0生成了电流。同样如图4所示， 深η讲410形成在ρ型半导体衬底408中，在η型晶体管402的深η讲410与栅区416、和 /或源/漏区418之间留下隔离ρ型半导体衬底区414。值得注意的是，在不背离本公开的 精神和范围的情况下，其他阱工艺，诸如三阱工艺可以类似地取代深η阱410使用或者与后 者结合使用。由于在对集成电路底面的激光注入攻击期间，Ρ型半导体衬底408中的电荷 450通过ρ型半导体衬底408扩散，ρ型半导体衬底408和深η讲410之间的第一Ρ至Ν二 极管界面可以击抵制自电荷450的空穴扩散到η型晶体管402的栅区416和/或源/漏区 418上。另一方面，来自电荷450的电子通过该第一Ρ至Ν二极管界面扩散。然而，深η阱 410和隔离的ρ型半导体衬底区414之间的第一Ν至Ρ二极管界面可以抵制电子扩散到栅 区416和/或源/漏区418上。
[0054] 如图4进一步示出的，由于在对集成电路底面的激光注入攻击期间，来自ρ型半导 体衬底408深处的电荷450通过ρ型半导体衬底408扩散，因此ρ型半导体衬底408和η 阱412之间的第二Ρ至Ν二极管界面可以抵制来自电荷450的空穴扩散到第一ρ型晶体管 404和/或第二ρ型晶体管406的栅区420和/或源/漏区422上。另一方面，来自电荷 450的电子通过该第一Ρ至Ν二极管界面扩散。然而，第一ρ型晶体管404和/或第二ρ型 晶体管406的η阱412与栅区420和/或源/漏区422之间的第二Ν至Ρ二极管界面，可 以抵制电子扩散到第一Ρ型晶体管404和/或第二ρ型晶体管406的栅区420和/或源/ 漏区422上。
[0055] 通讨监棹Ν阱偏詈电流检测激光沣入攻击
[0056] 图5示出了根据本公开示例性实施例的用于检测激光注入攻击的技术。如图5所 示，集成电路500包括一个或多个保护晶体管502。该一个或多个保护晶体管502可以表示 η型晶体管402、第一ρ型晶体管404和/或第二ρ型晶体管406的示例性实施例。集成电 路500可以包括η阱504和可选的深η阱506。
[0057] 在激光诸如攻击期间，例如如图1所示，在集成电路500的底面，从ρ型半导体衬 底502的底面扩散的电荷550在ρ型半导体衬底502和η阱504之间的反向偏置Ρ至Ν二 极管上生成了电流。该电流一般大于当没有发生激光注入攻击时在该反向偏置Ρ至Ν二极 管上正常生成的电流。可以使用检测系统来检测在反向偏置Ρ至Ν二极管上生成的电流。 可选的深η阱506可以用于增大激光注入攻击期间反向偏置Ρ至Ν二极管上的电流和不存 在激光注入攻击时反向偏置Ρ至Ν二极管上的电流之间的差，以允许检测系统更容易地检 测激光注入攻击。值得注意的是，如图5所示的用于检测激光注入攻击的技术还可以用于 检测集成电路500的顶面上的激光注入攻击。
[0058] 结论
[0059] 以下的详细说明书参照附图来说明与本公开一致的示例性实施例。在本公开中对 "示例性实施例"的引用指示所描述的示例性实施例可以包括特定特征、结构、或特性，但是 未必每个示例性实施里都包括该特殊特征、结构、或特性。此外，这种术语未必指相同的示 例性实施例。此外，结合示例性实施例描述的任何特征、结构、或特性可以单独或者以任意 组合包含在其他无论是否明确描述的示例性实施例的特征、结构、或特性中。
[0060] 出于说明性目的提供了在本公开中描述的示例性实施例，而无意进行限制。其他 示例性实施例也是可能的，并且在本公开的精神和范围内，可以对示例性实施例进行修改。 已经借助于示出了具体功能及其的关系的实现的功能构造块描述了本公开。为了便于描 述，文中任意地定义了这些功能构造块的边界。只要能适当地执行具体功能及其关系，可以 定义不同的边界。
[0061] 为了便于论述，术语"模块"应当理解为包括软件、固件、和硬件中的至少一个（诸 如一个或多个电路、微芯片、或设备、或其任意组合）、或者其组合。另外，将会理解，每个模 块都可以包括实际设备中的一个或一个以上的部件，并且形成所描述的模块的一部分的每 个部件都可以与形成模块的一部分的任何其他部件合作或独立起作用。反之，文中描述的 多个模块可以表示实际设备中的单个部件。进一步地，模块中的部件可以在单个设备中，或 者以有线或无线方式分布在多个设备中。
[0062] 示例性实施例的详细说明书充分揭示了本公开的一般本质，S卩，通过应用相关领 域普通技术人员的知识，在不背离本公开的精神和范围的情况下，不需要过度实验，他人可 以容易地修改和/或调整这种示例性实施例用于各种应用。因此，基于文中给出的教导，这 种调整和修改旨在示例性实施例的意义和多个等同物内。将会理解，文中的措辞或术语是 用于描述而非限制的目的，使得本说明书的措辞或术语由相关领域的普通技术人员就文中 的教导进行解释。
【主权项】
1. 一种集成电路，形成在半导体衬底上，用于检测激光注入攻击，包括： 第一扩散区，在所述半导体衬底中，所述第一扩散区形成第一晶体管的第一区；以及 第二扩散区，在所述半导体衬底中，所述第二扩散区形成第二晶体管的第二区， 其中，所述第一扩散区的大小不同于所述第二扩散区的大小，以使得在所述激光注入 攻击期间，由所述第一扩散区接受或捐献的第一电荷不同于由所述第二扩散区捐献或接受 的第二电荷。2. 根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一扩散区包括p型扩散层，并且，其 中，所述第二扩散区包括η型扩散层。3. 根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管分别是ρ 型晶体管和η型晶体管，并且， 其中，所述第一区和所述第二区分别包括： 所述Ρ型晶体管的漏区和所述η型晶体管的漏区。4. 根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一扩散区的大小小于所述第二扩散 区的大小，并且， 其中，在所述激光注入攻击期间，由所述第一扩散区接受或捐献的所述第一电荷小于 由所述第二扩散区捐献或接受的所述第二电荷。5. 根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一扩散区的大小大于所述第二扩散 区的大小，并且， 其中，在所述激光注入攻击期间，由所述第一扩散区接受或捐献的所述第一电荷大于 所述第二扩散区捐献或接受的所述第二电荷。6. 根据权利要求1所述的集成电路，其中，在所述激光注入攻击期间，所述第一扩散区 被配置为被充电到逻辑低并且改变到逻辑高，并且所述第二扩散区被配置为被充电到逻辑 高并且改变到逻辑低。7. 根据权利要求1所述的集成电路，其中，在所述激光注入攻击期间，所述第一扩散区 被配置为被充电到逻辑高并且改变到逻辑低，并且所述第二扩散区被配置为被充电到逻辑 低并且改变到逻辑高。8. 根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管被实施 为锁存电路的一部分，在所述激光注入攻击期间，所述锁存电路在第一逻辑电平并且改变 到不同于所述第一逻辑电平的第二逻辑电平。9. 根据权利要求1所述的集成电路，进一步包括 一个或多个有源部件，被配置并布置为执行一个或多个功能，所述第一晶体管和所述 第二晶体管形成所述一个或多个有源部件的一部分。10. -种集成电路，形成在半导体衬底上，用于检测激光注入攻击，包括： 第一晶体管，形成在所述半导体衬底的第一扩散区中；以及 第二晶体管，形成在所述半导体衬底的第二扩散区中， 其中，所述第一扩散区的大小不同于所述第二扩散区的大小，以使得在激光注入攻击 期间，由所述第一扩散区接受或捐献的第一电荷不同于由所述第二扩散区捐献或接受的第 二电荷。
【专利摘要】本公开涉及检测和防止光攻击的系统和方法，说明了用于检测电子设备中的光故障注入和/或防止光故障注入在电子设备中引起可利用异常的各种系统和方法。这些各种系统和方法可以包括能够检测或防止激光注入攻击的系统和方法，其可以包括一个或多个小尺寸互补金属氧化物硅(CMOS)光检测电路，或者可以屏蔽一个或多个晶体管不受底面激光注入攻击的结构。
【IPC分类】H01L27/092, H01L23/552
【公开号】CN105280618
【申请号】CN201510325635
【发明人】内森·欣德曼, 马克·布尔
【申请人】美国博通公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年6月12日
【公告号】CN205069628U, EP2955750A1, US20150364433