装置通常包括酸槽和盖板，以及其他结构。上述装置可以通过在清洗装置中的盖板上加装紫外灯30以及所需的电路而成。此时，本领域的技术人员很容易根据现有清洗装置改装得到本申请提供的去除芯片40中残留电荷的装置，且改装的方法简单、易于实行。发明人将采用改装清洗装置获得的装置用于去除芯片40中的残留电荷，取得了很好的效果。
[0031]同时，本申请还提供了一种去除芯片中残留电荷的方法。该芯片包括导电结构、位于导电结构上的介质层和位于介质层中的通孔，且通孔通过刻蚀介质层至暴露出导电结构形成，残留电荷位于通孔中导电结构的表面上。如图2所示，该方法包括:将溶液倒入本申请提供的上述装置中的槽体中，并将至少一个芯片置于槽体中；将装置中的槽盖盖在槽体上，并使装置中的紫外灯变亮；进行紫外光照射处理，以使紫外光通过溶液折射到通孔中导电结构的表面上。
[0032]上述方法通过使紫外光通过槽体中溶液折射到通孔中导电结构的表面上，并利用紫外光能够去除残留电荷的原理，从而去除累积在通孔中导电结构的表面上的残留电荷，并去除传导至栅极上的残留电荷，进而减少了由残留电荷形成的漏电流对栅极下方的栅极氧化物的损伤，并最终提高了芯片的可靠性。
[0033]下面将更详细地描述根据本申请的示例性实施方式。然而，这些示例性实施方式可以由多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的实施方式。应当理解的是，提供这些实施方式是为了使得本申请的公开彻底且完整，并且将这些示例性实施方式的构思充分传达给本领域普通技术人员。
[0034]首先，将溶液倒入本申请提供的上述装置中的槽体中，并将至少一个芯片置于槽体中。在该步骤中，将溶液倒入槽体中和将芯片置于槽体中的先后顺序可以改变。即可以先将溶液倒入槽体中，然后再将芯片置于槽体中；也可以先将芯片置于槽体中，再将溶液倒入槽体中。在将芯片置于槽体的步骤中，可以将芯片沿垂直于槽体底部的方向置于槽体中。
[0035]上述溶液能够使紫外光发生折射，并照射到通孔中导电结构的表面上。本领域的技术人员可以根据本申请的教导选择上述溶液。在一种优选的实施方式中，溶液的折射率不小于1.3。更为优选地，溶液为水或醇。其中，醇可以为乙醇或异丙醇(IPA)等。需要注意的是，上述溶液不会腐蚀芯片。
[0036]完成将溶液倒入本申请提供的上述装置中的槽体中，并将至少一个芯片置于槽体中的步骤之后，将装置中的槽盖盖在槽体上，并使装置中的紫外灯变亮。在该步骤中，可以在将装置中的槽盖盖在槽体上之后，手动打开紫外灯；也可以在将装置中的槽盖盖在槽体上时，自动打开紫外灯。
[0037]完成将装置中的槽盖盖在槽体上，并使装置中的紫外灯变亮的步骤之后，进行紫外光照射处理，以使紫外光通过溶液折射到通孔中导电结构的表面上。该紫外光能够通过槽体中的溶液折射到通孔中的导电结构的表面上，从而去除累积在通孔中导电结构的表面上的残留电荷，并去除传导至栅极上的残留电荷。
[0038]本领域的技术人员可以根据实际工艺需求，选择紫外光照射处理的工艺条件，t匕如紫外光的波长、紫外光的光强度以及照射时间等。发明人经过大量理论和实验研究之后，得到了紫外光照射处理的最佳工艺条件。该最佳工艺条件中，紫外光的波长为100?300nm，紫外光的光强度为100?2000mW/cm2，紫外光的照射时间为2?10分钟。满足上述工艺条件的紫外光照射处理能够更完全地去除累积在通孔中导电结构的表面上的残留电荷，并更完全地去除传导至栅极上的残留电荷，进而进一步减少了由残留电荷形成的漏电流对栅极下方的栅极氧化物的损伤，并进一步提高了芯片的可靠性。
[0039]本申请还提供了一种芯片，包括导电结构、位于导电结构上的介质层和位于介质层中的通孔，且通孔通过刻蚀介质层至暴露出导电结构而形成，其中该芯片经本申请上述的方法处理而成。该芯片中累积在通孔中导电结构的表面上的残留电荷得以去除，并使得栅极上的残留电荷得以去除，从而减少了由残留电荷形成的漏电流对栅极下方的栅极氧化物的损伤，并提高了芯片的可靠性。
[0040]从以上的描述中，可以看出，本申请上述的实施例实现了如下技术效果:提供了一种包括槽体，用于密封所述槽体的槽盖，以及设置于槽盖朝向槽体的一面上的至少一个紫外灯的装置，且该装置中的槽盖盖在槽体上时使紫外灯变亮。该装置中紫外灯发出的紫外光会照射到置于槽体中的芯片上，并利用紫外光能够去除残留电荷的原理去除芯片中残留电荷。该芯片包括导电结构、位于导电结构上的介质层和位于介质层中的通孔，且通孔通过刻蚀介质层至暴露出导电结构而形成，通孔中导电结构的表面上形成有残留电荷。紫外光能够通过槽体中溶液折射到通孔中导电结构的表面上，从而去除累积在通孔中导电结构的表面上的残留电荷，并去除传导至栅极上的残留电荷，进而减少了由残留电荷形成的漏电流对栅极下方的栅极氧化物的损伤，并最终提高了芯片的可靠性。
[0041]以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
【主权项】
1.一种去除芯片中残留电荷的装置，其特征在于，所述装置包括:槽体，用于密封所述槽体的槽盖，以及设置于所述槽盖朝向所述槽体的一面上的至少一个紫外灯，且所述槽盖盖在所述槽体上时使所述紫外灯变亮。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置包括多个所述紫外灯，各所述紫外灯沿所述槽盖的长度方向或宽度方向依次设置。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，各所述紫外灯以相同间隔距离间隔设置。4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括与所述紫外灯电连接的触发开关，所述触发开关打开时所述紫外灯变亮。5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述触发开关设置于所述槽体或所述槽盖上，且所述槽盖在所述槽体上时所述触发开关自动打开。6.根据权利要求1至5中任一项所述的装置，其特征在于，所述装置还包括设置于所述槽体中的至少一个载体，所述载体用于盛放所述芯片。7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述槽体为用于清洗通孔的清洗装置中的酸槽，所述槽盖为所述清洗装置中的盖板。8.—种去除芯片中残留电荷的方法，所述芯片包括导电结构、位于所述导电结构上的介质层和位于所述介质层中的通孔，且所述通孔通过刻蚀介质层至暴露出所述导电结构而形成，所述残留电荷位于所述通孔中所述导电结构的表面上，其特征在于，所述方法包括: 将溶液倒入权利要求1至7中任一项所述的装置中的槽体中，并将至少一个所述芯片置于所述槽体中； 将所述装置中的槽盖盖在所述槽体上，并使所述装置中的紫外灯变亮； 进行紫外光照射处理，以使所述紫外光通过所述溶液折射到所述通孔中所述导电结构的表面上。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，将所述溶液倒入所述槽体的步骤中，将折射率不小于1.3的所述溶液倒入所述槽体中。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述溶液为水或醇。11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，将所述芯片置于所述槽体的步骤中，将所述芯片沿垂直于所述槽体底部的方向置于所述槽体中。12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述紫外光照射处理的步骤中，所述紫外光的波长为100?300nm，所述紫外光的光强度为100?2000mW/cm2，所述紫外光的照射时间为2?10分钟。13.—种芯片，包括导电结构、位于所述导电结构上的介质层和位于所述介质层中的通孔，且所述通孔通过刻蚀介质层至暴露出所述导电结构而形成，其特征在于，所述芯片经权利要求8至12中任一项所述的方法处理而成。
【专利摘要】本申请公开了一种去除芯片中残留电荷的装置和方法及芯片。其中，该装置包括：槽体，用于密封槽体的槽盖，以及设置于槽盖朝向槽体的一面上的至少一个紫外灯，且槽盖盖在槽体上时使紫外灯变亮。该芯片包括导电结构、位于导电结构上的介质层和位于介质层中的通孔，且通孔通过刻蚀介质层至暴露出导电结构而形成，残留电荷位于通孔中导电结构的表面上。该方法包括：将溶液倒入本申请上述的装置中的槽体中，并将至少一个芯片置于槽体中；将装置中的槽盖盖在槽体上，并使装置中的紫外灯变亮；进行紫外光照射处理，以使紫外光通过溶液折射到通孔中导电结构的表面上。本申请能够减少芯片中残留电荷，从而提高芯片的可靠性。
【IPC分类】H01L21/768, H01L21/02, H01L23/528
【公开号】CN105448656
【申请号】CN201410443826
【发明人】胡昌杰
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2014年9月2日