璃片或光学玻璃片。
[0036]上述标记载体103的厚度可以根据获取热点位置的方式和设置标记的方式来设定，比如热点位置更为靠近硅衬底101或者所用定位系统的功率较大使其光束穿透能力较强，则可以使其厚度稍大，反之则适当减小其厚度，本申请为了适应目前常规晶片100和常规定位系统，优选标记载体103为厚度在100 μ m?200 μ m之间的透明玻璃基片，在此厚度下的透明玻璃基片能清晰地显示芯片的图像，进而能够保证热点的精确定位与热点标记的准确设置。
[0037]此外，本申请对上述标记载体103的尺寸也没有特殊要求，只要能够在热点对应位置能够制作定位标记即可，优选标记载体103的平行于背面的截面面积等于背面的面积，本领域技术人员公知的芯片100的正面面积与背面面积相等、形状对应。当标记载体103的尺寸大于晶片100的尺寸时,可以在晶片100和标记载体103上设置对准标记，当将标记载体103设置在晶片100的正面时，可以利用该对准标记实现标记载体103和晶片100的对准。本申请为了以较简单的方式实现标记载体103设置在晶片100的正面时对热点位置的精确对应，优选标记载体103的尺寸等于晶片100的尺寸，当两者尺寸相等时，只需将标记载体103翻转后固定在晶片100的正面即可实现定位标记与热点的对应。
[0038]上述在晶片100上设置标记载体103的实施方式有多种，比如机械夹持固定或者粘结固定，为了使设置方式更简单，优选粘结固定，即本申请可以采用多种粘结剂将标记载体103设置在晶片100的背面上，当然，如本领域技术人员所理解的，在通常的热点定位中，所采用的粘合剂为透明的材料，例如硅橡胶粘合剂，蜡中的植物蜡、动物蜡、合成蜡、工业石蜡，热熔胶中的水分散型热熔胶、热熔压敏胶。本申请进一步优选工业石蜡作为粘合剂，该工业石蜡为无色透明的物质，主要成分是分子量比较小的烷烃(晶体蜡，80%?95%直链烷烃，20%以下的支链和单环环烷烃)，常温时呈固态，熔点也不高，有较强的透光性，保证激光可以穿透，以便呈现出影像和做热点标记。
[0039]然后，执行步骤S2，获取晶片100的热点位置，在图3所示的标记载体103上设置图4所示的与热点位置对应的定位标记104，通过设置对应定位标记104的方法准确定位热点的位置。
[0040]上述定位标记104的标记原则与现有技术中热点标记的标记原则相同，因此本领域技术人员可以参考现有技术中热点标记的标记原则设置本申请的定位标记104,比如以热点为中心设置多个定位标记104，在此不再赘述。为了以较简单的方式获取热点位置，本申请优选采用定位系统获取热点位置。为了更全面地检测热点，精确地定位热点，优选采用的定位系统中包括EMMI/0BIRCH。
[0041]本申请可以采用本领域常规的标记设置方式设置定位标记104，为了使定位标记104的位置高效、准确对应热点的位置，并且使定位标记104清晰、持久，优选采用激光定标系统在标记载体103设直定彳AA标记104。
[0042]执行步骤S3，将图4所示的晶片100与标记载体103分离，得到图5所示分离出的晶片100正置后的剖面结构。
[0043]如上所描述的，本申请将标记载体103与晶片100的固定方式有多种，那么不同的固定方式可能对应不同的分离方法，当采用机械夹持固定时，将机械夹持结构移开即可使二者分离，当采用粘结固定时，使粘结剂熔化或发生化学变化，使其丧失粘结性能进而使两者分开，基于上述步骤SI优选采用粘结剂将标记载体103设置在晶片100的背面，为了使标记载体103与晶片100能够轻易分离，并且不会对晶片100与标记载体103造成污染，优选上述步骤S3包括:步骤S31，加热晶片100与标记载体103使所述粘结剂熔化；步骤S32，将所述标记载体103与所述晶片100分离，其中加热的温度可以根据所使用的粘结剂的熔点而确定，在此不再赘述。
[0044]执行步骤S4，将图4所示的标记载体103设置在图5所示的晶片100的正面且定位标记104与热点位置对应，得到具有图6所示的结构剖面图。该方法能够快速简单地将标记载体103上的定位标记104与晶片100的热点位置进彳丁对应，且后续步骤可以精确地在晶片100的正面设置热点标记105。
[0045]与将标记载体103设置在晶片100的背面相似，其设置方式可以有多种，为了使设置方式更简单，与上述步骤SI的优选方式相同，上述步骤S4中优选采用粘结剂将标记载体103设置在晶片100的正面上。
[0046]执彳丁步骤S5,利用图6所TJK的结构，以标记载体103的定位标记104为基准在晶片100的正面设置图8所示的热点标记105,根据热点标记105的位置获取热点的位置，由此便可以准确获取热点的位置。
[0047]优选上述步骤S5包括:步骤S51，在上述晶片100的正面设置与标记载体103对应的图7所示的热点标记105 ;步骤S52，将上述标记载体103与晶片100分离，得到图8具有所示的剖面结构的晶片100，根据图7所示的热点标记105的位置即可获取热点的位置。采用上述步骤在晶片100的正面设置标记105，根据此热点标记105可以准确获取的热点的位置。
[0048]本申请可以采用本领域常规的标记设置方式设置热点标记105，为了使热点标记105的位置准确对应定位标记104的位置，并且使得热点标记105可以长时间保留，优选采用激光定标系统在晶片100正面设直热点标记105。
[0049]基于上述步骤S4优选采用粘结剂将标记载体103设置在晶片100的正面，为了使标记载体103与晶片100能够轻易分离,优选采用加热晶片100与标记载体103使所述粘结剂熔化，进而使标记载体103与晶片100能够分离。
[0050]从以上的描述中，可以看出，本申请上述的实施例实现了如下技术效果:
[0051]上述热点定位方法，根据晶片背面的热点位置在标记载体上设置对应的定位标记，以标记载体上的定位标记为基准，在晶片的正面设置热点标记，从而准确获取热点位置，进而解决了现有技术中无法精确定位热点的问题。
[0052]以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
【主权项】
1.一种热点定位方法，其特征在于，所述热点定位方法包括: 步骤Si，将标记载体设置在晶片的背面； 步骤S2，获取所述晶片的热点位置，在所述标记载体上设置与所述热点位置对应的定位标记； 步骤S3，将所述晶片与所述标记载体分离； 步骤S4，将所述标记载体设置在所述晶片的正面且所述定位标记与所述热点位置对应；以及 步骤S5，以所述标记载体的定位标记为基准在所述正面设置热点标记。2.根据权利要求1所述的热点定位方法，其特征在于，所述标记载体对光的反射率小于2%且光吸收率小于1%。3.根据权利要求1所述的热点定位方法，其特征在于，所述标记载体为厚度在100 μ m?200 μ m之间的透明玻璃基片。4.根据权利要求1所述的热点定位方法，其特征在于，所述标记载体的平行于所述背面的截面面积等于所述背面的面积。5.根据权利要求1所述的热点定位方法，其特征在于，所述步骤SI中采用粘结剂将所述标记载体固定在所述晶片的背面。6.根据权利要求1所述的热点定位方法，其特征在于，所述步骤S2采用定位系统获取所述热点位置。7.根据权利要求6所述的热点定位方法，其特征在于，所述定位系统包括EMMI/OBIRCHo8.根据权利要求1所述的热点定位方法，其特征在于，所述步骤S2采用激光定标系统在所述标记载体上设置所述定位标记；所述步骤S5利用激光定标系统在所述正面上设置所述热点标记。9.根据权利要求5所述的热点定位方法，其特征在于，所述步骤S3包括: 步骤S31，加热所述晶片与所述标记载体使所述粘结剂熔化； 步骤S32，将所述标记载体与所述晶片分离。10.根据权利要求1所述的热点定位方法，其特征在于，所述步骤S4中采用粘结剂将所述标记载体设置在所述正面。
【专利摘要】本申请提供了一种热点定位方法。该方法包括：步骤S1，将标记载体设置在晶片的背面；步骤S2，获取晶片的热点位置，在标记载体上设置与热点位置对应的定位标记；步骤S3，将晶片与标记载体分离；步骤S4，将标记载体设置在晶片的正面且定位标记与热点位置对应；以及步骤S5，以标记载体的热点标记为基准在晶片的正面设置热点标记。根据晶片背面的热点位置在标记载体上设置对应的定位标记，然后将标记载体转移至晶片的正面，以标记载体上的定位标记为基准，在晶片的正面设置热点标记，利用设置在晶片上的热点标记即可准确获取热点位置，解决了现有技术中无法精确定位热点的问题。
【IPC分类】G01R31/26, H01L21/68, H01L21/66
【公开号】CN105575867
【申请号】CN201410535267
【发明人】殷原梓
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2014年10月11日