Led芯片切割方法
【技术领域】
[0001 ]本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种LED芯片切割方法。
【背景技术】
[0002]激光切割是利用激光器所发出的高能激光，经过透镜聚焦，在聚焦出达到极高功率密，处于其焦点处的工件受到高功率密度的激光光斑照射，会产生局部高温，使工件材质瞬间汽化和融化，同时通过控制平台带动工件移动，形成一种非接触式的新型切割模式。激光加工由于具有能量集中，热影响区域小，无需接触加工工件，对工件无污染，不受电磁干扰且激光束易于聚集，便于自动化控制等优点，现已广泛应用于半导体、LED和光伏太阳能等许多领域。其中，LED芯片的切割技术受到广泛研究。
[0003]长期以来，国内外学者都不断提出各种方案，国内外一些科研院所和公司也对此进行大量研究和实验，取得了一些成果。其中有以美国Newave为主的厂家，通过蓝宝石作为底衬材料采用355nm、266nm等短波长激光的切割技术，解决了蓝宝石切割难度大的问题，达到了小芯片和窄切割道的目的;还有目前普遍使用的将激光水晶内雕技术运用在蓝宝石切割的皮秒切割设备，提高了芯片亮度，比传统切割技术有了较大的提高。
[0004]但是，无论是短波长激光切割还是通过皮秒切割设备切割，通过其切割后产生的切割口为“V”字形，这种“V”字形切口过于狭窄，容易残留碎肩粉末等异物，进而影响芯片的亮度等技术参数，导致芯片漏电甚至产生击穿现象。
【发明内容】
[0005]针对现有技术的不足，本发明提供了一种LED芯片切割方法，能够解决“V”字形切口容易残留碎肩粉末等异物的问题。
[0006]为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现:一种LED芯片切割方法，包括以下步骤:
[0007]SI:对LED芯片进行MESA刻蚀处理；
[0008]S2:对LED芯片进行掩膜处理；
[0009]S3:将LED芯片置于激光划片机中；
[0010]S4:将激光束进行聚焦；
[0011]S5:将LED芯片沿竖直方向向下移动；
[0012]S6:对LED芯片进行划片处理。
[0013]所述的步骤S2中的掩膜使用的材料为Si02。
[0014]所述的Si02厚度为2000A。
[0015]所述的步骤S4中的聚焦点位于LED芯片上。
[0016]所述的步骤S5中移动的距离为2_4μπι。
[0017]所述的步骤S6中，进行划片时，激光划片机的功率比普通聚焦划片工艺的功率增加 10%-15%。
[0018]本发明提供了一种LED芯片切割方法，通过改变LED芯片与激光聚焦点的位置，产生“U”字形切口，减少了异物残留，便于清理，从而提高产品品质。
【附图说明】
[0019]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1是本发明的加工方式示意图；
[0021 ]图2是本发明的加工结果结构示意图；
[0022]图3是所述的短波长激光切割加工结果结构示意图。
[0023]图中1、激光束，2、激光束聚焦点，3、LED芯片，4、“U”字形切口，5、“V”字形切口。
【具体实施方式】
[0024]为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0025]如图1所示，本发明实施例所述的一种LED芯片切割方法，包括以下步骤:
[0026]SI:对LED芯片进行MESA刻蚀处理；
[0027]S2:对LED芯片进行掩膜处理；
[0028]S3:将LED芯片置于激光划片机中；
[0029]S4:将激光束进行聚焦；
[0030]S5:将LED芯片沿竖直方向向下移动；
[0031]S6:对LED芯片进行划片处理。
[0032]其中，所述的步骤S2中的掩膜使用的材料为厚度为2000A的Si02。所述的步骤S4中的聚焦点位于LED芯片上。所述的步骤S5中移动的距离为2-4μπι。所述的步骤S6中，进行划片时，激光划片机的功率比普通聚焦划片工艺的功率增加10%_15%。
[0033]首先通过刻蚀处理除去芯片表面部分区域的P层，再对芯片进行掩膜处理，在PECVD机台中沉积厚度为2000Α的S12，从而选定出工作区域。然后将晶片放置于激光划片机的载台上，正面朝上，正对激光束，调整激光头，使激光束聚焦于芯片表面待划处，激光束聚焦后将芯片沿竖直方向向下移动2-4μπι，再将激光划片机的功率增加10—15%进行划片。
[0034]综上所述，本发明提供了一种LED芯片切割方法，加工出的芯片切口为“U”字形，与传统的加工手段产生的“V”字形切口相比，减少了异物残留，有利于清理，保证了产品的品质。
[0035]以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
【主权项】
1.一种LED芯片切割方法，其特征在于包括以下步骤: 51:对LED芯片进行MESA刻蚀处理； 52:对LED芯片进行掩膜处理； 53:将LED芯片置于激光划片机中； S4:将激光束进行聚焦； 55:将LED芯片沿竖直方向向下移动； 56:对LED芯片进行划片处理。2.如权利要求1所述的LED芯片切割方法，其特征在于:所述的步骤S2中的掩膜使用的材料为S12。3.如权利要求2所述的LED芯片切割方法，其特征在于:所述的S12厚度为2000A。4.如权利要求1所述的LED芯片切割方法，其特征在于:所述的步骤S4中的聚焦点位于LED芯片上。5.如权利要求1所述的LED芯片切割方法，其特征在于:所述的步骤S5中移动的距离为2_4um06.如权利要求1所述的LED芯片切割方法，其特征在于:所述的步骤S6中，进行划片时，激光划片机的功率比普通聚焦划片工艺的功率增加10%_15%。
【专利摘要】本发明提供一种LED芯片切割方法，涉及半导体器件技术领域。包括以下步骤：对LED芯片进行MESA刻蚀处理；对LED芯片进行掩膜处理；将LED芯片置于激光划片机中；将激光束进行聚焦；将LED芯片沿竖直方向向下移动；对LED芯片进行划片处理；加工出的芯片切口为“U”字形，与传统的加工手段产生的“V”字形切口相比，减少了异物残留，有利于清理，保证了产品的品质。
【IPC分类】B23K26/364, H01L21/78, H01L33/00
【公开号】CN105552029
【申请号】CN201510939718
【发明人】王永妍
【申请人】王永妍
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2015年12月16日