晶圆制造设备及其下电极结构和托盘结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型为一种晶圆制造设备，特别为一种可使托盘表面均温的晶圆制造设备。
【背景技术】
[0002]在半导体制造过程中，现有习知的晶圆制造设备的托盘常会遇到散热效果不佳或不均匀的问题。晶圆片在历经一段加工制造过程后，会产生吸热温升现象，此时晶圆片的高温必须获得适当的冷却降温，否则将会产生形变而影响其表面平坦度，进而影响了晶圆产出的良率。
[0003]如图1A至图1C所示，其为现有习知的一种晶圆制造设备在进行散热过程时未通气、待通气及通气状态下的剖视图。
[0004]如图1A所示，现有习知的晶圆制造设备10主要是由下电极11与托盘12所组成。下电极11的周围设有沟槽13，沟槽13内设有O型环14。托盘12设置于下电极11的上方侦牝且紧靠于O型环14上方。此外，在托盘12与下电极11的两侧设有夹具15，用以在进行散热过程期间，将托盘12固定于下电极11上。
[0005]如图1B所示，当进行散热过程时，夹具15会将托盘12往下压，此时O型环14会受到挤压，使得托盘12贴靠于下电极11上方，又借由O型环14使下电极11与托盘12周边形成气密结合。
[0006]如图1C所示，在进行散热过程期间，下电极11会通入冷却气体16做为托盘12温度传导的介质，借以使置于托盘12上方的晶圆片(图未示)的高温能获得适当的冷却降温。
[0007]然而，在通入冷却气体16时，常会遇到一个问题就是，托盘12受到气体压力的作用，托盘12中央会产生凸起121的现象，导致托盘12与下电极11之间会产生大小不一的间隙17，此时托盘12的不同位置表面上的散热效率将会不同，例如托盘12的中央区域的散热效率会比其周围区域的散热效率差，进而造成晶圆片在散热过程中会有散热不均匀的现象。
[0008]因此，一种可解决散热过程中导致晶圆片会有散热不均匀的创新晶圆制造设备便有应运而生的急迫需求。
【发明内容】
[0009]本实用新型的目的在于，克服现有的晶圆制造设备存在的缺陷，而提供一种新型结构的晶圆制造设备及其下电极结构和托盘结构，所要解决的技术问题是使其可以在晶圆片进行散热过程时，使得置于托盘上的各晶圆片能获得一致的散热效率，进而解决各晶圆片之间会有散热不均匀的问题。
[0010]本实用新型的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本实用新型提出的一种晶圆制造设备，其包括:下电极；以及托盘，设置于该下电极的上方侧；其中一弯曲面形成于该下电极或该托盘上且位于该下电极与该托盘相邻的一侧。
[0011]本实用新型的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施来进一步实现。
[0012]前述的晶圆制造设备，其中该弯曲面为高度由中央向周边递减的曲面。
[0013]前述的晶圆制造设备，其中该弯曲面形成于该下电极且与该托盘相邻的一侧。
[0014]前述的晶圆制造设备，其中该弯曲面形成于该托盘且与该下电极相邻的一侧。
[0015]本实用新型的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本实用新型提出的一种晶圆制造设备的下电极结构，该下电极相邻于托盘的一侧形成有弯曲面。
[0016]本实用新型的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施来进一步实现。
[0017]前述的下电极结构，其中该弯曲面为高度由中央向周边递减的曲面。
[0018]本实用新型的目的及解决其技术问题另外还采用以下技术方案来实现。依据本实用新型提出的一种晶圆制造设备的托盘结构，该托盘相邻于下电极的一侧形成有弯曲面。
[0019]本实用新型的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施来进一步实现。
[0020]前述的托盘结构，其中该弯曲面为高度由中央向周边递减的曲面。
[0021]综上所述，本实用新型一种晶圆制造设备及其下电极结构和托盘结构，该晶圆制造设备包括:下电极及托盘。托盘设置于下电极的上方侧，其中一弯曲面形成于下电极或托盘上且位于下电极与托盘相邻的一侧，而弯曲面为一高度由中央向周边递减的曲面。
[0022]借由本实用新型的实施，可达到下列进步功效:
[0023]一、提升晶圆片的降温效率。
[0024]二、晶圆片的散热效果均匀。
[0025]为了使任何熟习相关技艺者了解本实用新型的技术内容并据以实施，且根据本说明书所揭露的内容、权利要求范围及图式，任何熟习相关技艺者可轻易地理解本实用新型相关的目的及优点，因此将在实施方式中详细叙述本实用新型的详细特征以及优点。
【附图说明】
[0026]图1A为现有习知的一种晶圆制造设备在通气前的剖视图。
[0027]图1B为现有习知的一种晶圆制造设备在待通气时的剖视图。
[0028]图1C为现有习知的一种晶圆制造设备在通气时的剖视图。
[0029]图2A为本实用新型第一实施例的一种晶圆制造设备在通气前的剖视图。
[0030]图2B为本实用新型第一实施例的一种晶圆制造设备在待通气时的剖视图。
[0031]图2C为本实用新型第一实施例的一种晶圆制造设备在通气时的剖视图。
[0032]图3A为本实用新型第二实施例的一种晶圆制造设备在通气前的剖视图。
[0033]图3B为本实用新型第二实施例的一种晶圆制造设备在待通气时的剖视图。
[0034]图3C为本实用新型第二实施例的一种晶圆制造设备在通气时的剖视图。
[0035]【主要元件符号说明】
[0036]10、20、30:晶圆托盘结构
[0037]11、21、31:下电极
[0038]12、22、32:托盘
[0039]13、23、33:沟槽
[0040]14、24、34:0 型环
[0041]15、25、35:夹具
[0042]16、26、36:冷却气体
[0043]17:间隙
[0044]28、38:弯曲面
[0045]39:平坦面
[0046]121、221、321:凸起
【具体实施方式】
[0047]如图2A至图2C所示，其为本实用新型第一实施例的一种晶圆制造设备在进行散热过程时未通气、待通气及通气状态下的剖视图。
[0048]如图2A所示，本实用新型的晶圆制造设备20包括下电极21及托盘22。托盘22设置于下电极21的上方侧，且下电极21相邻于托盘22的一侧形成有弯曲面28，其中弯曲面28为高度由中央向周边递减的曲面。
[0049]下电极21的周围设有沟槽23，沟槽23内设有O型环24。托盘22紧靠于O型环24上方。此外，在托盘22与下电极21的两侧设有夹具25，用以在进行散热过程期间，将托盘22固定于下电极21上，又借由O型环24使下电极21与托盘22周边形成气密结合。
[0050]如图2B所示，当进行散热过程时，夹具25会将托盘22往下压，此时O型环24会受到挤压，使得托盘22贴靠于下电极21上方。
[0051]如图2C所示，在进行散热过程期间，下电极21会通入冷却气体26做为托盘22温度传导的介质，借以使置于托盘22上方的晶圆片(图未示)的高温能获得适当的冷却降温。
[0052]当通入冷却气体26时，托盘22中央受到气体压力的作用而会产生凸起221的现象，由于下电极21相邻于托盘22的一侧具有弯曲面28，如此弯曲面28便可与托盘22紧密贴合并使下电极21与托盘22间的间隙均等，因此可使托盘22表面上的散热效率达到一致，进而可解决晶圆片在散热过程中会有散热不均匀的现象。
[0053]如图3A至图3C所示，其为本实用新型第二实施例的一种晶圆制造设备在进行散热过程时未通气、待通气及通气状态下的剖视图。
[0054]如图3A所示，本实用新型的晶圆制造设备30包括下电极31及托盘32。托盘32设置于下电极31的上方侧，且托盘32相邻于下电极31的一侧形成有弯曲面38，其中弯曲面38为高度由中央向周边递减的曲面。
[0055]下电极31的周围设有沟槽33，沟槽33内设有O型环34。托盘32紧靠于O型环34上方。此外，在托盘32与下电极31的两侧设有夹具35，用以在进行散热过程期间，将托盘32固定于下电极31上，又借由O型环34使下电极31与托盘32周边形成气密结合。
[0056]如图3B所示，当进行散热过程时，夹具35会将托盘32往下压，此时O型环34会受到挤压，使得托盘32贴靠于下电极31上方。
[0057]如图3C所示，在进行散热过程期间，下电极31会通入冷却气体36做为托盘32温度传导的介质，借以使置于托盘32上方的晶圆片(图未示)的高温能获得适当的冷却降温。
[0058]当通入冷却气体36时，托盘32的中央会受到冷却气体36的推挤而会产生向上凸起321的现象，此时弯曲面38也因为受到气体压力将会变成平坦面39，进而使下电极31与托盘32间的间隙均等，因此可使托盘32表面上的散热效率达到一致，进而可解决晶圆片在散热过程中会有散热不均匀的现象。
[0059]以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型做任何形式上的限制，虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
【主权项】
1.一种晶圆制造设备，其特征在于包括: 下电极；以及 托盘，设置于该下电极的上方侧； 其中一弯曲面形成于该下电极或该托盘上且位于该下电极与该托盘相邻的一侧。
2.根据权利要求1所述的晶圆制造设备，其特征在于其中该弯曲面为高度由中央向周边递减的曲面。
3.根据权利要求1或2所述的晶圆制造设备，其特征在于其中该弯曲面形成于该下电极且与该托盘相邻的一侧。
4.根据权利要求1或2所述的晶圆制造设备，其特征在于其中该弯曲面形成于该托盘且与该下电极相邻的一侧。
5.一种晶圆制造设备的下电极结构，其特征在于该下电极相邻于托盘的一侧形成有弯曲面。
6.根据权利要求5所述的下电极结构，其特征在于其中该弯曲面为高度由中央向周边递减的曲面。
7.—种晶圆制造设备的托盘结构，其特征在于该托盘相邻于下电极的一侧形成有弯曲面。
8.根据权利要求7所述的托盘结构，其特征在于其中该弯曲面为高度由中央向周边递减的曲面。
【专利摘要】本实用新型为一种晶圆制造设备及其下电极结构和托盘结构，该晶圆制造设备包括下电极及托盘。托盘设置于下电极的上方侧，其中一弯曲面形成于下电极或托盘上且位于下电极与托盘相邻的一侧，而弯曲面为高度由中央向周边递减的曲面。借由本实用新型的晶圆制造设备，将可在晶圆片在进行散热过程时，使得置于托盘上的各晶圆片能获得一致的散热效率，进而解决各晶圆片之间会有散热不均匀的问题。
【IPC分类】H01L21-673
【公开号】CN204391068
【申请号】CN201520072644
【发明人】陈宜杰, 罗世欣
【申请人】聚昌科技股份有限公司
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2015年2月2日