一种oled显示面板及其制作方法
【技术领域】
[0001]本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种OLED显示面板及其制作方法。
【背景技术】
[0002]目前，有机发光二极管(英文:0rganicLight-Emitting D1de，简称:0LED)显示面板逐步成为显示领域的主流力量。现有的OLED显示面板制作工艺中，通常采用喷墨打印技术制成其OLED发光层。一般，OLED显示面板包括像素单元和用于将像素单元分隔的隔离(bank)层，该隔离层为负性光阻。在制作过程中，在基板上设置隔离层，并对隔离层进行曝光得到多个开口图案，在开口中喷入OLED发光材料，以形成像素单元的发光层。
[0003]然而，由于在曝光的时，隔离层上部接触曝光能量大于底部，曝光出来的开口图案极易形成如图1所示的顶部窄底部宽结构。而在后续喷墨打印制程中，由于开口顶部窄，OLED发光材料则不易进入该开口，导致OLED发光层的制作效率低下。
【发明内容】
[0004]本申请提供一种OLED显示面板及其制作方法，能够提高OLED发光层的制作效率。
[0005]本申请第一方面提供一种OLED显示面板，包括基板、以及设置在所述基板上的隔离bank层和多个像素单元，所述多个像素单元由所述隔离层隔开，每个所述像素单元包括阴极、阳极及夹置在所述阴极和阳极之间的发光层，所述隔离层为负性光阻且设有多个对所述隔离层曝光显影得到的开口，所述开口用于置放所述像素单元的发光层，且所述开口四周的隔离层与所述基板之间设有可透光的光增强层，以使在所述曝光显影时所述开口四周的隔离层的靠近所述基板一侧的光强增强，得到顶部宽于底部的所述开口。
[0006]其中，所述光增强层由半反射半透明材料或增亮膜构成。
[0007]其中，所述光增强层延伸至所述开口底部对应的区域，所述光增强层的延伸部分全部或者部分覆盖所述开口底部对应的区域。
[0008]其中，所述像素单元的阳极包括ITO电极，所述ITO电极设置在所述开口底部，且所述ITO电极的两端设置在所述隔离层中，所述光增强层设置在所述ITO电极与所述基板之间。
[0009]其中，所述发光层由喷墨打印制得。
[0010]本申请第二方面提供一种OLED显示面板的制作方法，包括:在基板的第一区域形成可透光的光增强层和多个像素单元的阳极；在所述基板上涂布为负性光阻的隔离bank层，并对所述隔离层进行曝光、显影得到多个顶部宽于底部的开口，其中，所述第一区域为所述开口四周的区域；在所述多个开口中分别设置所述像素单元的发光层；在所述开口顶部形成所述像素单元的阴极，其中，所述像素单元的发光层与所述像素单元的阳极和阴极电接触。
[0011]其中，所述光增强层由半反射半透明材料或增亮膜构成。
[0012]其中，所述光增强层延伸至所述开口底部对应的区域，所述光增强层的延伸部分全部或者部分覆盖所述开口底部对应的区域。
[0013]其中，所述像素单元的阳极包括金属电极和ITO电极；所述在基板的第一区域形成可透光的光增强层和像素单元的阳极的步骤包括:在基板的第一区域形成所述金属电极；在所述金属电极上涂布所述光增强层；在所述光增强层上形成ITO电极。
[0014]其中，所述发光层由喷墨打印制得，所述像素单元的阳极、光增强层经PVD、曝光、蚀刻、脱膜制得，所述像素单元的阴极经蒸镀制得。
[0015]上述方案中，通过在OLED显示面板的所需设置开口的四周的隔离层中设置光增强层，使得在对隔离层曝光显影时需要设置开口四周的隔离层的靠近所述基板一侧的光强增强，得到顶部宽于底部的开口。在该开口中制作像素单元的发光层时，由于该开口的顶部宽于底部，该发光材料易于进入该开口，故提高了 OLED发光层的制作效率。
【附图说明】
[0016]图1是本申请OLED显示面板一实施方式的结构示意图；
[0017]图2是本申请OLED显示面板另一实施方式的结构示意图；
[0018]图3是本申请OLED显示面板再一实施方式的结构示意图；
[0019]图4是本申请OLED显示面板又再一实施方式的结构示意图
[0020]图5是本申请OLED显示面板的制作方法一实施方式的流程图；
[0021]图6是执行图5所示的步骤520时的OLED显示面板的结构示意图。
【具体实施方式】
[0022]以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、接口、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施方式中也可以实现本申请。在其它情况中，省略对众所周知的装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。
[0023]请参阅图1，图1是本申请OLED显示面板一实施方式的结构示意图。本实施方式中，该OLED显示面板100包括基板110、以及设置在所述基板110上的隔离层120和多个像素单元130。该多个像素单元130由该隔离层120隔开(图1仅示范性给出一个像素单元130与隔离层的结构，未示出的其他像素单元与隔离层的结构与图1 一致)。每个像素单元130包括阳极131、阴极132及夹置在所述阴极131和阳极132之间的发光层133，该发光层由OLED发光材料构成。在该阴极131与阳极132间形成电压时，该发光层发光而实现显不O
[0024]该隔离层120为负性光阻且设有多个对所述隔离层曝光显影得到的开口 121，所述开口 121用于置放所述像素单元130的发光层133，且所述开口四周的隔离层(即位于图1中开口四周区域122的隔离层)与所述基板110之间设有可透光的光增强层140，以使在所述曝光显影时所述开口四周的隔离层的靠近所述基板110 —侧的光强增强，得到顶部宽于底部的所述开口 121。该底部即为该开口靠近基板110—侧，该顶部即为该开口远离基板110—侧。
[0025]具体地，该光增强层140可由半反射半透明材料或增亮膜构成。且，该光增强层140的厚度低于特定厚度，如低于0.2毫米等。
[0026]例如，该光增强层140为半反射半透明材料。由于该光增强层140对光具有反射性。在曝光时，从隔离层入射的入射光到达光增强层140后进行发射，在反射光与入射光作用下产生微腔效应，进而通过微腔效应增加光的强度。该实施例通过调整该隔离层120的厚度，得到微腔效应随着微腔长度L增大而逐步减弱的效果，以使曝光显影后的隔离层120越靠近基板110的保留部分越大，进而由两边底部较大的隔离层120形成顶部宽于底部的所述开口 121。其中，该微腔长度L为光增强层140上表面至该隔离层120上表面的距离(如图1所示)。
[0027]优选，该半反射半透明材料的透光率大于反射率，该反射率与透光率的比值可在1:200至1:10之间，如具体为1:200、1:100或1:10。当然，该半反射半透明材料的透光率未必限定大于发射率，可根据实际应用需求可采用任意反射率和透光率的材料。在一【具体实施方式】中，该半反射半透明材料为银(Ag)。
[0028]又例如，该光增强层140为增亮膜(英文-Brightness Enhanced Film)。由于增亮膜可使光朝着特定的方向变强，故通过对应设置该光增强层140，使得隔离层120的入射光沿着特定方向d如向所需开口 121倾斜角(即tapper) β方向变强(如图2所示，图2为光增强层140为增亮膜的实施方式结构示意图)。由于该被光照的隔离层120底部能量大于顶部，故底部保留的隔离层多于顶部，进而形成顶部宽于底部的开口 121。
[0029]本实施方式中，该光增强层140还可延伸至所述开口底部对应的区域123。如图1所示，该光增强层140的延伸部分141全部覆盖所述开口底部对应的区域123。即该光增强层140对应设置在该开口四周区域122和开口底部对应的区域123并连成一片。
[0030]本实施方式中，该像素单元130的阴极132可设置在开口 121的顶部上，以确保该阴极132可与开口 121中的发光层133电接触或电连接。该像素单元130的阳极131可设置在开口 121的底部及开口四周区域122中，以确保该阴极132可与开口 121中的发光层133电接触或电连接。其中，该光增强层140可设置在该阳极131与基板110之间、该阳极131之中或者