161经由至少一个沟槽连 接至微型发光二极管的边缘。图8D的电流控制层130或电流控制层160的其他细节与图8B的 电流控制层130或电流控制层160相同，因此在此不再赘述。
[0167] 另外，请回到图3A，第一导电层140完全覆盖电流控制层130的开口 131，但本发明 并不以此为限。在一些实施方式中，第一导电层140部分地覆盖电流控制层130的开口 131。 举例来说，第一导电层140覆盖开口 131而未覆盖沟槽。相同地，请回到图5B，第二导电层150 完全覆盖电流控制层160的开口 161，但本发明并不以此为限。在一些实施方式中，第二导电 层150部分地覆盖电流控制层160的开口 161。举例来说，第二导电层150覆盖开口 161而未覆 盖沟槽。
[0168] 请参照图9,其为根据本发明一实施方式绘示接收基板300的剖面图。缓冲层320形 成于基材301上。栅极绝缘层330形成于基材301具有半导体层325的整个表面上。栅极340a、 层间绝缘层350、源极340b以及汲极340c形成于栅极绝缘层330上以构成上闸极结构薄膜电 晶体(Thin-Film Transistor，TFT)。钝化层360与平坦化层365依序形成于基材301的整个 表面上或上方，且接合电极310形成于平坦化层365上，致使接合电极310经由穿过钝化层 360与平坦化层365的通孔（图未示）电性连接源极340b或汲极340c。像素定义层375接着形 成于平坦化层365及/或接合电极310的一部分上或上方以部分暴露出接合电极310(或暴露 其一部分）。
[0169] 应当理解的是，图9所示的接收基板300与上闸极结构薄膜电晶体仅为示例。请参 照图10,其为根据本发明另一实施方式绘示接收基板300的剖面图。在本实施方式中，所绘 示的接收基板300包含下闸极结构薄膜电晶体，且用以制造接收基板300的光罩的数量随需 求而改变。在一些实施方式中，各种适合的接收基板300的薄膜电晶体可使用于本发明中。 [0 170]请参照图11，其为根据本发明一实施方式绘示主动矩阵显示（active matrix display)中带有2T1C电路的子像素的电路图。在一实施方式中，图11所示的电路可应用于 图9或图10所绘示的接收基板300中，使得接收基板300成为主动矩阵(active matrix)显示 基板。如述电路包含开关电晶体T1、驱动电晶体T2、储能电容Cs以及微型发光二极管100。开 关电晶体T1与驱动电晶体T2可为任何形式的电晶体，例如薄膜电晶体。举例来说，开关电晶 体T1可为N型金属氧化物半导体(n-type metal-oxide semiconductor，NMOS)电晶体，驱动 电晶体T2可为P型金属氧化物半导体(p-type metal-oxide semiconductor，PM0S)电晶体。 开关电晶体T1具有闸极以及第一源/汲极。开关电晶体ΤΙ的闸极连接至扫描线Vsekt，且开 关电晶体T1的第一源/汲极连接至数据线V data的第一源/汲极。驱动电晶体T2具有闸极以及 第一源/汲极。驱动电晶体T2的闸极连接至开关电晶体T1的第二源/汲极，且驱动电晶体T2 的第一源/汲极连接至电源Vdd。储能电容Cs连接于驱动电晶体T2的闸极与第一源/汲极之 间。微型发光二极管100具有阳极以及阴极。微型发光二极管100的阳极连接至驱动电晶体 T2的第二源/汲极，且微型发光二极管100的阴极连接至地线V ss。
[0171] 在操作时，电压电平扫描信号(voltage level scan signal)开启开关电晶体T1， 使得数据信号对储能电容Cs充电。储存于储能电容Cs的电压电位决定流过驱动电晶体T2的 电流的大小，因此微型发光二极管100可基于此电流发光。应当理解的是，前述2T1C电路仅 为示例。其他形式的电路或典型的2T1C电路的改良皆可根据本发明的实施方式而设想到。 举例来说，为了补偿分配至驱动电晶体与微型元件的电流或它们的不稳定性，还可使用更 复杂的电路。
[0172]请参照图12,其为根据本发明一实施方式绘示子像素的电路图。在一实施方式中， 图12所示的电路使用于接收基板300中会使得接收基板300成为被动矩阵（passive matrix)显示基板。
[0173]虽然本发明已经以实施方式公开如上，然其并不用以限定本发明，任何本领域技 术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种变动与润饰，因此本发明的保护范围 当视权利要求所界定者为准。
【主权项】
1. 一种微型发光二极管，其特征在于，所述微型发光二极管包含： 第一型半导体层. 第二型半导体层，其连接所述第一型半导体层. 第一电流控制层，其连接所述第一型半导体层，所述第一电流控制层具有至少一个开 口于其内； 第一电极，其电性禪接所述第一型半导体层；W及 第二电极，其电性禪接所述第二型半导体层，其中所述第一电极与所述第二电极中的 至少一个具有透光部分，且所述第一电流控制层在所述第一电极与所述第二电极中的所述 至少一个上的垂直投影与所述透光部分重叠，其中所述透光部分为透明的或半透明的。2. 如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电流控制层的所述开口 在所述第一电极与所述第二电极中的所述至少一个上的垂直投影与所述透光部分重叠。3. 如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电流控制层为介电层。4. 如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一型半导体层与所述第二 型半导体层形成第一 P脚妾面，所述第一电流控制层与所述第一型半导体层形成第二PN接 面，且所述第一电极与所述第二电极配置成正向偏压所述第一 PN接面，并反向偏压所述第 二PN接面。5. 如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一型半导体层为P型半导 体层，所述第二型半导体层与所述第一电流控制层为N型半导体层。6. 如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一型半导体层为N型半导 体层，所述第二型半导体层与所述第一电流控制层为P型半导体层。7. 如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一型半导体层与所述第二 型半导体层形成P闲妾面，所述第一电流控制层与所述第一型半导体层形成萧特基阻障。8. 如权利要求7所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电流控制层为所述第一 型半导体层的电浆处理部位。9. 如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一型半导体层的电阻率为 P1，所述第一电流控制层为电阻率为Ph的高电阻率层，且Ph〉Pi。10. 如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电流控制层为电子阻 挡层，且所述第一型半导体层为N型半导体层。11. 如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电流控制层为电桐阻 挡层，且所述第一型半导体层为P型半导体层。12. -种微型发光二极管显示器，其特征在于，所述微型发光二极管显示器包含： 基板，其具有接合电极；W及 至少一个如权利要求1所述的微型发光二极管，其中所述第一型半导体层、所述第二型 半导体层、所述第一电流控制层、所述第一电极与所述第二电极的组合连接所述接合电极， 所述第一型半导体层远离所述基板，且所述第二型半导体层邻近所述基板。13. -种微型发光二极管显示器，其特征在于，所述微型发光二极管显示器包含： 基板；W及 至少一个如权利要求1所述的微型发光二极管，其中所述第一型半导体层、所述第二型 半导体层、所述第一电流控制层、所述第一电极与所述第二电极的组合连接所述基板，所述 第一型半导体层远离所述基板，所述第二型半导体层邻近所述基板，且所述第二电极作为 所述基板的接合电极。14. 如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电流控制层为透明的 或单色透明的。15. 如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电流控制层为反射的 或单色反射的。16. -种微型发光二极管显示器，其特征在于，所述微型发光二极管显示器包含： 基板，其具有接合电极；W及 至少一个如权利要求1所述的微型发光二极管，其中所述第一型半导体层、所述第二型 半导体层、所述第一电流控制层、所述第一电极与所述第二电极的组合连接所述接合电极， 所述第一型半导体层邻近所述基板，且所述第二型半导体层远离所述基板。17. -种微型发光二极管显示器，其特征在于，所述微型发光二极管显示器包含： 基板；W及 至少一个如权利要求1所述的微型发光二极管，其中所述第一型半导体层、所述第二型 半导体层、所述第一电流控制层、所述第一电极与所述第二电极的组合连接所述基板，所述 第一型半导体层邻近所述基板，所述第二型半导体层远离所述基板，且所述第一电极作为 所述基板的接合电极。18. 如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，具有所述透光部分的所述第一 电极与所述第二电极中的所述至少一个为全透明的。19. 如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电流控制层具有多个 所述开口于其中。20. 如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电极经由所述第一电 流控制层的所述开口电性禪接所述第一型半导体层。21. 如权利要求20所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一型半导体层的电阻率 与厚度分别为化与ti，所述第二型半导体层的电阻率与厚度分别为化与t2,且.^ 。 V A \P222. 如权利要求20所述的微型发光二极管，其特征在于，所述微型发光二极管还包含： 第二电流控制层，其连接所述第二型半导体层并具有至少一个开口于其中，其中所述 第二电极延伸穿过所述第二电流控制层的所述开口W电性禪接所述第二型半导体层。23. 如权利要求20所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电极至少部分覆盖所 述第一电流控制层的所述开口。24. 如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第二电极至少部分接触所 述第二型半导体层。25. 如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电极至少部分接触所 述第一型半导体层。26. 如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述微型发光二极管还包含： 主动层，其设置于所述第一型半导体层与所述第二型半导体层之间，其中所述第一电 流控制层设置于所述第一型半导体层的至少一部分与所述主动层之间。27. 如权利要求26所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电流控制层接触所述 主动层。28. 如权利要求26所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电流控制层设置于所 述第一型半导体层中且未接触所述主动层。29. 如权利要求26所述的微型发光二极管，其特征在于，所述微型发光二极管还包含第 二电流控制层，所述第二电流控制层设置于所述第二型半导体层的至少一部分与所述主动 层之间。30. 如权利要求26所述的微型发光二极管，其特征在于，所述微型发光二极管还包含： 第二电流控制层，其连接所述第二型半导体层并具有至少一个开口，其中所述第二电 极延伸穿过所述第二电流控制层的所述开口W电性禪接所述第二型半导体层。
【专利摘要】本发明公开了一种微型发光二极管，其包含第一型半导体层、第二型半导体层、第一电流控制层、第一电极以及第二电极。第二型半导体层连接第一型半导体层。第一电流控制层连接第一型半导体层，第一电流控制层具有至少一个开口于其内。第一电极电性耦接第一型半导体层。第二电极电性耦接第二型半导体层，其中第一电极与第二电极中的至少一个具有透光部分，且第一电流控制层在第一电极与第二电极中的前述至少一个上的垂直投影与透光部分重叠，其中透光部分为透明的或半透明的。借此，本发明的微型发光二极管，具有较小的发光区域，因此可继续缩小微型发光二极管的发光面积，同时维持微型发光二极管的尺寸。
【IPC分类】H01L25/075, H01L33/38
【公开号】CN105552190
【申请号】CN201610095115
【发明人】陈立宜, 张珮瑜, 詹志辉, 张俊仪, 林师勤, 李欣薇
【申请人】美科米尚技术有限公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2016年2月22日