一种集成螺线管型微电感绕组线圈的通孔刻蚀方法
【技术领域】
[0001]本发明属于集成电路工艺领域，具体涉及一种集成螺线管型微电感绕组线圈的通孔刻蚀方法。
【背景技术】
[0002]随着无线通信技术的快速发展和广泛应用，对移动通信设备提出了更高的要求，如小型化、低功耗、重量轻、高可靠性、低成本等。电感作为磁能储能元件，与电能储能元件配合可实现很多功能，如在射频集成电路(RFIC)中螺旋电感广泛用于实现滤波、阻抗变换以及变压器的能量传递等功能，在射频识别(RFID)系统中作为天线实现信息的发送和接收等，因此，研究螺旋电感对射频电路的设计具有重要的意义。但是，目前电感的集成度成为了限制其应用的重要瓶颈，尤其是对于螺线管型微电感结构，其工艺相对平面螺旋型电感结构复杂得多，包括上下两层线圈及连接他们的通孔，通孔的形成需要对绝缘介质层进行刻蚀，然后电镀铜得到，以实现上下线圈的连接。
[0003]目前，集成螺线管型电感的通孔及上层线圈的刻蚀工艺主要有以下两种:一种是采用两步电镀方法，即首先在绝缘层刻蚀通孔，在通孔中电镀铜，然后再电镀上层铜线圈；另一种是在绝缘层刻蚀好通孔后，通孔部分和上层铜线圈同时电镀得到。第二种方法虽然工艺简单，成本低；但是由于溅射生长种子层时，种子层在绝缘层通孔处的覆盖能力较差，在电镀时通孔处的铜生长会受到影响，导致接触区的截面积降低，如图1所示，使得整个铜线圈的直流电阻增大，对提高微电感的品质因数不利。为了解决该问题，目前通常采用加厚工艺，即使上层线圈的厚度大于下层线圈，但是这样会带来较大的高频涡流损耗，增加成本。
【发明内容】
[0004]本发明针对【背景技术】存在的缺陷，提出了一种集成螺线管型微电感绕组线圈的通孔刻蚀方法。本发明采用厚度大于绝缘介质层的厚光刻胶作为刻蚀掩膜，充分利用氧气等离子体对光刻胶的去除作用，在刻蚀过程中使光刻胶在厚度方向逐步形成倾斜侧面，并在刻蚀过程中将该倾斜侧面形状传递给绝缘介质层，形成侧面倾斜的通孔，最后再进行通孔内的铜和上层线圈的电镀。本发明简化了工艺步骤，解决了通孔与上线圈接触区截面积小的问题，得到的通孔和上层线圈有良好的接触，不用增加上层线圈的厚度就能制备得到性能优良的微电感。
[0005]本发明的技术方案如下:
[0006]一种集成螺线管型微电感绕组线圈的通孔刻蚀方法，其特征在于，包括:
[0007]在衬底基片上制备下层线圈和绝缘介质层，然后在绝缘介质层上涂覆7?10 μm厚的光刻胶，曝光显影得到通孔的开口图形；然后，采用反应离子刻蚀对绝缘介质层进行刻蚀，刻蚀气体为氧气和氩气的混合气体，其中，氧气和氩气的流量比为(3?5):1，刻蚀过程中，每刻蚀5min后停止3?5min，对基片进行散热，重复进行“刻蚀5min停止3?5min”的过程数次，直到在绝缘介质层上刻蚀得到通孔。
[0008]一种集成螺线管型微电感绕组线圈的制备方法，包括以下步骤:
[0009]步骤1:在衬底基片上制备下层线圈和绝缘介质层，然后在所述绝缘介质层上涂覆厚度为7?10 μ m的光刻胶，曝光，显影，得到通孔的开口图形，如图2所示；
[0010]步骤2:采用反应离子刻蚀(RIE)对绝缘介质层进行刻蚀，刻蚀气体为氧气和氩气的混合气体，其中，氧气和氩气的流量比为(3?5):1 ;刻蚀过程中，每刻蚀5min后停止3?5min，对基片进行散热，刻蚀速率为280nm/min，重复进行“刻蚀5min后停止3?5min”的过程数次，直至在绝缘介质层上刻蚀得到通孔；由于在刻蚀过程中，氧气等离子体对光刻胶有去除作用，会将表面的光刻胶去除一部分，尤其是处于台阶拐角处的部分光刻胶会被逐渐去除，形成倾斜侧面；随着光刻胶倾斜侧面的不断形成，光刻胶的通孔图形会缓慢变大，暴露在氧气等离子体中的绝缘介质层的表面积也会逐渐增大，且最先暴露的区域被刻蚀的时间更长，被刻蚀的宽度也越大，从而使得最终形成的绝缘介质层通孔侧面也是倾斜的，即光刻胶的倾斜侧面被转移给绝缘介质层通孔的侧面，如图3所示；
[0011]步骤3:去除剩余的光刻胶，在步骤2刻蚀通孔后得到的基片表面溅射缓冲层和种子层，如图4所示；然后涂覆厚度为5?10 μ m的光刻胶，曝光，显影，得到通孔和上层线圈图形，最后采用电镀工艺，得到通孔中的铜和上层铜线圈；去除光刻胶、种子层和缓冲层，得到绕组线圈，如图5所示。
[0012]进一步地，步骤3所述光刻胶的去除采用丙酮，种子层的去除采用体积比为浓H2SO4:H202:H2O = 1:1:5的混合液，缓冲层的去除采用体积比为HF = H2O = 1:7的混合液。
[0013]进一步地，所述绝缘介质层为聚酰亚胺介质层。
[0014]进一步地，步骤2所述刻蚀气体为45sccm的O2和1sccm的Ar的混合气体。
[0015]进一步地，步骤3所述缓冲层为Ti附着层，所述种子层为Cu。
[0016]本发明的有益效果为:相比传统采用厚度为10nm左右的S12做掩膜，本发明采用厚光刻胶作为绝缘介质层的掩膜，刻蚀得到倾斜侧面的通孔，在绝缘层倾斜侧面形成缓冲层和种子层，可增大通孔与上线圈的接触区的截面积；本发明工艺步骤简单，且在无需加厚上层线圈的情况下，保证了通孔与上线圈的完美接触。
【附图说明】
[0017]图1为【背景技术】所述一步同时电镀通孔铜和上层铜线圈得到的绕组线圈的剖面示意图；
[0018]图2为本发明厚光刻胶形成通孔图形的示意图；
[0019]图3为本发明光刻胶通孔图形倾斜侧面的形成以及向绝缘介质层通孔传递后得到结构的示意图；
[0020]图4为在通孔和绝缘介质层上溅射缓冲层和种子层后的结构的示意图；
[0021]图5为本发明方法得到的通孔和上下层线圈连接的示意图；
[0022]图6为本发明实施例1得到的螺线管型空心微电感的示意图；
[0023]图7为本发明实施例2得到的螺线管型磁芯微电感的示意图。
【具体实施方式】
[0024]下面结合附图和实施例，详述本发明的技术方案。
[0025]实施例1
[0026]以制备工作频率在IGHz以内的螺线管型空心微电感的制备方法为例，具体包括以下步骤:
[0027]步骤1:在Si02(500nm)/Si基片上依次溅射得到Ti附着层和Cu种子层，形成Cu (200nm) /Ti (50nm) /S12 (500nm) /Si ；
[0028]步骤2:采用旋涂法在步骤I得到的基片表面旋涂7 μ m厚的AZ4620光刻胶，曝光显影得到下层线圈图形，电镀4 μ m厚的Cu ;然后采用丙酮去除剩余的光刻胶，并分别用体积比为浓H2SO4 = H2O2 = H2O = 1:1:5的混合液去除种子层的Cu膜，采用体积比为HF = H2O = 1:7的混合液去除缓冲层的Ti膜，得到下层线圈；
[0029]步骤3:在步骤2得到的结构表面旋涂聚酰亚胺绝缘介质层，并亚胺化、采用CMP抛光，形成平坦的聚酰亚胺绝缘介质层，聚酰亚胺介质层上表面到铜下线圈上表面的厚度为 4 μ m ;
[0030]步骤4:在步骤3得到的聚酰亚胺绝缘介质层上旋涂7 μ m厚的AZ4620光刻胶，曝光显影形成通孔的开口图形；
[0031]步骤5:采用剩余的光刻胶作为掩膜，采用反应离子刻蚀(RIE)对暴露的聚酰亚胺绝缘介质层进行刻蚀，刻蚀气体为氧气和氩气的混合气体，氧气和氩气的流量比为4.5:1，刻蚀气压为15Pa，刻蚀功率为80W ;刻蚀过程中，先刻蚀5min，然后关闭功率源停止3m