可切换发送和接收相控阵列天线的制作方法_5

文档序号:9923088阅读:来源:国知局
换MMIC 1802和1804的实现方式的示例的示图。在此示例中,布局 为瓦片布置。另外,在此示例中,在波束处理匪IC 1806 W及功率切换匪IC 1802和1804 与印刷布线组件 2200 电焊盘 2205、2206、2208、2210、2212、2214、2216、2218、2220、2222、 2224、2226、2228、2230、2232、2234、2236、2238、2240 和 2242 之间示出线接合连接 2300、 2302、2304、2306、2308和2310。具体地讲,第一功率切换匪1(:1802被示出为分别经由线接 合2300、2310和2308与电焊盘2205、2206、2234、2236、2238和2242信号通信。类似地,第 二功率切换MMIC 1804被示出为分别经由线接合2302、2304和2306与电焊盘2214、2216、 2218、2222、2224和2226信号通信。波束处理MMIC 1806被示出为经由焊料凸点(示出于 图 21 中)与电焊盘 2206、2209、2210、2212、2214、2218、2220、2226、2228、2230、2232、2234、 2240和2242信号通信。
[0103] 另外,本公开包括根据W下条款的实施方式:
[0104] 条款1. 一种可切换发送和接收相控阵列天线("STRPAA"),该STRPAA包括:
[0105] 壳体;
[0106] 在所述壳体内的多层印刷布线板("MLPWB"),所述MLPWB具有上表面W及下表 面;
[0107] 设置在所述MLPWB的所述上表面上的多个福射元件;W及
[0108] 附接到所述MLPWB的所述下表面的多个发送和接收("T/R")模块,
[0109] 其中,所述多个T/R模块与所述MLPWB的所述下表面信号通信,
[0110] 其中,所述多个T/R模块中的各个T/R模块与所述多个福射元件中的设置在所述 MLPWB的所述上表面上的对应福射元件相对设置在所述MLPWB的所述下表面上,并且
[0111] 其中,各个T/R模块与和该T/R模块相对设置的对应福射元件信号通信。
[0112] 条款2.根据权利要求1所述的STRPAA,其中,所述壳体包括压板W及具有多个通 道的蜂窝孔板,
[0113] 其中,所述压板被配置为推压所述多个T/R模块抵靠所述MLPWB的所述下表面,
[0114] 其中,所述多个福射元件被配置为大致抵靠所述蜂窝孔板设置,并且
[0115] 其中,所述多个福射元件中的各个福射元件设置在所述蜂窝孔板的所述多个通道 中的对应通道处。
[0116] 条款3.根据权利要求2所述的STRPAA,该STRPAA还包括与所述蜂窝孔板信号通 信的宽角阻抗匹配("WAIM")片。
[0117] 条款4.根据权利要求3所述的STRPAA,其中,所述多个福射元件中的各个福射元 件是印刷天线。
[011引条款5.根据权利要求2所述的STRPAA,其中,各个T/R模块被设置为通过多个高 性能信号触点来与所述MLPWB的所述下表面信号通信。
[0119] 条款6.根据权利要求5所述的STRPAA,其中,各个T/R模块包括至少S个单片微 波集成电路("MMIC")。
[0120] 条款7.根据权利要求6所述的STRPAA,其中,所述至少立个匪IC中的第一匪IC 是波束处理匪1C,第二匪IC和第S匪IC是功率切换匪1C。
[0121] 条款8.根据权利要求7所述的STRPAA,其中,所述第一匪IC利用娃错("SiGe") 技术,所述第二MMIC和第S MMIC利用神化嫁("GaAs")技术。
[012引条款9.根据权利要求7所述的STRPAA,其中,所述至少一个匪IC按照倒装忍片配 置来物理地配置。
[0123] 条款10.根据权利要求2所述的STRPAA,该STRPAA还包括多个通孔,其中,所述多 个通孔中的各个通孔穿过所述MLPWB,并且被配置成所述多个T/R模块中的在所述MLPWB的 所述下表面上的T/R模块和所述多个福射元件中的与和该T/R模块相对设置在所述MLPWB 的所述上表面上的福射元件之间的信号路径。
[0124] 条款11.根据权利要求10所述的STRPAA,其中,所述MLPWB包括两个印刷线路板 ("PWB")子组件。
[0125] 条款12.根据权利要求11所述的STRPAA,其中,其中,所述两个PWB子组件通过具 有接合材料的接合层接合在一起,所述接合材料在所述两个PWB子组件之间形成机械连接 和电连接二者。
[0126] 条款13.根据权利要求12所述的STRPAA,其中,各个PWB子组件包括具有对应多 个金属层的多个基板。
[0127] 条款14.根据权利要求8所述的STRPAA,其中,各个T/R模块包括T/R模块陶瓷封 装,该T/R模块陶瓷封装包括具有对应多个金属层的多个陶瓷基板。
[012引条款15.根据权利要求14所述的STRPAA,其中,所述T/R模块陶瓷封装包括与所 述多个高性能信号触点信号通信的上表面W及与所述至少=个MMIC信号通信的下表面。 [012引条款16.根据权利要求15所述的STRPAA,该STRPAA还包括多个通孔,其中,所述 多个通孔中的各个通孔穿过T/R模块陶瓷封装,并且被配置成所述至少=个MMIC中的在T/ R模块陶瓷封装的下表面上的MMIC和与所述MMIC相对设置在T/R模块陶瓷封装的上表面 上的导电金属焊盘之间的信号路径。
[0130] 条款17.根据权利要求1所述的STRPAA,其中,所述STRPAA被配置为在K波段操 作。
[0131] 条款18.根据权利要求1所述的STRPAA,其中,所述多个福射元件中的各个福射元 件是用于各个对应T/R模块的信号孔。
[0132] 条款19. 一种用于可切换发送和接收相控阵列天线("STRPAA")中的发送和接收 ("T/R")模块,该T/R模块包括:
[0133] 波束处理单片微波集成电路("MMIC");
[0134] 第一功率切换MMIC和第二功率切换MMIC ;
[0135] T/R多层印刷布线板("MLPWB"),该MLPWB包括具有对应多个金属层的多个基板、 上表面、下表面W及多个通孔,
[0136] 其中,所述波束处理MMIC W及第一功率切换MMIC和第二功率切换MMIC按照倒装 忍片配置来物理地配置为与T/R模块陶瓷封装的下表面信号通信,并且
[0137] 其中,所述多个通孔中的各个通孔穿过T/R模块陶瓷封装,并且被配置成T/R模块 陶瓷封装的下表面上的波束处理W及第一功率切换MMIC和第二功率切换MMIC中的MMIC 和与所述MMIC相对设置在T/R模块陶瓷封装的上表面上的导电金属焊盘之间的信号路径。
[0138] 20.根据权利要求1所述的T/R模块,其中,所述STRPAA被配置为在K波段操作。
[0139] 将理解,在不脱离本公开的范围的情况下,可改变本公开的各个方面或细节。其并 非穷尽性的,并非将要求保护的公开限制为所公开的精确形式。另外,W上描述仅出于例示 的目的,而非为了限制。修改和变化可鉴于W上描述进行,或者可从本公开的实践获取。权 利要求及其等同物限定本公开的范围。
【主权项】
1. 一种可切换发送和接收相控阵列天线STRPAA(102、900),该STRPAA包括: 壳体(200); 在所述壳体内的多层印刷布线板MLPWB (206、300、908),所述MLPWB具有上表面(226) 以及下表面(228); 设置在所述祖^18(206、908)的所述上表面(226)上的多个辐射元件(208、210、212、 906);以及 附接到所述MLPWB (206、908)的所述下表面(228)的多个发送和接收T/R模块(214、 216、218、904、1700), 其中,所述多个T/R模块(214、216、218、904)与所述MLPWB(206、908)的所述下表面 (228)信号通信, 其中,所述多个T/R模块(214、216、218、904)中的各个T/R模块与所述多个辐射元件 (208、210、212、906)中的设置在所述MLPWB(206、900)的所述上表面(226)上的对应辐射元 件相对设置在所述MLPWB (206、900)的所述下表面(228)上,并且 其中,各个T/R模块(214、216、218、904)与和该T/R模块相对设置的对应辐射元件 (208、210、212、906)信号通信。2. 根据权利要求1所述的STRPAA (102),其中,所述壳体(200)包括压板(202)和具有 多个通道(220、222、224)的蜂窝孔板(204), 其中,所述压板(202)被配置为推压所述多个T/R模块(214、216、218)抵靠所述 MLPWB (206)的所述下表面(228), 其中,所述多个辐射元件(208、210、212)被配置为大致抵靠所述蜂窝孔板(204)设置, 并且 其中,所述多个辐射元件(208、210、212)中的各个辐射元件设置在所述蜂窝孔板 (204)的所述多个通道(220、222、224)中的对应通道处。3. 根据权利要求2所述的STRPAA (102),该STRPAA (102)还包括与所述蜂窝孔板(204) 信号通信的宽角阻抗匹配WA頂片(220)。4. 根据权利要求1至3中任一项所述的STRPAA (102),其中,所述多个辐射元件(208、 210、212)中的各个辐射元件是印刷天线。5. 根据权利要求1所述的STRPAA(102),其中,各个T/R模块(214、216、218、904)被设 置为通过多个高性能信号触点(418、420、422、424)与所述此?18(206)的所述下表面(228) 信号通信。6. 根据权利要求1所述的STRPAA(102),其中,各个T/R模块(904)包括波束处理 MMIC(918)和两个功率切换 MMIC(914、916)。7. 根据权利要求1所述的STRPAA (102),其中,所述T/R模块(904)包括按照倒装芯片 配置来物理地配置的至少一个MMIC (1806)。8. 根据权利要求1至7中任一项所述的STRPAA (102),该STRPAA (102)还包括多个通 孔(248…258),其中,所述多个通孔中的各个通孔穿过所述MLPWB (206),并且被配置成所 述多个T/R模块(214、216、218)中的在所述MLPWB的所述下表面(228)上的T/R模块和所 述多个辐射元件中的与该T/R模块相对设置在所述MLPWB的所述上表面(226)上的辐射元 件(208、210、212)之间的信号路径。9. 根据权利要求8所述的STRPAA(102),其中,所述MLPWB (300)包括两个印刷线路板 PWB子组件(302、304),其中,所述两个PWB子组件(302、304)通过具有接合材料的接合层 (306)接合在一起,所述接合材料在所述两个PWB子组件之间形成机械连接和电连接二者。10. 根据权利要求1所述的STRPAA(102),其中,所述T/R模块中的至少一个包括T/R 模块陶瓷封装(1810),该T/R模块陶瓷封装(1810)包括具有对应多个金属层的多个陶瓷基 板。11. 根据权利要求1所述的STRPAA(102),其中,所述多个辐射元件中的各个辐射元件 是用于各个对应T/R模块的信号孔。
【专利摘要】可切换发送和接收相控阵列天线。公开了一种可切换发送和接收相控阵列天线STRPAA。作为示例,该STRPAA可包括壳体、在所述壳体内的具有上表面和下表面的多层印刷布线板MLPWB、设置在MLPWB的上表面上的多个辐射元件、以及附接到MLPWB的下表面的多个发送和接收T/R模块。该STRPAA还可包括多个通孔,其中,所述多个通孔中的各个通孔穿过MLPWB,并且被配置成所述多个T/R模块中的在MLPWB的下表面上的T/R模块和所述多个辐射元件中的与该T/R模块相对设置在MLPWB的上表面上的辐射元件之间的信号路径。
【IPC分类】H01Q21/00, H01Q1/38, H01Q1/50, H01Q1/42
【公开号】CN105703066
【申请号】CN201510854557
【发明人】陈明, J·S·竹内, R·D·卡梅伦, I·R·贝克, P·T·黑森, D·R·米勒, R·L·特恩斯
【申请人】波音公司
【公开日】2016年6月22日
【申请日】2015年11月30日
【公告号】CA2915243A1, EP3032651A1, US20160172755
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