一种导电沟道的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种导电沟道的制作方法，其包括提供一基板；在基板上形成一图案化的第一有机牺牲层；在基板上形成一图案化的第一有机半导体层；去除图案化的第一有机牺牲层，使得图案化的第一有机半导体层的第一沟道部分形成第一导电沟道；在基板上形成一图案化的第二有机牺牲层；在基板上形成一图案化的第二有机半导体层；去除图案化的第二有机牺牲层，使得图案化的第二有机半导体层的第二沟道部分形成第二导电沟道。本发明的导电沟道的制作方法可以在目标基板或者其它功能层上，直接定义图案化的导电沟道，并不需要一些高规格的真空或者打印设备，减少了设备费用，并且工艺流程较简单。
【专利说明】
一种导电沟道的制作方法
技术领域
[0001]本发明涉及薄膜晶体管的制作技术，尤其涉及一种导电沟道的制作方法。
【背景技术】
[0002]目前基于有机薄膜晶体管的导电沟道层的图案化通常有以下两种方式:采用高分子材料制作时，通常借助“曝光-显影-刻蚀”的工艺;采用小分子材料制作时，通常使用直接的“掩膜-蒸镀”的工艺。但是以上两种方式需要用到高规格的真空蒸镀、曝光设备或精细的金属蒸镀模板，从而额外增加了设备费用，并且工艺流程较复杂。
[0003]故，有必要提供一种导电沟道的制作方法，以解决现有技术所存在的问题。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种导电沟道的制作方法，以解决现有的导电沟道制作方法需要使用一些高规格的设备，从而额外增加了设备费用，并且工艺流程较复杂的技术问题。
[0005]为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下:
[0006]本发明实施例提供一种导电沟道的制作方法，其包括:
[0007]提供一基板；
[0008]在基板上形成一图案化的第一有机牺牲层；
[0009]在基板上形成一图案化的第一有机半导体层，其中图案化的第一有机半导体层包括第一沟道部分和第一非沟道部分，第一非沟道部分设置在图案化的第一有机牺牲层上；
[0010]去除图案化的第一有机牺牲层，使得图案化的第一有机半导体层的第一沟道部分形成第一导电沟道；
[0011 ]在基板上形成一图案化的第二有机牺牲层；
[0012]在基板上形成一图案化的第二有机半导体层，其中图案化的第二有机半导体层包括第二沟道部分和第二非沟道部分，第二非沟道部分设置在第一导电沟道上；
[0013]去除图案化的第二有机牺牲层，使得图案化的第二有机半导体层的第二沟道部分形成第二导电沟道。
[0014]在本发明的导电沟道的制作方法中，在去除图案化的第一有机牺牲层及与第一有机牺牲层重叠的第一有机半导体层，以形成第一导电沟道的步骤后，对第一导电沟道进行固化处理。
[0015]在本发明的导电沟道的制作方法中，在去除图案化的第一有机牺牲层，使得图案化的第一有机半导体层的第一沟道部分形成第一导电沟道的步骤后，对第一导电沟道进行固化处理。
[0016]在本发明的导电沟道的制作方法中，在去除图案化的第二有机牺牲层，使得图案化的第二有机半导体层的第二沟道部分形成第二导电沟道的步骤后，对第二导电沟道进行固化处理。
[0017]在本发明的导电沟道的制作方法中，可通过加热或者紫外线照射的方式进行固化处理。
[0018]在本发明的导电沟道的制作方法中，去除图案化的第一有机牺牲层，使得图案化的第一有机半导体层的第一沟道部分形成第一导电沟道的步骤中，可使用机械剥离的方法或者使用能够溶解图案化的第一有机牺牲层的溶剂。
[0019]在本发明的导电沟道的制作方法中，去除图案化的第二有机牺牲层，使得图案化的第二有机半导体层的第二沟道部分形成第二导电沟道的步骤中，可使用机械剥离的方法或者使用能够溶解图案化的第二有机牺牲层的溶剂。
[0020]在本发明的导电沟道的制作方法中，可通过喷墨打印、平版印刷、丝网印刷或静电纺丝的方式形成图案化的第一有机牺牲层、图案化的第二有机半导体层、图案化的第二有机牺牲层以及图案化的第二有机半导体层。
[0021]在本发明的导电沟道的制作方法中，还可通过一种打印装置形成图案化的第一有机牺牲层、图案化的第二有机半导体层、图案化的第二有机牺牲层以及图案化的第二有机半导体层。
[0022]在本发明的导电沟道的制作方法中，通过一种打印装置形成图案化的第一有机牺牲层、图案化的第二有机半导体层、图案化的第二有机牺牲层以及图案化的第二有机半导体层的步骤中，包括:
[0023]将图案化的第一有机牺牲层、图案化的第二有机半导体层、图案化的第二有机牺牲层或图案化的第二有机半导体层采用的材料制成设定黏度的墨水状打印液；
[0024]将墨水状打印液放到打印装置的储液池中；
[0025]对储液池提供周期性的压力，从而对压印喷口进行供液，使得压印喷口在基板上印刷出预设的图案。
[0026]在本发明的导电沟道的制作方法中，可通过更换不同形状的压印喷口，打印出不同形状的图案。
[0027]相较于现有的导电沟道的制作方法，本发明的导电沟道的制作方法可以在目标基板或者其它功能层上，直接定义图案化的导电沟道，并不需要一些高规格的真空或打印设备，减少了设备费用，并且工艺流程较简单。
[0028]为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下:
【附图说明】
[0029]下面结合附图，通过对本发明的【具体实施方式】详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0030]图1为本发明实施例的导电沟道的制作方法的工艺流程示意图；
[0031]图2A-2F为本发明实施例的导电沟道的制作方法具体步骤示意图；
[0032]图3为本发明实施例的一种打印装置的结构示意图；
[0033 ]图4为本发明实施例的一种打印装置的使用示意图。
【具体实施方式】
[0034]为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
[0035]参见图1，为本发明实施例的导电沟道的制作方法的工艺流程示意图。
[0036]步骤SlOl，提供一基板；
[0037]步骤S102，在基板上形成一图案化的第一有机牺牲层；
[0038]步骤S103，在基板上形成一图案化的第一有机半导体层，其中图案化的第一有机半导体层包括第一沟道部分和第一非沟道部分，第一非沟道部分设置在图案化的第一有机牺牲层上；
[0039]步骤S104，去除图案化第一有机牺牲层，同时使得覆盖在图案化的第一有机牺牲层上的上述第一有机半导体层的非沟道部分被去除，使得图案化第一有机半导体层的第一沟道部分形成第一导电沟道；
[0040]步骤S105，在基板上形成一图案化的第二有机牺牲层；
[0041]步骤S106，在基板上形成一图案化的第二有机半导体层，其中图案化的第二有机半导体层包括第二沟道部分和第二非沟道部分，第二非沟道部分设置在第一导电沟道上；
[0042]步骤S107，去除图案化的第二有机牺牲层，同时使得覆盖在图案化的第二有机牺牲层上的上述第二有机半导体层的非沟道部分被去除，使得图案化的第二有机半导体层的第二沟道部分形成第二导电沟道。
[0043]下面详细说明本优选实施例的文件备份方法的各步骤的详细流程。
[0044]在步骤S10US102中，如图2A所示，提供一基板201，基板201可为玻璃基板或塑料基板，在基板201上形成一图案化的第一有机牺牲层202，其中，图案化的第一有机牺牲层202可为全氟环聚合物或亚克力材料。
[0045]在步骤S103中，如图2B所示，在基板201上形成一图案化的第一有机半导体层，其中图案化的第一有机半导体层包括第一沟道部分203A和第一非沟道部分203B，第一沟道部分203A位于图案化的第一有机牺牲层202左、右两侧，第一非沟道部分203B位于图案化的第一有机牺牲层202上。本发明实施例通过第一有机牺牲层202使得第一有机牺牲层202左、右两侧的第一沟道部分203A更加精细。
[0046]在步骤S104中，如图2C所示，去除图案化的第一有机牺牲层202，使得图案化的第一有机半导体层的第一沟道部分203A形成第一导电沟道。
[0047]具体地，可通过机械剥离的方法去除图案化的第一有机牺牲层202，同时位于图案化的第一有机牺牲层202上的图案化第一有机半导体层的第一非沟道部分203B也被去掉，剩下的图案化第一有机半导体层的第一沟道部分203A就形成第一导电沟道;还可以使用能够溶解图案化的第一有机牺牲层202的溶剂，将第一有机牺牲层202去掉，同时位于图案化的第一有机牺牲层202上的图案化的第一有机半导体层的第一非沟道部分203B也被去掉，剩下的图案化的第一有机半导体层的第一沟道部分203A就形成第一导电沟道。
[0048]形成第一导电沟道后，应对第一导电沟道进行固化处理，具体地，可通过加热或者紫外线照射的方式进行固化处理。
[0049]在步骤S105中，如图2D所示，在基板201上形成一图案化的第二有机牺牲层204，其中，图案化的第二有机牺牲层204可为全氟环聚合物或亚克力材料。
[0050]在步骤S106中，如图2E所示，在基板201上形成一图案化的第二有机半导体层，其中图案化的第二有机半导体层包205括第二沟道部分205A和第二非沟道部分205B，第二沟道部分205A位于第一导电沟道左、右两侧，第二非沟道部分205B设置在图案化的第二有机牺牲层204上。
[0051]在步骤S107中，如图2F所示，去除图案化的第二有机牺牲层204，使得图案化的第二有机半导体层的第二沟道部分205A形成第二导电沟道。
[0052]具体地，可通过机械剥离的方法去除图案化的第二有机牺牲层204，同时位于图案化的第二有机牺牲层204上的图案化的第二有机半导体层的第二非沟道部分205B也被去掉，剩下的图案化的第二有机半导体层的第二沟道部分205A就形成第二导电沟道;还可以使用能够溶解图案化的第二有机牺牲层204的溶剂，将第二有机牺牲层204去掉，同时位于图案化的第二有机牺牲层204上的图案化的第二有机半导体层的第二非沟道部分205B也被去掉，剩下的图案化的第二有机半导体层的第二沟道部分205A就形成第二导电沟道。
[0053]形成第二导电沟道后，应对第二导电沟道进行固化处理，具体地，可通过加热或者紫外线照射的方式进行固化处理。
[0054]在步骤S102、S103、S105、S106中，可通过喷墨打印、平版印刷、丝网印刷或静电纺丝的方式形成图案化的第一有机牺牲层、图案化的第二有机半导体层、图案化的第二有机牺牲层以及图案化的第二有机半导体层。
[0055]本发明实施例还可以通过一种打印装置形成图案化的第一有机牺牲层、图案化的第二有机半导体层、图案化的第二有机牺牲层以及图案化的第二有机半导体层。
[0056]如图3所示，为本发明实施例的一种打印装置的结构示意图；
[0057]本发明的打印装置包括:盖板301、储液池302、第一弹簧303、第二弹簧304、第一支撑部件305、第二支撑部件306以及压印喷口307;其中，盖板301位于储液池302上方，盖板301与储液池302滑动连接;第一弹簧303的一端与储液池302的一端连接，第一弹簧303的另一端与第一支撑部件305连接；第二弹簧304的一端与储液池302的另一端连接，第二弹簧304的另一端与第二支撑部件306连接;储液池302下方设有一开口，压印喷口 307与开口连接。
[0058]打印装置使用时，首先，将图案化的第一有机牺牲层、图案化的第二有机半导体层、图案化的第二有机牺牲层或图案化的第二有机半导体层采用的材料制成设定黏度的墨水状打印液;然后，将墨水状打印液放到打印装置的储液池302中；最后，对储液池302提供周期性的压力，从而对压印喷口 307进行供液，使得压印喷口 307在基板308上印刷出预设的图案。
[0059]具体地，打印装置为非打印状态时，第一弹簧303和第二弹簧304支撑着储液池302处于最高位置，此时第一支撑部305件和第二支撑部件306不与储液池302下方开口处侧壁接触，储液池302不对压印喷口 307供液，打印装置不对外打印图案;如图4所示，打印装置为打印状态时，可通过一主动轮309对盖板施加压力，此时第一弹簧303和第二弹簧304压缩，处于最低位置，第一支撑部，305和第二支撑部件306与储液池302侧壁接触，并以一定的压力挤压储液池302下方开口处侧壁，从而对压印喷口 307供液，打印装置对外打印图案。
[0060]本发明实施例可通过主动轮309的转动在上述两种状态间循环切换，配合基板308的水平移动，打印出规则的周期性图案。进一步地，可通过更换不同形状的压印喷口 307，打印出不同形状的图案。
[0061]本发明的导电沟道的制作方法可以在目标基板或者其它功能层上，直接定义图案化的导电沟道，并不需要一些高规格的设备，减少了设备费用，并且工艺流程较简单。
[0062]综上，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
【主权项】
1.一种导电沟道的制作方法，其特征在于，包括: 提供一基板； 在所述基板上形成一图案化的第一有机牺牲层； 在所述基板上形成一图案化的第一有机半导体层，其中所述图案化的第一有机半导体层包括第一沟道部分和第一非沟道部分，所述第一非沟道部分设置在所述图案化的第一有机牺牲层上； 去除所述图案化的第一有机牺牲层，使得所述图案化的第一有机半导体层的第一沟道部分形成第一导电沟道； 在所述基板上形成一图案化的第二有机牺牲层； 在所述基板上形成一图案化的第二有机半导体层，其中所述图案化的第二有机半导体层包括第二沟道部分和第二非沟道部分，所述第二非沟道部分设置在所述第一导电沟道上； 去除所述图案化的第二有机牺牲层，使得所述图案化的第二有机半导体层的第二沟道部分形成第二导电沟道。2.根据权利要求1所述的导电沟道的制作方法，其特征在于，在所述去除所述图案化的第一有机牺牲层，使得所述图案化的第一有机半导体层的第一沟道部分形成第一导电沟道的步骤后，对所述第一导电沟道进行固化处理。3.根据权利要求1所述的导电沟道的制作方法，其特征在于，在所述去除所述图案化的第二有机牺牲层，使得所述图案化的第二有机半导体层的第二沟道部分形成第二导电沟道的步骤后，对所述第二导电沟道进行固化处理。4.根据权利要求2或3所述的导电沟道的制作方法，其特征在于，可通过加热或者紫外线照射的方式进行固化处理。5.根据权利要求1所述的导电沟道的制作方法，其特征在于，所述去除所述图案化的第一有机牺牲层，使得所述图案化的第一有机半导体层的第一沟道部分形成第一导电沟道的步骤中，可使用机械剥离的方法或者使用能够溶解所述图案化的第一有机牺牲层的溶剂。6.根据权利要求1所述的导电沟道的制作方法，其特征在于，所述去除所述图案化的第二有机牺牲层，使得所述图案化的第二有机半导体层的第二沟道部分形成第二导电沟道的步骤中，可使用机械剥离的方法或者使用能够溶解所述图案化的第二有机牺牲层的溶剂。7.根据权利要求1所述的导电沟道的制作方法，其特征在于，可通过喷墨打印、平版印刷、丝网印刷或静电纺丝的方式形成所述图案化的第一有机牺牲层、图案化的第二有机半导体层、图案化的第二有机牺牲层以及图案化的第二有机半导体层。8.根据权利要求1所述的导电沟道的制作方法，其特征在于，还可通过一种打印装置形成所述图案化的第一有机牺牲层、图案化的第二有机半导体层、图案化的第二有机牺牲层以及图案化的第二有机半导体层。9.根据权利要求8所述的导电沟道的制作方法，其特征在于，所述通过一种打印装置形成所述图案化的第一有机牺牲层、图案化的第二有机半导体层、图案化的第二有机牺牲层以及图案化的第二有机半导体层的步骤中，包括: 将所述图案化的第一有机牺牲层、图案化的第二有机半导体层、图案化的第二有机牺牲层或图案化的第二有机半导体层采用的材料制成设定黏度的墨水状打印液； 将墨水状打印液放到所述打印装置的储液池中； 对储液池提供周期性的压力，从而对压印喷口进行供液，使得压印喷口在所述基板上印刷出预设的图案。10.根据权利要求9所述的导电沟道的制作方法，其特征在于，可通过更换不同形状的压印喷口，打印出不同形状的所述图案。
【文档编号】H01L51/40GK106058050SQ201610663451
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年8月12日 公开号201610663451.2, CN 106058050 A, CN 106058050A, CN 201610663451, CN-A-106058050, CN106058050 A, CN106058050A, CN201610663451, CN201610663451.2
【发明人】刘哲
【申请人】武汉华星光电技术有限公司