侧 流至另一侧（例如，在器件216与电子背板220之间），但基本上阻挡电流横跨粘合剂224 流动W维持器件216的电隔离。示例粘合剂可包括但不限于购自美国新泽西州月桂山市山 瑞科学有限公司（SunRayScientificLLC,MountLaurel,化WJersey,USA)的ZTACH饭、 或来自美国明尼苏达州圣保罗市發（3M⑥，St.Paul,Minnesota,USA)的各向异性导电 膜（AC巧粘合膜。在一些实施方案中，粘合剂224可包括与电子背板220 -起图案化或印 刷的导电粘合剂。
[0022] 用于形成包括具有隔离器件的图案化基板的装置、或包括运种装置的系统的方法 的各操作在图3至图15中通过各方法的各个阶段下的装置的横截面侧视图来示出，应注意 的是，所讨论和/或所示出的各操作一般可被称为按顺序的多个离散操作W帮助理解各种 实施方案。除非明确表述，否则描述的顺序不应被理解为意指运些操作是依赖顺序的。此 夕F，一些实施方案可包括要比可描述的更多或更少的操作。
[0023] 现在转至图3, 一种用于形成在图案化基板上具有隔离器件的装置的方法可W具 有导电材料层303的起始材料328开始或继续进行。导电材料303可W在另一基板上，该 另一基板可W是与起始材料328相同或不同的材料。可图案化起始材料328,W便形成具 有隆起区域314和凹陷区域312的基板302,如图4和图5所示，其中导电材料层303暴露 于凹陷区域312中。对于本文所述的各种实施方案，基板302可由多种柔性和刚性材料中 的任何一种形成。在各种实施方案中，基板302可包括介电材料。在一些实施方案中，基板 302可包括柔性材料，诸如但不限于聚醋、聚酷亚胺、聚丙締酸、聚碳酸醋、娃酬、其他有机或 无机聚合物，W及它们的组合。可在挤出机中处理用于柔性基板的起始材料328,W便形成 基板片或卷。在一些实施方案中，基板302可包括刚性材料，诸如但不限于玻璃、石英、蓝宝 石、刚性塑料及它们的组合。
[0024] 可使用产生睹壁的任何工艺来图案化基板302。在各种实施方案中，可使用压印 光刻或冲压来图案化基板302。在其他实施方案中，可使用另一类型的蚀刻操作（诸如，例 如，激光蚀刻、光蚀刻微影、湿法或干法蚀刻等）来图案化基板302。
[00巧]可利用W可形成物理隔离的器件区域的方式来分割基板的图案来图案化基板 302。在各种实施方案中，运种图案可包括如对于图4和图5中的基板302所示的两级，或 对于如图6中所示的基板602的多级。 阳026] 如图7所示，可在基板302上形成导电材料层310。如本文中所指出，导电材料层 310可形成要被制造的器件的底部电极，并且可通过导电材料层303与一个或多个其他器 件进行接触。在各种实施方案中，导电材料层310可包括选自金属氧化物（诸如，例如，铜 锡氧化物等）、金属、石墨及它们的组合的导电材料。可使用真空沉积、化学气相沉积或多种 其他沉积操作中的任何一种来形成导电材料层310。
[0027] 为了形成隔离器件，可能需要在导电材料层310中形成多个中断，W便形成导电 材料层310的隔离区域。如图8中所示，导电材料层310中的中断可形成在基板302的隆 起区域314的侧壁330中的至少一个上。在各种实施方案中，可通过蚀刻W从侧壁330中 的至少一个中移除导电材料310来形成导电材料层310中的中断。
[0028] 随后，可将有源堆叠沉积或涂覆至具有断裂的导电材料层310的基板302上，W便 形成类似于图1中所示的装置100的装置。在各种实施方案中，可通过旋涂、刮涂、蒸发、或 另一操作来形成具有导电材料层108的有源堆叠。在各种实施方案中，可预先形成具有导 电材料层108的有源堆叠106并将它们同时沉积到导电材料层110上，或可按顺序沉积它 们W形成隔离器件116。
[0029] 图9-11示出了形成具有中断的导电材料层910W形成隔离器件的另一示例。如 图9中所示，可通过相对于基板902的主要表面W-角度沉积导电材料层910来形成导电 材料层910。如图10中所示，基板902可包括导电材料层903,并且可被压印有具有隆起区 域914和凹陷区域912的图案。还如图10中所示，W-角度沉积导电材料层910可导致隆 起区域914的侧壁930中的一些被遮蔽且未被涂覆有导电材料层910。在各种实施方案中， 凹陷区域912之间的被遮蔽的侧壁930可确保在导电材料层910中形成中断，W使得可如 本文中所述那样形成隔离器件。随后，可将有源堆叠906W及另一导电材料层908沉积或 涂覆到具有断裂的导电材料层910的基板902上，如图11中所示。在各种实施方案中，可 通过旋涂、刮涂、蒸发、或另一操作来形成具有导电材料层908的有源堆叠906。在各种实施 方案中，可预先形成具有导电材料层908的有源堆叠906并将它们同时沉积到导电材料层 910上，或可按顺序沉积它们W形成包括隔离器件916的装置900。
[0030] 图12-15示出了形成具有中断的导电材料层1210W形成具有隔离器件1216的装 置1200的又一示例。如图12中所示，基板1202可包括导电材料层1203W及具有第一介 电材料层1232和位于第一介电材料层1232上的第二介电材料层1234的双层图案。可在 第一介电材料层1232中形成多个底切1236,如图13中所示。在各种实施方案中，可通过蚀 刻操作来形成底切1236,并且在运些实施方案中的至少一些中，第一介电材料层1232可由 具有比第二介电材料层1234的蚀刻速率快的蚀刻速率的材料形成。
[0031] 在形成底切1236之后，如图14所示，可在基板1202上形成导电材料层1210。如 所示，底切1236在该导电材料层中产生中断，从而使得当有源层1206W及另一导电材料层 1208形成在基板1202之上时，如图15中所示，形成隔离器件1216。
[0032] 如本文中所指出，根据各实施方案的装置可包括在横杆架构的结点处形成的开 关。图16示出了包括横杆架构的示例装置1600。如所示，基板1602可包括多行凹陷区域 1638W及多行隆起区域1640。可在如所示的凹陷区域1638中形成导电材料层，从而形成 多个隔离的导线1642。装置1600可进一步包括位于基板1602上并相对于多个导线1642 垂直地延伸的多个印刷的介电材料线1644。在各种实施方案中，可使用压印光刻操作或其 他图案化操作来压印介电材料线1644。例如，在一些实施方案中，介电材料覆盖层可形成在 基板上，并且随后被图案化W形成图16中所示的结构。随后可将有源堆叠1608W及导电 材料层1610沉积或涂覆到基板1602上W形成其中器件形成在导线1642与有源堆叠1606 的交叉部分处的装置。
[0033] 在图17-19中示出了描述根据各实施方案的描述用于制造包括具有隔离器件区 域的图案化基板的装置的各种方法的流程图。虽然运些流程图W特定顺序示出了各种操 作，但运些附图并不旨在将本公开限制到任何特定顺序。另外，附图并不旨在暗示所有实施 方案都需要全部操作。
[0034] 现在转至图17,方法1700的处理可W在框1705处用图案压印基板的区域开始或 继续进行。在各种示例中，可用具有处于第一级的多个凹陷区域和处于第二级的多个隆起 区域的图案来压印该基板。在各种示例中，该压印可包括对基板的漉对漉压印W形成图案。 在各种实施方案中，基板可包括用于提供