可降低材料导入的成本。
[0046]兹以下列实例予以详细说明本发明，唯并不意谓本发明仅局限于此等实例所揭示的内容。
[0047]第一实施例
[0048]提供一玻璃基板，并以去离子水洗净后，以氮气将玻璃基板表面残留的水滴吹干，再于120°C烘箱烘干。使用硅_15wt%铝合金靶材，以反应性溅镀法沉积一硅铝氧化物薄膜于该玻璃基板上，做为缓冲层。使用纯铜靶材，以溅镀法沉积一金属铜薄膜于该硅铝氧化物薄膜上。最后，经由曝光、显影及刻蚀等工艺，将铜薄膜图案化成铜导线。
[0049]第二实施例
[0050]提供一塑胶基板，并以去离子水洗净后，以氮气将塑胶基板表面残留的水滴吹干，再于90°C烘箱烘干。使用硅_30wt%铝合金靶材，以反应性溅镀法沉积一硅铝氧化物薄膜于该玻璃基板上，做为缓冲层。使用纯铜靶材，以溅镀法沉积一金属铜薄膜于该硅铝氧化物薄膜上。最后，经由曝光、显影及刻蚀等工艺，将铜薄膜图案化成铜导线。
[0051]第三实施例
[0052]提供一玻璃基板，并以去离子水洗净后，以氮气将玻璃基板表面残留的水滴吹干，再于120°C烘箱烘干。使用硅_50wt%铝合金靶材，以反应性溅镀法沉积一硅铝氧化物薄膜于该玻璃基板上，做为缓冲层。使用纯铜靶材，以溅镀法沉积一金属铜薄膜于该硅铝氧化物薄膜上。最后，经由曝光、显影及刻蚀等工艺，将铜薄膜图案化成铜导线。
[0053]第四实施例
[0054]提供一玻璃基板，并以去离子水洗净后，以氮气将玻璃基板表面残留的水滴吹干，再于120°C烘箱烘干。使用硅_70wt%铝合金靶材，以反应性溅镀法沉积一硅铝氧化物薄膜于该玻璃基板上，做为缓冲层。使用纯铜靶材，以溅镀法沉积一金属铜薄膜于该硅铝氧化物薄膜上。最后，经由曝光、显影及刻蚀等工艺，将铜薄膜图案化成铜导线。
[0055]第五实施例
[0056]提供一玻璃基板，并以去离子水洗净后，以氮气将玻璃基板表面残留的水滴吹干，再于120°C烘箱烘干。使用硅_30wt%铝合金靶材，以反应性溅镀法沉积一硅铝氧化物薄膜于该玻璃基板上，接着使用铜靶以反应性溅镀法沉积一氧化铜薄膜于该硅铝氧化物薄膜上，以硅铝氧化物薄膜及氧化铜薄膜做为双层缓冲层。使用纯铜靶材，以溅镀法沉积一金属铜薄膜于该硅铝氧化物薄膜上。最后，经由曝光、显影及刻蚀等工艺，将铜薄膜及氧化铜薄膜图案化成铜导线。
[0057]比较例
[0058]提供一玻璃基板，并以去离子水洗净后，以氮气将玻璃基板表面残留的水滴吹干，再于120°C烘箱烘干。使用纯铜靶材，以溅镀法沉积一金属铜薄膜于该玻璃基板上。最后，经由曝光、显影及刻蚀等工艺，将铜薄膜图案化成铜导线。
[0059]参阅图8，其显示发明例I的附着性测试结果。如图8所示，以ASTM D3359规范测试发明例I (具有硅铝氧化物缓冲层)的附着性，经胶带黏着及撕取后，金属铜薄膜被切割边缘平滑完整，达到完全不剥落的5B等级。
[0060]发明例2至发明例5的金属铜薄膜同样以ASTM D3359规范测试附着性，其结果均与发明例I相同，达到完全不剥落的5B等级。
[0061]参阅图9，其显示比较例的附着性测试结果。如图9所示，以ASTM D3359规范测试比较例(没有硅铝氧化物缓冲层)的附着性，经胶带黏着及撕取后，金属铜薄膜完全剥落，附着性为ASTM D3359规范最差的OB等级。
[0062]比较图8及图9的结果可知，本发明以硅铝氧化物作为缓冲层，确实可大幅提升铜薄膜与玻璃基板的附着性。
[0063]参阅图10，其显示本发明玻璃基板沉积硅铝氧化物薄膜前后的穿透率量测结果。如图10所示，在波长400至780nm的可见光区域范围，沉积硅铝氧化物薄膜的玻璃基板的穿透率几乎与无硅铝氧化物薄膜的玻璃基板一致，穿透率皆可达到80%以上，显示以硅铝氧化物薄膜作为缓冲层，并不会阻挡背光的穿透，因此可保留在玻璃基板上，不需刻蚀。如此，可简化工艺刻蚀液配方及缩短刻蚀时间，进而可降低刻蚀液成本及提升刻蚀效率。
[0064]上述实施例仅为说明本发明的原理及其功效，并非限制本发明，因此习于此技术的人士对上述实施例进行修改及变化仍不脱本发明的精神。本发明的权利范围应如权利要求范围所列。
【主权项】
1.一种铜导线结构，其特征在于，包括: 一硅铝氧化物缓冲层，形成于一透明基板上；及 一图案化铜导线层，形成于该硅铝氧化物缓冲层上。2.如权利要求1所述的铜导线结构，其特征在于，该硅铝氧化物缓冲层的厚度为25至1000纳米。3.如权利要求1所述的铜导线结构，其特征在于，该透明基板选自如下的其中一种:玻璃基板及塑胶基板。4.如权利要求1所述的铜导线结构，其特征在于，另包括一氧化铜缓冲层，该氧化铜缓冲层形成于该硅铝氧化物缓冲层与该图案化铜导线层之间。5.如权利要求4所述的铜导线结构，其特征在于，该氧化铜缓冲层的厚度为10至1000纳米。6.如权利要求4所述的铜导线结构，其特征在于，该氧化铜缓冲层为图案化氧化铜缓冲层。7.一种铜导线结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤: (a)提供一透明基板； (b)形成一硅铝氧化物缓冲层于该透明基板上；及 (c)形成一图案化铜导线层于该硅铝氧化物缓冲层上。8.如权利要求7所述的铜导线结构的制造方法，其特征在于，步骤(a)的该透明基板选自如下的其中一种:玻璃基板及塑胶基板。9.如权利要求7所述的铜导线结构的制造方法，其特征在于，步骤(b)的该硅铝氧化物缓冲层的厚度为25至1000纳米。10.如权利要求7所述的铜导线结构的制造方法，其特征在于，步骤(b)形成该硅铝氧化物缓冲层的方法选自如下的其中一种:直流式真空磁控溅镀法、射频式真空磁控溅镀法及反应性溅镀法。11.如权利要求10所述的铜导线结构的制造方法，其特征在于，形成该硅铝氧化物缓冲层的溅镀靶材为硅铝合金。12.如权利要求11所述的铜导线结构的制造方法，其特征在于，该硅铝合金为石圭_15wt%招?娃-70wt%|g合金。13.如权利要求7所述的铜导线结构的制造方法，其特征在于，步骤(b)另包括形成一氧化铜缓冲层于该硅铝氧化物缓冲层上。14.如权利要求13所述的铜导线结构的制造方法，其特征在于，该氧化铜缓冲层的厚度为10至1000纳米。15.如权利要求13所述的铜导线结构的制造方法，其特征在于，步骤(c)的该图案化铜导线层形成于该氧化铜缓冲层上。16.如权利要求13所述的铜导线结构的制造方法，其特征在于，该氧化铜缓冲层为图案化氧化铜缓冲层。17.如权利要求7所述的铜导线结构的制造方法，其特征在于，步骤(c)形成该图案化铜导线层的方法选自如下的其中一种:直流式真空磁控溅镀法、射频式真空磁控溅镀法及反应性溅镀法。18.如权利要求17所述的铜导线结构的制造方法，其特征在于，形成该图案化铜导线层的溅镀靶材为纯度3η以上的纯铜。
【专利摘要】本发明关于一种铜导线结构及其制造方法。该铜导线结构包括一硅铝氧化物缓冲层及一图案化铜导线层。该硅铝氧化物缓冲层形成于一透明基板上。该图案化铜导线层形成于该硅铝氧化物缓冲层上。由此，可提升图案化铜导线层与透明基板的附着性达到ASTM？D3359规范最高的5B等级，且本发明的该硅铝氧化物缓冲层不需刻蚀，因此，可简化工艺刻蚀液配方及缩短刻蚀时间，进而可降低刻蚀液成本及提升刻蚀效率。
【IPC分类】H01L23/532, H01L21/768
【公开号】CN105280548
【申请号】CN201410530974
【发明人】董寰乾, 黄宏胜
【申请人】中国钢铁股份有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2014年10月10日