1进行干化学刻蚀来剥除。掩膜层60的厚度耦合到第一封装层11的厚度上，使得在第二封装层12上停止刻蚀。刻蚀停止例如能够通过在第二封装层12的例如Α1203层或Ta 205层上的终点检测来实现。
[0076]第一封装层11在刻蚀过程中被剥除。在此重要的是，刻蚀过程不在ρ型连接层31上停止、即例如不在铂层上停止，而是在第二封装层12上停止，所述第二封装层通过电绝缘材料形成。通过所使用的干式刻蚀步骤，第二封装层2由于其相比在二氧化硅上的刻蚀更小的选择性几乎不被侵蚀并且在其厚度方面例如减小5nm至7nm之间。
[0077]由于在刻蚀时不侵蚀金属，省去被剥离的金属例如在有源区域4的区域中在半导体本体上的再沉积。由此改进小电流特性，并且关于小电流特性减小潜在的老化问题。
[0078]在下一个方法步骤中，图1P，进行第五封装层15的施加，所述第五封装层是ALD层，所述第五封装层例如能够与第二封装层12相同地构成。在此构成第二和第五封装层之间的接触点TP，其中这两个封装层彼此直接接触。第二封装层12在与第五封装层15的直接接触的区域中具有被刻蚀的表面并且其厚度在该处减小。
[0079]接下来将第六封装层16作为半导体本体的封闭钝化部施加到第五封装层15的背离载体50的侧上，所述第六封装层例如通过二氧化硅形成或者由二氧化硅构成。
[0080]如结合图1Q所描述的那样，将ρ型连接层31露出并且将接触区域43沉积到ρ型连接层31上，所述接触区域例如能够是可金属丝接触的。
[0081]整体上，结合图1Q描述一种光电子半导体芯片，所述光电子半导体芯片具有:
[0082]-半导体本体10，所述半导体本体包括η型传导的区域2、设置用于产生电磁辐射的有源区域4和ρ型传导的区域3 ；
[0083]-第一镜层21，所述第一镜层设置用于反射电磁辐射；
[0084]-第一封装层11，所述第一封装层通过电绝缘的材料形成；
[0085]-第二封装层12，所述第二封装层通过电绝缘的材料形成；和
[0086]-第三封装层13，所述第三封装层通过电绝缘的材料形成，
[0087]其中
[0088]-第一镜层21设置在ρ型传导的区域3的下侧上，
[0089]-有源区域4设置在ρ型传导的区域3的背离第一镜层21的侧上，
[0090]-η型传导的区域2设置在有源区域4的背离ρ型传导的区域3的侧上，
[0091]-第一、第二和第三封装层11、12、13局部地覆盖半导体本体10的外面，
[0092]-第三封装层13在其背离ρ型传导的区域3的侧上完全地遮盖第一镜层21并且局部地与第一镜层21直接接触，
[0093]-第二封装层12和第三封装层13在第一镜层21的侧向的区域中局部地彼此直接接触，并且
[0094]-第二封装层12和第三封装层13是ALD层。
[0095]本发明不通过根据实施例的描述而受限于此。更确切地说，本发明包括每个新的特征以及特征的每个组合，这尤其包含在权利要求中的特征的每个组合，即使该特征或者该组合本身未详细地在权利要求或实施例中给出时也是如此。
[0096]本专利申请要求德国专利申请102013107531.2的优先权，所述德国专利申请的公开内容就此通过参弓I并入本文。
【主权项】
1.一种光电子半导体芯片，具有: -半导体本体(10)，所述半导体本体包括η型传导的区域(2)、设置用于产生电磁辐射的有源区域⑷和Ρ型传导的区域⑶； -第一镜层(21)，所述第一镜层设置用于反射电磁辐射； -第一封装层(11)，所述第一封装层通过电绝缘的材料形成； -第二封装层(12)，所述第二封装层通过电绝缘的材料形成；和 -第三封装层(13)，所述第三封装层通过电绝缘的材料形成， 其中 -所述第一镜层(21)设置在所述ρ型传导的区域(3)的下侧上， -所述有源区域(4)设置在所述ρ型传导的区域(3)的背离所述第一镜层(21)的侧上， -所述η型传导的区域(2)设置在所述有源区域(4)的背离所述ρ型传导的区域(3)的侧上， -所述第一封装层、第二封装层和第三封装层(11、12、13)局部地覆盖所述半导体本体(10)的外面， -所述第三封装层(13)完全地遮盖所述第一镜层(21)的背离所述ρ型传导的区域(3)的侧并且局部地与所述第一镜层(21)直接接触， -所述第二封装层(12)和所述第三封装层(13)在所述第一镜层(21)的侧向的区域中局部地彼此直接接触，并且 -所述第二封装层(12)和所述第三封装层(13)是ALD层。2.根据上一项权利要求所述的光电子半导体芯片，具有: 第二镜层(22)，所述第二镜层设置在所述第三封装层(13)的背离所述半导体本体(10)的下侧上，其中所述第二镜层(22)沿着横向方向伸出所述半导体本体(10)的所述外面。3.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体本体， 其中所述第一封装层(11)在所述半导体本体(10)的所述外面上从所述有源区域(4)沿着所述Ρ型传导的区域(3)延伸直至所述第一镜层(21)的侧面，其中所述第一封装层(11)与所述第一镜层(21)直接接触。4.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片， 具有第四封装层(14)，所述第四封装层完全地遮盖所述第三封装层(13)的背离所述半导体本体(10)的侧并且至少局部地与所述第三封装层(13)直接接触。5.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片， 具有第五封装层(15)，所述第五封装层是ALD层，其中所述第五封装层(15)至少在所述η型传导的区域(2)上完全地覆盖所述半导体本体(10)的所述外面并且在所述半导体本体(10)的侧向局部地与所述第二封装层(12)直接接触。6.根据上一项权利要求所述的光电子半导体芯片， 其中所述第二封装层(12)在与所述第五封装层(15)接触的区域中具有刻蚀工艺的痕迹。7.根据上两项权利要求中的任一项所述的光电子半导体芯片， 其中所述第二封装层(12)在与所述第五封装层(15)接触的区域中与在所述第二封装层(12)和所述第五封装层(15)之间不接触的区域中相比是更薄的。8.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片， 具有至少一个穿通接触部(40)，所述穿通接触部延伸穿过所述ρ型传导的区域(3)和所述有源区域(4)直至进入到所述η型传导的区域(2)中，其中 -所述穿通接触部(40)包括η型接触材料(41)，所述η型传导的区域(2)经由所述η型接触材料是能够电接触的，并且 -所述半导体本体(10)除至少一个所述穿通接触部(40)以外完全地由所述第三封装层(13)和所述第五封装层(15)围绕。9.根据上一项权利要求所述的光电子半导体芯片， 其中所述第一封装层、第二封装层、第三封装层和第四封装层(11，12，13，14)局部地直接邻接于所述η型接触材料(41)。10.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片， 具有第二镜层(22)，所述第二镜层设置在所述η型接触材料(41)的背离所述η型传导的区域⑵的下侧上，其中所述第三封装层(13)和所述第四封装层(14)局部地设置在所述第一镜层(21)和所述第二镜层(22)之间。11.根据上一项权利要求所述的光电子半导体芯片， 其中所述第二镜层(22)沿着横向方向伸出所述半导体本体(10)的所述外面。12.根据上述两项权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片， 其中所述第二镜层(22)至少局部地在接触区域(43)下方延伸， 其中所述第二镜层(22)至少通过所述第三封装层(13)与所述接触区域(32)电绝缘，并且所述接触区域(43)设置用于从所述半导体芯片的外部在ρ型侧连接所述半导体芯片。13.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片， 其中所述第一镜层(21)的侧面和所述η型传导的区域(2)的侧面之间的间距在横向方向上至多为2.5 μπι。14.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片， 其中所述Ρ型传导的区域(3)和所述第一镜层(21)在其侧面上局部地由金属的封装层(42)遮盖， 其中所述封装层序列(20)在所述金属的封装层(42)和所述侧面之间延伸。
【专利摘要】提出一种光电子半导体芯片，其中是ALD层的封装层(13)完全地遮盖第一镜层(21)的背离p型传导的区域(3)的侧并且所述封装层局部地与第一镜层(21)直接接触。
【IPC分类】H01L33/38, H01L33/40, H01L33/22, H01L33/00, H01L33/44
【公开号】CN105393369
【申请号】CN201480040795
【发明人】卡尔·恩格尔, 格奥尔格·哈通, 约翰·艾布尔, 迈克尔·胡贝尔, 马库斯·毛特
【申请人】欧司朗光电半导体有限公司
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2014年6月25日
【公告号】DE102013107531A1, DE112014003318A5, US20160172545, WO2015007486A1