一种掩模板和曝光系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及显示技术领域，具体地，涉及一种掩模板和曝光系统。
【背景技术】
[0002]在薄膜晶体管液晶显示器(TFT-1XD)中，薄膜晶体管作为数字电路的开关器件，扮演着十分重要的角色。
[0003]目前，在TFT-1XD阵列基板的生产中，普遍采用单缝衍射掩模板(Single SlitMask)、灰色调掩模板(Gray Tone Mask)或半色调掩模板(Half Tone Mask)进行源漏金属层掩模(SD Mask)工艺。当采用单缝衍射掩模板进行源漏金属层掩模工艺时，源漏极沟道区域通过狭缝衍射进行曝光。由于源漏极沟道本身较窄，若曝光光线通过狭缝衍射后光强度太低，曝光不足，经显影和刻蚀后，很容易导致TFT-LCD阵列基板发生源漏极沟道金属桥接；若曝光光线通过狭缝衍射后光强度太高，曝光过度，经显影和刻蚀后，又可能导致发生源漏极沟道半导体缺失。无论发生源漏极沟道金属桥接还是源漏极沟道半导体缺失，都会导致薄膜晶体管无法正常工作或无法工作。因此，在采用单缝衍射掩模板进行源漏金属层的掩模生产过程中，需要恰当地控制源漏极沟道区域通过单缝衍射后的光强度。
[0004]TFT-1XD阵列基板上，如图1所示，由于非显示区5 (如外围布线区)薄膜晶体管的分布密度远高于显示区6 (即像素区域)，所以在经过曝光后显影的过程中，非显示区5单位时间内对显影液的消耗量远低于显示区6，这使得非显示区5内的局部区域显影液浓度高于显示区6，以至于显影结束后容易导致非显示区5的薄膜晶体管的沟道区光刻胶偏薄，经刻蚀工艺后易造成源漏极沟道半导体缺失，使源漏极沟道断开，从而使得TFT-LCD的非显示区5的薄膜晶体管无法工作，最终导致显示区6无法正常显示。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型针对现有技术中存在的上述技术问题，提供一种掩模板和曝光系统。该掩模板能使透过第二区内狭缝的曝光光线的强度相对于透过第一区内狭缝的曝光光线的强度减小，从而使显示区和非显示区内的晶体管在经过源漏极曝光和显影后，保留在有源区膜层上的光刻胶的厚度趋于一致，从而使非显示区的晶体管的有源区在刻蚀中不会产生半导体缺失，进而确保刻蚀工艺后非显示区晶体管的有源区不会断开，最终确保非显示区的晶体管能够正常工作，以确保像素区域能够正常显示。
[0006]本实用新型提供了一种掩模板，包括透明基板，以及形成于透明基板表面的掩模图形；其中，所述掩模图形包括用于对应形成显示区内膜层图形的第一区和用于对应形成非显示区内膜层图形的第二区；
[0007]所述第一区和所述第二区内均设置有多个图形化掩模，且所述第一区内图形化掩模的分布密度小于所述第二区内图形化掩模的分布密度；
[0008]每个所述图形化掩模包括用于形成所述晶体管的源极的第一图形、用于形成所述晶体管的漏极的第二图形和夹设在所述第一图形和所述第二图形之间的狭缝，其中，所述第一区内的所述狭缝的宽度大于所述第二区内的所述狭缝的宽度。
[0009]优选的，设所述第一区内的所述狭缝的宽度为L，所述第二区内的所述狭缝的宽度为M，M = L-LXX%，其中，O < X < 100，且X与所述第二区与所述第一区内所述图形化掩模的分布密度差值成正比。
[0010]优选的，所述第一图形和所述第二图形均由遮光材料构成，所述狭缝底部暴露所述透明基板。
[0011]优选的，所述掩模图形设置于所述透明基板一侧的表面；
[0012]所述第一图形、第二图形均由低反射率的遮光材料构成。
[0013]优选的，所述第一区和所述第二区内还设置有用于对应形成布线的布线图形，所述布线图形与所述掩模图形设置于所述透明基板同一侧的表面，且与所述第一图形和所述第二图形的材料相同。
[0014]本实用新型还提供了一种曝光系统，包括如上所述的掩模板。
[0015]本实用新型的有益效果:本实用新型所提供的掩模板，由于掩模板的第一区内狭缝的宽度大于第二区内狭缝的宽度，使透过第二区内狭缝的曝光光线的强度相对于透过第一区内狭缝的曝光光线的强度减小，从而使显示区和非显示区内的晶体管在经过源漏极曝光和显影后，保留在有源区膜层上的光刻胶的厚度趋于一致，从而使非显示区的晶体管的有源区在刻蚀中不会产生半导体缺失，进而确保非显示区晶体管的有源区不会断开，最终确保非显示区的晶体管能够正常工作，以确保像素区域能够正常显示。
[0016]本实用新型所提供的曝光系统，通过采用上述掩模板，提高了该曝光系统的曝光质量，从而提高了经该曝光系统曝光的产品的质量。
【附图说明】
[0017]图1为现有技术中阵列基板的显示区与非显示区的分布结构示意图；
[0018]图2为本实用新型实施例1中掩模板的结构剖视示意图。
[0019]其中的附图标记说明:
[0020]1.第一区；2.第二区；3.图形化掩模；31.第一图形；32.第二图形；33.狭缝；L.第一区内狭缝的宽度；M.第二区内狭缝的宽度；4.布线图形；5.非显示区；6.显示区。
【具体实施方式】
[0021]为使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型所提供的一种掩模板和曝光系统作进一步详细描述。
[0022]实施例1:
[0023]本实施例提供一种掩模板，如图2所示，包括透明基板(未标识)，以及形成于透明基板表面的掩模图形。
[0024]其中，所述掩模图形包括用于对应形成显示区内膜层图形的第一区I和用于对应形成非显示区内膜层图形的第二区2 ;
[0025]第一区I和第二区2内均设置有多个图形化掩模3，且第一区I内图形化掩模3的分布密度小于第二区2内图形化掩模3的分布密度；
[0026]每个图形化掩模3包括用于形成所述晶体管的源极的第一图形31、用于形成晶体管的漏极的第二图形32和夹设在第一图形31和第二图形32之间的狭缝33 ;第一区I内的狭缝33的宽度L大于第二区2内的狭缝33的宽度M0
[0027]通过使掩模板的第一区I内的狭缝33的宽度大于第二区2内的狭缝33的宽度，使透过第二区2内狭缝33的曝光光线的强度相对于透过第一区I内狭缝33的曝光光线的强度减小，从而使显示区和非显示区内的晶体管在经过源漏极曝光和显影后，保留在有源区膜层上的光刻胶的厚度趋于一致，从而使非显示区的晶体管的有源区在刻蚀中不会产生半导体缺失，进而确保非显示区晶体管的有源区不会断开，最终确保非显示区的晶体管能够正常工作，以确保像素区域能够正常显示。
[0028]其中，由于狭缝33夹设于第一图形31和第二图形32之间，所以狭缝33的宽度指第一图形31和第二图形32之间的距离。
[0029]本实施例中，设第一区I内的狭缝33的宽度为L，第二区2内的狭缝33的宽度为1肩=1^-1^\乂％，其中，0<父< 100，且X与第二区2和第一区I内图形化掩模3的分布密度差值成正比。如此设置，能使L和M的差值随着第二区2与第一区I内图形化掩模3的分布密度差的增大而增大，由于显示区和非显示区内的晶体管在经过源漏极曝光后显影的过程中，非显示区与显示区内显影液的浓度差随着非显示区与显示区内晶体管分布密度差的增大而增大，也即非显示区与显示区内显影液的浓度差随着第二区2与第一区I内晶体管分布密度差的增大而增大，所以，M相对于L的减小能够相应地弥补非显示区内的显影液浓度高于显示区内的浓度对非显示区内晶体管有源区形成的过刻，即对应显影液浓度高的非显示区，掩模板上狭缝33的宽度M比较小；对应显影液浓度低的显示区，掩模板上狭缝33的宽度L比较大，从而使源漏极曝光时对应透射到非显示区内有源区的曝光光线的光强度比较小；而对应透射到显示区内有源区的曝光光线的光强度比较大，最终使源漏极曝光显影后保留在显示区和非显示区内晶体管有源区膜层上的光刻胶的厚度趋于一致，以确保经刻蚀后非显示区内晶体管的有源区不会因半导体缺失而断开。
[0030]本实施例中，第一图形31和第二图形32均由遮光材料构成，狭缝33底部暴露透明基板。由于通常情况下，显示区和非显示区膜层图形的曝光工艺中通常采用正性光刻胶，所以，掩模板上第一图形31和第二图形32为完全不透光图形，才能在曝光