非接触式晶圆烘烤设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型为涉及一种烘烤设备，尤其是一种非接触式晶圆烘烤设备。
【背景技术】
[0002]集成电路(IC，integrated circuit)元件为许多电子产品重要的组成元件之一，如电脑、手机及数字手表等，又集成电路元件为一种高精密技术的产业，故其品质的优劣亦与后续的应用息息相关。晶圆为制造集成电路兀件的材料之一，而决定晶体电路兀件的品质除了集成电路布局与设计外，晶圆的良率亦是关键的因素。
[0003]现有晶圆的工艺中，有许多转换与运送的过程，例如将晶圆涂布之后所进行的烘烤工艺。如中国台湾新型公告专利第M394568号的「多工式晶圆烘烤加工系统」，其揭露一种多工式晶圆烘烤加工系统，包含有一机架、一晶圆馈入装置、一十字型多工移载装置、一环型烘烤装置以及一馈出装置。所述晶圆馈入装置设置在所述机架上且可横向移动一晶圆；所述十字型多工移载装置设置在所述机架上以接收所述晶圆馈入装置的所述晶圆，具有一垂直升降座以及一旋转盘，所述旋转盘设置在所述垂直升降座上，且具有四支承载臂以用于承载所述晶圆；所述环型烘烤装置设置在所述机架上，具有一中央转盘、多个晶圆收放架、以及多个烤盘组件，所述些烤盘组件各可接受来自于相对应的所述晶圆收放架的所述晶圆，并对所述晶圆进行烘烤；所述馈出装置设置在所述机架上，可接收已烘烤好的所述晶圆。
[0004]由上述可知，所述晶圆于烘烤的过程中，由所述晶圆馈入装置依序转移至所述承载臂、所述晶圆收放架以及所述馈出装置，然而，在运送转移的过程中，所述晶圆会因承载或抓取的动作，而与其他的装置直接接触，造成所述晶圆多有碰撞或刮痕，导致所述晶圆的良率不佳，进而造成成本上升等问题。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型主要目的，在于解决现有晶圆于烘烤的过程中，在运送转移时因与设备进行直接接触，导致晶圆产生碰撞及刮痕而受损。
[0006]为达上述目的，本实用新型提供一种非接触式晶圆烘烤设备，用以将一已进行一涂布工艺的晶圆进行加热，其所述非接触式晶圆烘烤设备包含有:
[0007]一冷却工作站，包含有一第一承载座、至少一设置于所述第一承载座并提供一第一浮力气体的第一浮力气孔、至少一设置于所述第一承载座并提供一第一移动气体的第一移动气孔、至少一设置于所述第一承载座并提供一冷却气体的冷却气孔以及一连接至所述第一浮力气孔、所述第一移动气孔以及所述冷却气孔的第一气体供应模块；
[0008]一与所述冷却工作站并列设置的烘烤工作站，包含有一第二承载座、至少一设置于所述第二承载座并提供一第二浮力气体的第二浮力气孔、至少一设置于所述第二承载座并提供一第二移动气体的第二移动气孔、至少一设置于所述第二承载座并提供一加热气体的加热气孔以及一连接至所述第二浮力气孔、所述第二移动气孔以及所述加热气孔的第二气体供应模块；
[0009]其中，所述晶圆受所述第一浮力气体与所述第二浮力气体提供的一上浮力道而非接触地承载于所述冷却工作站及所述烘烤工作站上，且受所述第一移动气体与所述第二移动气体提供的一侧向力道而于所述冷却工作站及所述烘烤工作站之间进行移动。
[0010]上述的非接触式晶圆烘烤设备，其中所述第一承载座包含有一第一座体以及一设置于所述第一座体上以承载所述晶圆的第一承载平台，所述第一浮力气孔以及所述第一移动气孔设置于所述第一承载平台，所述冷却气孔设置于所述第一座体。
[0011]上述的非接触式晶圆烘烤设备，其中所述第一承载座包含有一第一座体以及一设置于所述第一座体上以承载所述晶圆的第一承载平台，所述第一浮力气孔设置于所述第一承载平台，所述第一移动气孔以及所述冷却气孔设置于所述第一座体。
[0012]上述的非接触式晶圆烘烤设备，其中所述第二承载座包含有一第二座体、一设置于所述第二座体上以承载所述晶圆并进行加热的下烘烤平台以及一相对设置于所述下烘烤平台的上烘烤平台，所述加热气孔包含有一设置于所述下烘烤平台的下加热气孔以及一设置于所述上烘烤平台的上加热气孔，所述第二浮力气孔以及所述第二移动气孔设置于所述下烘烤平台。
[0013]上述的非接触式晶圆烘烤设备，其中所述第二承载座包含有一第二座体、一设置于所述第二座体上以承载所述晶圆并进行加热的下烘烤平台以及一相对设置于所述下烘烤平台的上烘烤平台，所述加热气孔包含有一设置于所述下烘烤平台的下加热气孔以及一设置于所述上烘烤平台的上加热气孔，所述第二浮力气孔设置于所述下烘烤平台，所述第二移动气孔设置于所述第二座体。
[0014]上述的非接触式晶圆烘烤设备，其中所述冷却工作站更包含一第一气阀控制单元，所述第一气阀控制单元连接于所述第一气体供应模块以进行控制。
[0015]上述的非接触式晶圆烘烤设备，其中所述烘烤工作站更包含一第二气阀控制单元，所述第二气阀控制单元连接于所述第二气体供应模块以进行控制。
[0016]上述的非接触式晶圆烘烤设备，其中所述第一气体供应模块包含有一连接至所述第一浮力气孔并提供所述第一浮力气体的第一浮力气体供应单元、一连接至所述第一移动气孔并提供所述第一移动气体的第一移动气体供应单元以及一连接至所述冷却气孔并提供所述冷却气体的冷却气体供应单元。
[0017]上述的非接触式晶圆烘烤设备，其中所述第二气体供应模块包含有一连接至所述第二浮力气孔并提供所述第二浮力气体的第二浮力气体供应单元、一连接至所述第二移动气孔并提供所述第二移动气体的第二移动气体供应单元以及一连接至所述加热气孔并提供所述加热气体的加热气体供应单元。
[0018]所以，本实用新型的优点如下:所述晶圆可藉由所述第一浮力气体、所述第二浮力气体、所述第一移动气体与所述第二移动气体，而得以非接触地承载于所述冷却工作站及所述烘烤工作站上并进行移动，并分别藉由所述冷却气体及所述加热气体对所述晶圆进行冷却及加热，故藉此达成于非接触的状态下完成冷却、移动及烘烤所述晶圆的目的。
[0019]以下结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细描述，但不作为对本实用新型的限定。
【附图说明】
[0020]图1，为本实用新型一实施例的俯视示意图；
[0021]图2，为本实用新型一实施例的侧部透视示意图；
[0022]图3，为本实用新型一实施例的侧部透视示意图；
[0023]图4，为本实用新型一实施例的侧部透视示意图。
【具体实施方式】
[0024]涉及本实用新型的详细说明及技术内容，现就配合【附图说明】如下:
[0025]以下为本实用新型的第一实施例，请搭配参阅图1及图2所示，图1为本实用新型一实施例的俯视不意图，图2为本实用新型一实施例的侧部透视不意图，请参阅图1，于晶圆的制造过程中，当完成一涂布工艺后，会将一已进行所述涂布工艺的晶圆10接着以一烘烤工艺进行加热，所述烘烤工艺是将所述晶圆10承载于一冷却工作站20的一第一承载座21上进行一冷却步骤，所述冷却步骤完成后接着藉由一移动通道40将所述晶圆10移动至一烘烤工作站30的一第二承载座31上进行一加热步骤，所述加热步骤完成后再度将所述晶圆10经由所述移动通道40移回至所述冷却工作站20，再次进行所述冷却步骤，而后接续进入下一工艺。以下将针对上述烘烤工艺进行详细说明，请参阅图2，本实用新型为一种非接触式晶圆烘烤设备，用以对所述晶圆10进行加热烘烤，所述非接触式晶圆烘烤设备包含有所述冷却工作站20以及所述烘烤工作站30，所述冷却工作站20包含有所述第一承载座21、至少一第一浮力气孔22、至少一第一移动气孔23、至少一冷却气孔24以及一第一气体供应模块25，所述第一浮力气孔22设置于所述第一承载座21并提供一第一浮力气体A，所述第一移动气孔23设置于所述第一承载座21并提供一第一移动气体B，所述冷却气孔24设置于所述第一承载座21并提供一冷却气体C，所述第一气体供应模块25连接至所述第一浮力气孔22、所述第一移动气孔23以及所述冷却气孔24。
[0026]所述烘烤工作站30并列设置于所述冷却工作站20，包含有所述第二承载座31、至少一第二浮力气孔32、至少一第二移动气孔33、至少一加热气孔34以及一第二气体供应模块35，所述第二浮力气孔32设置于所述第二承载座31并提供一第二浮力气体D，所述第二移动气孔33设置于所述第二承载座31并提供一第二移动气体E，所述加热气孔34设置于所述第二承载座31并提供一加热气体F，所述第二气体供应模块35连接至所述第二浮力气孔32、所述第二移动气孔33以及所述加热气孔34。
[0027]所以，所述晶圆10于所述冷却工作站20中，受所述第一浮力气体A提供的一上浮力道而非接触地承载于所述第一承载座21，所述第一浮力气体A由所述第一浮力气孔22以一垂直方向Y所提供，接着藉由所述冷却气孔24提供所述冷却气体C令所述晶圆10进行所述冷却步骤，完成所述冷却步骤后藉由所述第一移动气孔23提供所述第一移动气体B，使所述晶圆10以一平行方向X经由所述移动通道40朝所述烘烤工作站30移动，所述晶圆10于所述烘烤工作站30中同样地受所述第二浮力气体D提供的所述上浮力道而非接触地承载于所述第二承载座31，所述第二浮力气体D由所述第二浮力气孔32以所述垂直方向Y所提供，然后藉由所述加热气孔34提供所述加热气体F对所述晶圆10进行所述加热步骤以进行烘烤，于所述加热步骤完成后，所述晶圆10藉由所述第二移动气孔33提供的所述第二移动气体E，以所述平行方向X经由所述移动通道40朝所述冷却工作站20移动，所述晶圆10到达所述冷却工作站20后，可如上述方式再次进行所述冷却步骤，或可离开所述冷却工作站20进行后续工艺。其中，所述第一气体供应模块25与所述第二气体供应模块35分别连接至所述第一浮力气孔22、所述第一移动气孔23以及所述冷却气孔24与所述第二浮力气孔32、所述第二移动气孔33以及所述加热气孔34，以分别提供所述第一浮力气体A、所述第一移动气体B以及所述冷却气体C与所述第二浮力气体D、所述第二移动气体E以及所述加热气体F。
[0028]请搭配参阅图2，其中的所述冷却