xX_/i+nX(马-车）。
[001引实施例1 (O光刻版上加工测量标尺： 图1中刻度线101至121为光刻版上的测量标尺的光刻版基准刻度线及其左右各10根 刻度线，光刻版为玻璃或石英材质，刻度线材质为不透光金属或不透光非金属，包含两个相 邻一定间距的两个线条，刻度线中屯、为透光区；光刻版基准刻度线111在垂直方向的长度 为其余刻度线的2倍；相邻两刻度线中屯、间距均为马，马小于1 |11幻，刻度线在中屯、对齐， 沿水平方向排列。
[0016] (2)晶片上加工测量标尺： 图2中刻度线201至221为晶片上的测量标尺的晶片基准刻度线及其左右各10根刻 度线，晶片为待加工的半导体晶片，刻度线形状为条形。垂直方向的尺寸为光刻版上刻度 线上两个条形间的距离的1. 5倍；晶片基准刻度线211在水平方向的宽度为其余刻度线的 1. 5倍湘邻两刻度线中屯、间距均为马，马小于马，马与马之差小于0. 1 |mi，刻度线在中 屯、对齐，沿水平方向排列。
[0017] (3)晶片偏离光刻版左侧时误差计算： 当晶片上测量标尺的基准刻度线302位于光刻版上测量标尺的基准刻度线301左侧 时，首先读取位于晶片基准刻度线与光刻版基准刻度线之间的光刻版刻度线303的数目X; 501为晶片基准刻度线左侧光刻版上的刻度线，502为晶片基准刻度线左侧晶片上的刻度 线，在视野范围内，看到晶片中有一条刻度线503刚好填充进光刻版某一条刻度线的中屯、 的透光区；此时，晶片上的该刻度线与光刻版上的该刻度线重合。读取该刻度线503为位于 晶片基准刻度线的左侧第n条刻度线。片在横向偏离光刻版的误差可W计算得出，为偏离 光刻版左侧xX马+nX(马-车）。
[001引实施例2 (O光刻版上加工测量标尺： 图1中刻度线101至121为光刻版上的测量标尺的光刻版基准刻度线及其左右各10根 刻度线，光刻版为玻璃或石英材质，刻度线材质为不透光金属或不透光非金属，包含两个相 邻一定间距的两个线条，刻度线中屯、为透光区；光刻版基准刻度线111在垂直方向的长度 为其余刻度线的2倍；相邻两刻度线中必间距均为马，马小于1 ||纖;;，刻度线在中必对齐， 沿水平方向排列。
[0019] (2)晶片上加工测量标尺： 图2中刻度线201至221为晶片上的测量标尺的晶片基准刻度线及其左右各10根刻 度线，晶片为待加工的半导体晶片，刻度线形状为条形。垂直方向的尺寸为光刻版上刻度 线上两个条形间的距离的1. 5倍；晶片基准刻度线211在水平方向的宽度为其余刻度线的 1. 5倍湘邻两刻度线中屯、间距均为如车小于马，车与马之差小于0. 1 刻度线在中 屯、对齐，沿水平方向排列。
[0020] (3)晶片偏离光刻版右侧时误差计算： 当晶片上测量标尺的基准线402位于光刻版上测量标尺的基准线401右侧时，首先读 取位于晶片基准刻度线与光刻版基准刻度线之间的光刻版刻度线403的数目X。501为晶片 基准刻度线右侧光刻版上的刻度线，502为晶片基准刻度线右侧晶片上的刻度线，在视野范 围内，看到晶片中有一条刻度线503刚好填充进光刻版某一条刻度线的中屯、的透光区。此 时，晶片上的该刻度线与光刻版上的该刻度线重合。读取该刻度线503为位于晶片基准刻 度线的右侧第n条刻度线。片在横向偏离光刻版的误差可W计算得出，为偏离光刻版右侧 xX7i+nX(yi-。。
【主权项】
1. 一种高精度测量晶片横向对准误差的方法，其特征在于：包括以下步骤： 1) 在光刻版上横向加工一排中心对齐的刻度线阵列作为光刻版测量标尺； 2) 在晶片上横向加工一排中心对齐的刻度线阵列作为晶片测量标尺； 3) 通过移动晶片，调整晶片与光刻板的相对位置，使晶片测量标尺与光刻版测量标尺 在视野中重叠或平行； 4) 通过计算读取晶片横向误差。2. 根据权利要求1所述的一种高精度测量晶片横向对准误差的方法，其特征在于：所 述步骤1)中光刻版测量标尺的每一条刻度线都由两条线条组成，构成同一条刻度线的两 条线条在光刻版上位于同一纵向直线上且二者不相接，相邻两刻度线中心之间的间距均为 I A不大于I pin，刻度线条数为m，m为大于3的整数，并设有一条刻度线的形貌不同于 其余刻度线的光刻版基准刻度线。3. 根据权利要求1所述的一种高精度测量晶片横向对准误差的方法，其特征在于：所 述步骤2)中晶片测量标尺的刻度线形状为线条，线条的纵向长度大于组成光刻版上刻度线 的两条线条的边沿间距，相邻两刻度线中心之间的间距均为石，厶小于I 4与厶相差不大 于〇. I pm，并设有一条刻度线的形貌不同于其余刻度线的晶片基准刻度线。4. 根据权利要求1所述的一种高精度测量晶片横向对准误差的方法，其特征在于： 所述步骤4)中的读取方法为首先读取晶片基准刻度线偏离光刻版基准刻度线的方向， 然后读取光刻版上的刻度线在他们之间出现的的条数x，最后观察晶片基准刻度线在偏 离光刻版方向上的第几条刻度线与光刻版上的刻度线重合；当重合的刻度线在晶片基准 刻度线左侧第n条，则晶片在横向偏离光刻版的相对误差为偏左xX又+nX U-;);当重 合的刻度线在晶片基准刻度线右侧第n条，则晶片在横向偏离光刻版的相对误差为偏右 X X J1+n X (J1-J2)。
【专利摘要】本发明公开了一种高精度测量晶片横向对准误差的方法，涉及半导体器件与电路的制作方法技术领域。包括以下步骤：1）在光刻版上横向加工一排中心对齐的刻度线阵列作为光刻版测量标尺；2）在晶片上横向加工一排中心对齐的刻度线阵列作为晶片测量标尺；3）通过移动晶片，调整晶片与光刻板的相对位置，使晶片测量标尺与光刻版测量标尺在视野中重叠或平行；4）通过计算读取晶片横向误差。本发明通过对光刻版和晶片设置的测量标尺，高精度的读取了晶片相对于光刻版的偏差，误差精度取决于<i>l</i>1与<i>l</i>2的差值，其<i>l</i>1和<i>l</i>2相差不大于0.1？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？μm，故实现对晶片横向误差高精度的读取。
【IPC分类】H01L21/66
【公开号】CN105140150
【申请号】CN201510470083
【发明人】宋旭波, 冯志红, 吕元杰, 王元刚, 顾国栋, 谭鑫, 徐鹏
【申请人】中国电子科技集团公司第十三研究所
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年8月4日