in，得到优化后的黑硅表面结构。
[0062] 对实施例2提供的处理方法处理后的黑硅的反射率、相应电池效率和相应组件功 率进行检测，结果表明，处理后的黑硅的反射率为9%，相应电池效率为19. 0%，相应组件 功率为270W。
[0063] 实施例3
[0064] (1)将实施例1所用的黑硅原料浸渍在体积比为1 :8的质量分数为49 %的氢氟酸 和去离子水的氢氟酸溶液中，在15°C下清洗8min，再用去离子水在40°C下水洗8min，得到 待处理的黑硅。
[0065] (2)将待处理的黑硅浸渍在质量浓度为33. 3%的氨水溶液中，在20°C下反应 8min，再用去离子水在40°C下水洗8min，得到处理后的黑硅。
[0066] (3)将处理后的黑硅浸渍在体积比为1 :1 :20的质量分数为49%的氢氟酸、质量 分数为37%的盐酸和去离子水的混合酸溶液中，在15°C下酸洗8min，再用去离子水在40°C 下水洗8min，得到优化后的黑硅表面结构。
[0067] 对实施例3提供的处理方法处理后的黑硅的反射率、相应电池效率和相应组件功 率进行检测，结果表明，处理后的黑硅的反射率为9. 5%，相应电池效率为19. 02%，相应组 件功率为271W。
[0068] 实施例4
[0069] (1)将实施例1所用的黑硅原料浸渍在体积比为I :5的质量分数为40%的氢氟酸 和去离子水的氢氟酸溶液中，在20°C下清洗5min，再用去离子水在20°C下水洗5min，得到 待处理的黑硅。
[0070] (2)将待处理的黑硅浸渍在质量浓度为10%的氢氧化钾溶液中，在20°C下反应 5min，再用去离子水在20°C下水洗5min，得到处理后的黑硅。
[0071] (3)将处理后的黑硅浸渍在体积比为1 :1 :18的质量分数为40%的氢氟酸、质量 分数为30%的盐酸和去离子水的混合酸溶液中，在20°C下酸洗5min，再用去离子水在20°C 下水洗5min，得到优化后的黑硅表面结构。
[0072] 对实施例4提供的处理方法处理后的黑硅的反射率、相应电池效率和相应组件功 率进行检测，结果表明，处理后的黑硅的反射率为9. 5%，相应电池效率为19. 03%，相应组 件功率为271W。
[0073] 实施例5
[0074] (1)将实施例1所用的黑硅原料浸渍在体积比为1 :5的质量分数为55%的氢氟酸 和去离子水的氢氟酸溶液中，在5°C下清洗5min，再用去离子水在5°C下水洗5min，得到待 处理的黑硅。
[0075] (2)将待处理的黑硅浸渍在质量浓度为10 %的氢氧化钾溶液中，在5°C下反应 5min，再用去离子水在5°C下水洗5min，得到处理后的黑娃。
[0076] (3)将处理后的黑娃浸渍在体积比为1 :1 :18的质量分数为55%的氢氟酸、质量 分数为40%的盐酸和去离子水的混合酸溶液中，在5°C下酸洗5min，再用去离子水在5°C下 水洗5min，得到优化后的黑硅表面结构。
[0077] 对实施例5提供的处理方法处理后的黑硅的反射率、相应电池效率和相应组件功 率进行检测，结果表明，处理后的黑硅的反射率为9%，相应电池效率为19. 0%，相应组件 功率为270W。
[0078] 实施例6
[0079] (1)将实施例1所用的黑硅原料浸渍在体积比为1 :5的质量分数为30%的氢氟酸 和去离子水的氢氟酸溶液中，在20°C下清洗5min，再用去离子水在80°C下水洗5min，得到 待处理的黑硅。
[0080] (2)将待处理的黑硅浸渍在质量浓度为10%的氢氧化钾溶液中，在25°C下反应 5min，再用去离子水在80°C下水洗5min，得到处理后的黑硅。
[0081] (3)将处理后的黑硅浸渍在体积比为1 :1 :18的质量分数为30%的氢氟酸、质量 分数为37%的盐酸和去离子水的混合酸溶液中，在20°C下酸洗5min，再用去离子水在80°C 下水洗5min，得到优化后的黑硅表面结构。
[0082] 对实施例6提供的处理方法处理后的黑硅的反射率、相应电池效率和相应组件功 率进行检测，结果表明，处理后的黑硅的反射率为9. 2%，相应电池效率为19. 02%，相应组 件功率为272W。
[0083] 所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对 这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一 般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将 不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致 的最宽的范围。
【主权项】
1. 一种用于优化黑硅表面结构的处理方法，其特征在于，包括以下步骤： a) 将黑硅原料在氢氟酸溶液中进行清洗，得到待处理的黑硅； b) 将待处理的黑硅在碱性溶液中进行反应，再经水洗，得到处理后的黑硅； c) 将处理后的黑硅进行酸处理，得到优化后的黑硅表面结构。2. 根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，步骤a)中所述清洗的温度为5°C~ 20°C，时间为Imin~IOmin。3. 根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述步骤a)还包括： 将清洗后的黑硅原料进行水洗，得到待处理的黑硅。4. 根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，步骤b)中所述碱性溶液包括氢氧化 钾溶液、氢氧化钠溶液和氨水溶液中的一种或多种。5. 根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，步骤b)中所述碱性溶液的质量浓度 为1%~35%。6. 根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，步骤b)中所述反应的温度为5°C~ 25°C，时间为Imin~IOmin。7. 根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，步骤b)中所述水洗的温度为5°C~ 80°C，时间为Imin~IOmin。8. 根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，步骤c)中所述酸处理的过程具体 为： 将处理后的黑硅浸渍在酸溶液中进行酸洗，再经水洗，得到优化后的黑硅表面结构。9. 根据权利要求8所述的处理方法，其特征在于，所述酸溶液为氢氟酸、盐酸和水的混 合酸溶液。10. 根据权利要求8所述的处理方法，其特征在于，所述酸洗的温度为5°C~20°C，时间 为Imin~IOmin0
【专利摘要】本发明提供了一种用于优化黑硅表面结构的处理方法，包括以下步骤：a)将黑硅原料在氢氟酸溶液中进行清洗，得到待处理的黑硅；b)将待处理的黑硅在碱性溶液中进行反应，再经水洗，得到处理后的黑硅；c)将处理后的黑硅进行酸处理，得到优化后的黑硅表面结构。采用本发明提供的处理方法对黑硅表面结构进行优化，不仅能够有效去除黑硅表面的多孔硅和金属离子杂质，还能够去除黑硅表面损伤和悬挂键，降低黑硅表面结构的复合速率，得到优化后的黑硅表面结构，在保证其具有较低反射率的同时，能够提高黑硅相应电池效率和相应组件功率。实验结果表明，采用本发明提供的处理方法优化后的黑硅相应电池效率在19％以上，相应组件功率在270W以上。
【IPC分类】H01L31/18, H01L31/0236
【公开号】CN105206709
【申请号】CN201510651538
【发明人】刘长明, 金井升, 蒋方丹, 金浩
【申请人】浙江晶科能源有限公司, 晶科能源有限公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2015年10月10日