S9:检测温度传感器内置的计时器当前记录的计时时间，若该时间大于或等于温度传感器设定的晶圆扫描时间间隔，执行步骤S2，若该时间小于温度传感器设定的晶圆扫描时间间隔，执行步骤S9。
[0067]S10:开始执行工艺过程，并由程序判断当前脉冲激光器的状态，如果脉冲激光器当前处于开启状态，则下发命令关闭脉冲激光器。之后，可利用程序每隔一定时间判断当前工艺是否结束，如果结束，执行步骤S10，如果工艺没有结束，执行步骤S2。
[0068]需要说明的是，当步骤SlO开始执行后，如果每隔一定时间间隔，温度扫描结果处理单元接收到的晶圆表面温度分布扫描结果与程序内预存的温度场分布对比结果偏差大于阈值，执行步骤S5，但正在进行中的工艺将继续而不会停止。
[0069]Sll:检测温度传感器内置的计时器当前记录的计时时间，若该时间大于或等于温度传感器设定的晶圆扫描时间间隔，继续判断当前工艺是否已经结束，若已经结束，执行步骤S12，若当前工艺未结束，执行步骤S2 ;若该时间小于温度传感器设定的晶圆扫描时间间隔，执行步骤SI I。
[0070]S12:工艺过程结束。
[0071]综上所述，本发明通过利用温度传感器和温度扫描结果处理单元实时监测晶圆表面温度分布情况，并根据温度扫描结果控制脉冲激光器和激光脉冲整形器，改变脉冲激光能量在激光光束截面内的分布情况，实现对晶圆表面局部区域的温度调整，从而解决了化学药液膜厚不均匀分布带来的腐蚀非均匀性问题，改善了工艺效果，并提高了芯片质量。
[0072]以上所述的仅为本发明的优选实施例，所述实施例并非用以限制本发明的专利保护范围，因此凡是运用本发明的说明书及附图内容所作的等同结构变化，同理均应包含在本发明的保护范围内。
【主权项】
1.一种改善晶圆腐蚀非均匀性的装置，其特征在于，包括: 温度监测单元，用于对单片湿法设备中作水平旋转清洗的晶圆表面进行温度监测，并将温度监测数据发送至温度扫描结果处理单元； 脉冲激光加热单元，用于提供垂直并覆盖晶圆整个表面的脉冲激光光束，对晶圆表面进行加热，其脉冲激光光束能量及在脉冲激光光束水平截面内的能量分布可调； 温度扫描结果处理单元，将接收的温度监测数据转化成晶圆表面的实际温度场分布，并与储存的对应工艺所需的理论温度场分布进行比对，判断是否满足工艺所需条件，当不满足时，控制调节脉冲激光加热单元的脉冲激光光束能量在光束水平截面内的对应能量分布高低，以实现脉冲激光加热后实际温度场分布与理论温度场分布相吻合。2.根据权利要求1所述的改善晶圆腐蚀非均匀性的装置，其特征在于，所述温度监测单元设有计时器，所述计时器用于将从当前晶圆表面温度监测开始后的时间长度与温度监测单元设定的晶圆表面温度监测间隔时间进行比较，并在当监测开始后的时间长度大于或等于设定的监测间隔时间时，触发温度监测单元作新一次的晶圆表面温度监测，同时计时器清零，重新开始计时。3.根据权利要求1所述的改善晶圆腐蚀非均匀性的装置，其特征在于，所述温度监测单元设于晶圆的上方或斜上方，其探测面积覆盖整个晶圆表面。4.根据权利要求1?3任意一项所述的改善晶圆腐蚀非均匀性的装置，其特征在于，所述温度监测单元为一个温度传感器或多个温度传感器的组合，其通过对晶圆表面进行温度扫描，以对晶圆表面进行温度监测，并将温度监测数据发送至温度扫描结果处理单元。5.根据权利要求1所述的改善晶圆腐蚀非均匀性的装置，其特征在于，所述脉冲激光加热单元包括依次耦合的脉冲激光器、激光脉冲整形器和激光扩束镜，所述脉冲激光器用于产生脉冲激光光束，其脉冲激光光束的能量可调；所述激光脉冲整形器用于调整脉冲激光光束在脉冲激光光束截面内的能量分布，使经过其加热后的晶圆表面温度场分布与工艺所需的理论温度场分布相吻合；所述激光扩束镜用于将脉冲激光光束进行与晶圆直径相吻合的扩束，同时减少激光光束的发射角。6.根据权利要求5所述的改善晶圆腐蚀非均匀性的装置，其特征在于，所述脉冲激光器、激光脉冲整形器和激光扩束镜之间设有反射镜，用于将脉冲激光器产生的脉冲激光光束引导至晶圆的正上方，并垂直射向晶圆表面。7.根据权利要求5或6所述的改善晶圆腐蚀非均匀性的装置，其特征在于，所述脉冲激光器所产生的脉冲激光波长位于晶圆材料的吸收峰范围内。8.根据权利要求5或6所述的改善晶圆腐蚀非均匀性的装置，其特征在于，所述激光扩束镜设于晶圆的正上方。9.根据权利要求5或6所述的改善晶圆腐蚀非均匀性的装置，其特征在于，所述激光扩束镜在晶圆的正上方依次设置一至若干个，用于进行一级扩束至多级扩束。10.一种改善晶圆腐蚀非均勾性的方法，使用权利要求1?9任意一项所述的改善晶圆腐蚀非均匀性的装置，其特征在于，包括以下步骤: S1:将晶圆通过固定装置放置在单片湿法设备内的旋转体上，开始清洗工艺，并设定脉冲激光加热单元的脉冲激光工作波长； S2:通过温度监测单元扫描晶圆表面温度分布情况，并将计时器从零开始计时； S3:通过温度监测单元将晶圆表面温度分布扫描结果发送至温度扫描结果处理单元； S4:温度扫描结果处理单元接收到晶圆表面温度分布扫描结果后，与计算机程序内预存的对应于当前工艺所需要的温度场分布进行对比，判断是否满足工艺所需条件，若二者偏差小于等于阈值，则下发命令开始工艺，执行步骤S10，若二者偏差大于阈值，则执行步骤S5 ； 55:温度扫描结果处理单元下发指令至脉冲激光加热单元，开始脉冲激光输出，并根据步骤S4中对比结果偏差大于阈值的大小设定合适的脉冲激光功率； 56:根据步骤S4的扫描结果以及对比结果，通过脉冲激光加热单元相对应地调整脉冲激光能量在脉冲激光光束截面上的能量分布，对脉冲激光进行整形，以在通过脉冲激光加热单元进行扩束后，使步骤S4的对比结果偏差较大的区域对应较高的脉冲激光能量、对比结果偏差较小的区域对应较低的脉冲激光能量； 57:将经过整形后的脉冲激光光束经过脉冲激光加热单元进行扩束，使脉冲激光光束可以覆盖整个晶圆表面范围，并且保证此时脉冲激光能量高的区域与步骤S4中对比结果偏差较大的区域相对应，脉冲激光能量低的区域与步骤S4中对比结果偏差较小的区域相对应； 58:利用脉冲激光垂直照射晶圆表面，对晶圆表面温度进行调整，使晶圆可在不同区域吸收不同能量的脉冲激光，获得不同幅度的温度上升，以使晶圆表面的实际温度场分布发生变化； 59:检测温度监测单元当前记录的计时时间，若该时间大于或等于温度监测单元设定的晶圆扫描时间间隔，执行步骤S2，若该时间小于温度监测单元设定的晶圆扫描时间间隔，执行步骤S9 ； 510:开始工艺过程，并由程序判断当前脉冲激光加热单元的状态，如果脉冲激光加热单元当前处于开启状态，则下发命令关闭脉冲激光加热单元； 511:检测温度监测单元当前记录的计时时间，若该时间大于或等于温度监测单元设定的晶圆扫描时间间隔，继续判断当前工艺是否已经结束，若已经结束，执行步骤S12，若当前工艺未结束，执行步骤S2 ;若该时间小于温度监测单元设定的晶圆扫描时间间隔，执行步骤 Sll ； 512:工艺过程结束。11.根据权利要求10所述的改善晶圆腐蚀非均匀性的方法，其特征在于，步骤S6中，调整脉冲激光能量在脉冲激光光束截面上的能量分布时，根据扩束前脉冲激光光束的直径、工艺所用晶圆的直径和激光扩束镜与晶圆表面之间的距离进行换算，来得到需要进行脉冲能量调整的区域的准确位置。12.根据权利要求10所述的改善晶圆腐蚀非均匀性的方法，其特征在于，步骤SlO中，关闭脉冲激光加热单元之后，程序每隔一定时间判断当前工艺是否结束，如果结束，执行步骤S10，如果工艺没有结束，执行步骤S2。13.根据权利要求10所述的改善晶圆腐蚀非均匀性的方法，其特征在于，步骤SlO开始执行后，如果每隔一定时间间隔，温度扫描结果处理单元接收到的晶圆表面温度分布扫描结果与程序内预存的温度场分布对比结果偏差大于阈值，执行步骤S5，但继续正在进行中的工艺。
【专利摘要】本发明公开了一种改善晶圆腐蚀非均匀性的装置和方法，通过利用温度监测单元和温度扫描结果处理单元实时监测晶圆表面温度分布情况，并根据温度扫描结果控制脉冲激光加热单元改变脉冲激光能量在激光光束截面内的分布情况，实现对晶圆表面局部区域的温度调整，从而解决了化学药液膜厚不均匀分布带来的腐蚀非均匀性问题，改善了工艺效果，并提高了芯片质量。
【IPC分类】H01L21/67, H01L21/02
【公开号】CN105140158
【申请号】CN201510627963
【发明人】滕宇
【申请人】北京七星华创电子股份有限公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年9月28日