502，且掩模坯料500被支撑于载具900上且在支撑销902上，且掩模坯料500被保持销904横向地保持就位。载具900的底面具有开口 906，以允许从下方进行沉积。
[0064]现参看图10，该图中图示根据本发明的实施方式的位于载具1000上的处于被支撑位置的掩模坯料500。掩模坯料500具有面朝下的多层堆叠物502，且掩模坯料500被支撑于载具1000上且在支撑销1002上，且掩模坯料500被保持销1004横向地保持就位。载具1000的底面具有开口 1006，以允许从下方进彳丁沉积。
[0065]现参看图11，该图中图示根据本发明的实施方式的位于载具1100上的处于被支撑位置的掩模坯料500。掩模坯料500具有面朝下的多层堆叠物502，且掩模坯料500被支撑于载具1100上且在支撑销1102上，且掩模坯料500被保持销1104横向地保持就位。载具的底面具有开口 1106，以允许从下方进行沉积。
[0066]现参看图12，该图中图示一种用于制造图5的具有超低缺陷的EUV掩模坯料500的方法1200。方法1200以将掩模坯料供给至图1的EUV掩模生产系统100中的真空开始。
[0067]在步骤1202中，掩模坯料被除气及预清洁。平坦化发生在步骤1204中。通过CVD来沉积平坦化层，且平坦化层在步骤1206中被固化。通过PVD在步骤1208中进行多层沉积，且在步骤1210中施加覆盖层。除气、预清洁、平坦化、多层沉积及覆盖层施加都在EUV掩模生产系统100中执行，而无需将掩模坯料从真空中移除。
[0068]图1的集成EUV掩模生产系统100可用于制造任何类型的光刻坯料，诸如掩模坯料及镜坯料，以及用于光刻半导体制造工艺的掩模。
[0069]本发明的实施方式提供用于在EUV掩模坯料上沉积需要的层结构的集成工具构思。这些工具包括用以使玻璃坯料上的缺陷(几纳米至几十纳米尺寸范围内的凹坑、刮痕及颗粒)平坦化的平滑层、用于布拉格反射器的钼及硅多层堆叠物沉积以及钌覆盖层(用于防止钼/硅堆叠物氧化)。
[0070]通过将这些步骤集成至一个工艺工具中，已发现，通过限制处理步骤的数目，可能实现更好的界面控制以及更好的缺陷性能控制。
[0071]基板被置于载具上，以便经由多个工艺步骤使掩模坯料的处理最小化。这将减少基板上与处理有关的颗粒的机会。
[0072]使用群集工具亦允许干燥清洁工艺的集成，以改良基板清洁度，从而在不破坏真空的情况下改良层堆叠物的附着力。
[0073]将基板装载到集成极紫外线(EUV)掩模生产系统中之后，首先在可流动的CVD工艺中(诸如在AMAT Eterna膜中)使用平坦化层涂覆该掩模坯料，以填充基板表面上的凹坑及刮痕，以及使任何剩余的小颗粒平坦化。
[0074]接下来，基板被移动至用于多层沉积的沉积腔室。该腔室整合多个靶材，以便可在一个腔室中沉积整个堆叠物，而无需移送该基板。
[0075]所得的系统为直接易做的、成本有效的、不复杂且高度通用的，且可通过将已知技术调适来可惊人地且不明显地实施该系统，因此该系统易于适用于高效且经济地制造EUV掩模坯料。本发明的实施方式为EUV掩模坯料提供原子级地平坦的、低缺陷且平滑的表面。然而，本发明的实施方式亦可用于例如为镜制造其他类型的坯料。在玻璃基板之上，本发明的实施方式可用于形成EUV镜。另外，本发明的实施方式可应用于其他原子级地平坦的、低缺陷且平滑的表面结构，这些表面结构用于UV、DUV、电子束、可见光、红外线、离子束、X射线及其他类型的半导体光刻中。本发明的实施方式亦可用于形成可在从晶片级至器件级且甚至至更大面积显示器及太阳能应用的范围内的各种尺寸结构。
[0076]本发明的另一重要方面是，本发明有价值地支持和服务于降低成本、简化系统及提高性能的历史趋势。
[0077]因此，本发明的这些及其他有价值的方面将此技术状态进化至至少下一水平。
[0078]尽管已结合具体的最佳模式描述本发明，但应了解，根据上述描述，许多替代、修改及变化对于本领域的技术人员将很明显。因此，本文意欲包含落入所包括的权利要求的范围内的所有这样的替代、修改及变化。以上本文中阐述或附图中所示的全部事项将以说明性阐明且为非限制意义来解释。
【主权项】
1.一种处理系统，所述处理系统包含: 真空腔室； 多个处理系统，所述多个处理系统附接在所述真空腔室的周围；以及晶片传送系统，所述晶片传送系统位于所述真空腔室中，用于在所述多个处理系统之间移动所述晶片而不从真空中离开。2.如权利要求1所述的系统，其中所述多个处理系统包括除气系统。3.如权利要求1所述的系统，其中所述多个处理系统包括物理气相沉积系统。4.如权利要求1所述的系统，其中所述多个处理系统包括预清洁系统。5.如权利要求1所述的系统，所述系统进一步包含用于输出极紫外线掩模坯料的输出部。6.如权利要求1所述的系统，所述系统进一步包含用于输出极紫外线镜的输出部。7.如权利要求1所述的系统，所述系统进一步包含: 额外真空腔室，所述额外真空腔室连接至所述真空腔室； 额外多个处理系统，所述额外多个处理系统附接于所述额外真空腔室的周围；以及额外晶片传送系统，所述额外晶片传送系统位于所述额外真空腔室中，用于在所述额外多个处理系统之间移动所述晶片而不从真空中离开。8.如权利要求5所述的系统，其中所述额外多个处理系统包括可流动的化学气相沉积系统。9.如权利要求5所述的系统，其中所述额外多个处理系统包括固化腔室。10.如权利要求5所述的系统，其中所述额外多个系统包括多阴极源。11.如权利要求10所述的系统，所述系统进一步包含顶部适配器，所述顶部适配器预留有围绕所述顶部适配器的若干阴极源。12.如权利要求10所述的系统，所述系统进一步包含用于固定晶片的旋转底座。13.如权利要求10所述的系统，其中所述多阴极源包含多个阴极，且进一步包含旋转底座，所述旋转底座用于将晶片置放在与所述多个阴极的每一个阴极成角度之处。14.如权利要求10所述的系统，其中所述多阴极源包含多个阴极，且进一步包含护罩，所述护罩附接于所述多个阴极的每一个阴极。15.如权利要求10所述的系统，其中所述多阴极源包含多个阴极，且进一步包含旋转屏蔽件，所述旋转屏蔽件用于在所述多个阴极的一个或更多个阴极之间旋转。16.如权利要求10所述的系统，其中所述系统进一步包含边缘排阻覆盖掩模，所述边缘排阻覆盖掩模用于覆盖晶片的边缘，以防止在所述晶片的这些边缘区域沉积材料。17.如权利要求10所述的系统，所述系统进一步包含载具，所述载具具有用于支撑晶片的支撑销及用于横向保持所述晶片的保持销。18.如权利要求10所述的系统，所述系统进一步包含载具，所述载具具有用于支撑晶片的支撑销及用于横向保持所述晶片的保持销，所述载具具有开口以允许从下方进行沉积。19.一种用于制造极紫外线坯料的物理气相沉积系统，所述系统包含: 靶材，所述靶材包含钼、钼合金或上述两者的组合。20.如权利要求19所述的系统，所述系统进一步包含: 第二靶材，所述第二靶材包含硅。21.一种形成EUV掩模坯料的方法，所述方法包含以下步骤: 通过化学气相沉积在基板之上形成平坦化层；以及 通过物理气相沉积在所述平坦化层之上形成多层堆叠物，其中在不从真空移除所述基板的情况下，在生产系统中执行形成所述平坦化层及形成所述多层堆叠物的步骤。22.如权利要求21所述的方法，所述方法进一步包含以下步骤:在不从所述真空移除所述基板的情况下，将覆盖层施加至所述多层堆叠物。
【专利摘要】一种处理系统，该处理系统包括：真空腔室；多个处理系统，这些多个处理系统附接于真空腔室的周围；以及晶片传送系统，该晶片传送系统位于该真空腔室中，用于在多个处理系统之间移动晶片，而不从真空中离开。一种用于制造极紫外线坯料的物理气相沉积系统，该系统包含：靶材，该靶材包含钼、钼合金或上述两者的组合。
【IPC分类】H01L21/02, H01L21/027, H01L21/203
【公开号】CN105144343
【申请号】CN201480013365
【发明人】拉尔夫·霍夫曼, 卡拉·比斯利, 马耶德·A·福阿德
【申请人】应用材料公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2014年3月12日
【公告号】US20140272684, WO2014165300A1