凸起部的预设宽度相同，从而可得到小线宽的图案化的纳米导电材料。
[0061]上文中，参照附图描述了本发明的【具体实施方式】。但是，本领域中的普通技术人员能够理解，在不偏离本发明的精神和范围的情况下，还可以对本发明的【具体实施方式】作各种变更和替换。这些变更和替换都落在本发明权利要求书所限定的范围内。
【主权项】
1.一种电子装置的制造方法，其特征在于，该制造方法包括以下步骤: 提供一玻璃凹版，其包括间隔设置的一凹陷部和一凸起部，所述凸起部具有一预设宽度； 将一导电材料涂布于圆筒形的高分子膜层表面； 滚动所述高分子膜层，以狭缝涂布方式将所述导电材料转移至所述凸起部的表面；填充一树脂层于所述导电材料以及所述凹陷部的上方，其中，该树脂层与该导电材料之间的黏着力大于该导电材料与该凸起部之间的黏着力； 形成一塑胶基板于所述树脂层的上方，并利用紫外光对所述树脂层进行固化；以及通过一离型制程，使所述树脂层与所述玻璃凹版相脱离，从而形成图案化的所述树脂层，且所述导电材料位于图案化的所述树脂层的沟槽底部。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述导电材料的线宽等于所述预设宽度。3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述预设宽度为3微米。4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述导电材料为银浆、纳米银线、碳棒或石墨烯。5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述树脂层的凸起高度等于所述玻璃凹版的凹陷部的深度。6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，上述提供玻璃凹版的步骤还包括: 提供一玻璃基板； 形成一钼薄膜层于所述玻璃基板的上方； 利用光刻法对所述钼薄膜层进行图案化，以露出所述玻璃基板的一部分；以及对所述玻璃基板的露出部分进行各向同性的湿蚀刻，以形成所述玻璃凹版，其中，所述凸起部的预设宽度由湿蚀刻的蚀刻时间来控制。7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述高分子膜层为聚二甲基硅氧烷材质。8.一种电子装置，其特征在于，该电子装置包括: 一塑胶基板； 一树脂层，位于所述塑胶基板上，其中该树脂层具有间隔设置的一凸起部以及一沟槽；以及 一导电材料，位于所述树脂层的沟槽底部。9.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，所述导电材料的线宽为3微米。10.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，所述导电材料为银浆、纳米银线、碳棒或石墨烯。
【专利摘要】本发明提供一种电子装置及其制造方法，该方法包括：提供一玻璃凹版，其包括凹陷部和凸起部，凸起部具有一预设宽度；将导电材料涂布于圆筒形的高分子膜层表面并转移至凸起部的表面；填充树脂层于导电材料以及凹陷部的上方；形成塑胶基板于树脂层的上方；以及使树脂层与玻璃凹版相脱离从而形成图案化的树脂层，且导电材料位于图案化的树脂层的沟槽底部。相比于现有技术，本发明利用玻璃凹版的湿蚀刻制程形成预设宽度的凸起部，然后将导电材料转移至凸起部的表面，再通过压印转移将导电材料转移到树脂层上，如此一来，导电材料位于树脂层的沟槽底部且树脂层的沟槽宽度与凸起部的预设宽度相同，从而可得到小线宽的图案化的纳米导电材料。
【IPC分类】B82Y40/00, H01B5/14, G06F3/041, H01B13/00
【公开号】CN105139963
【申请号】CN201510378067
【发明人】吴怡君, 郭胜安
【申请人】友达光电股份有限公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年7月1日