一种预置胶膜的芯片的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种集成电路芯片及集成电路封装技术，特别涉及一种智能卡用集成电路芯片。
【背景技术】
[0002]随着集成电路封装技术的不断进步，集成电路的集成度日益提高，功能越来越丰富。对于不断出现的新应用需求，要求集成电路封装企业能设计出新型的封装形式来配合新的需求。
[0003]目前，在半导体封装领域，固晶的方式大都采用银浆点胶固晶的方式；特别是在智能卡模块封装领域，传统的智能卡模块无一例外的都采用银浆固晶的方式将芯片安装到载带上，通过加热将银浆固化，再进行后续的引线焊接、封装、测试等工序。采用银浆点胶的工艺，存在生产工艺繁琐、材料成本高、材料损耗大，生产效率低等缺点。
[0004]为此，开发新的生产工艺和新的技术，是本领域亟需要解决的问题，行业内也出现了采用倒封装的工艺来替代传统的引线焊接工艺实现智能卡模块的生产，但是这种方式有它的局限性，比如载带的通用性不强，每种芯片必须配套设计专用的智能卡载带，载带上的焊盘和芯片必须一一对应，更换芯片必须同时更换载带，这种方式对于中小批量，多型号的生产非常不利。
【实用新型内容】
[0005]针对现有的智能卡模块生产工艺繁琐、生产成本高且生产效率低等问题，本实用新型的目的在于提供一种预置胶膜的芯片。该智能卡芯片，可以方便地用于智能卡和半导体封装领域，可以有效简化生产流程，提高生产效率，更降低了产品的生产成本。
[0006]为了达到上述目的，本实用新型采用如下的技术方案:
[0007]一种预置胶膜的芯片，包括芯片电路层，其特征在于，所述芯片还包括胶膜层，所述胶膜层预设在芯片的电路层的反面，该胶膜层与芯片的电路层反面对应配合且紧密贴入口 ο
[0008]进一步的，所述的胶膜层具有随温度变化而产生状态和粘性变化的特性，常温下胶膜呈固态，加热后胶膜融化，并产生较强的粘结力，胶膜的低温融化温度在50-100°C之间。
[0009]进一步的，所述的胶膜层经过一次低温加热融化后在常温下固化，在二次低温加热时不可再次融化。
[0010]进一步的，所述的胶膜层经过一次低温加热融化后在常温下固化，在二次低温加热时可以再次融化。
[0011]进一步的，所述的胶膜层经100-200°c快速高温加热后达到最终固化，最终固化后再次加热不能融化，具有不可回溯的特性。
[0012]进一步的，所述的胶膜层厚度均勾为5?30um。
[0013]本实用新型提供的预置胶膜的芯片，其在实际应用过程可以省去固晶过程中的银浆点胶的工艺，部分情况下更可以省去了加热固化的制程，大大节约了生产时间，提高了生产效率，同时也降低了由于点胶调试而浪费的原材料损耗，并彻底解决了点胶过程中的不良率问题，为产品的批量生产提供了技术保障。
[0014]再者本实用新型提供的方案能够适应半导体、集成电路领域的封装要求，更适合在智能卡模块领域的创新应用，将极大地推动全球智能卡模块封装行业发展，具有较好的应用前景。
【附图说明】
[0015]以下结合附图和【具体实施方式】来进一步说明本实用新型。
[0016]图1为本实用新型中晶圆电路背面贴附固晶薄膜的示意图；
[0017]图2为本实用新型中晶圆电路面贴附固晶薄膜并涂布胶膜的示意图；
[0018]图3为本实用新型中经过预置了胶膜的晶圆经过切割工序后的示意图；
[0019]图4为本实用新型中经过预置胶膜后的单个芯片及胶膜示意图。
【具体实施方式】
[0020]为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。
[0021]参见图4，其所示为本实用新型提供的经过预置胶膜后的单个芯片及胶膜示意图。
[0022]由图可知，整个芯片由芯片电路层32以及预置并覆盖在芯片电路层32反面的胶膜层4构成。该胶膜层4厚度均匀，其大小、形状都与芯片电路层32方面相对应，并紧密贴合在芯片电路层32方面上。
[0023]在具体实现时，构成胶膜层4的胶膜具有随温度变化而产生状态和粘性变化的特性，常温下胶膜呈固态，加热后胶膜融化，并产生较强的粘结力，胶膜的低温融化温度在50-100 °C 之间。
[0024]进一步的，构成胶膜层4的胶膜经过一次低温加热融化后在常温下固化，在二次低温加热时不可再次融化。
[0025]作为替代方案，构成胶膜层4的胶膜，也可采用经过一次低温加热融化后在常温下固化，在二次低温加热时可以再次融化的胶膜。
[0026]作为替代方案，构成胶膜层4的胶膜，还可采用经100-200°C快速高温加热后达到最终固化，最终固化后再次加热不能融化，具有不可回溯的特性的胶膜。
[0027]利用上述胶膜构成的胶膜层4的厚度均匀，且厚度为5?30um。
[0028]以下通过一具体实例来进一步说明本实用新型的方案:
[0029]参见图1，其所示为本实例中晶圆电路背面贴附固晶薄膜的示意图。
[0030]一般情况下，未经切割加工的晶圆3，其电路面标记31向上放置，晶圆的电路反面和固晶薄膜2通过固晶薄膜上的薄膜胶体21将晶圆附着起来，起到固定晶圆的作用。金属支撑架I用于将固晶薄膜平整可靠地固定起来。
[0031]在进行涂胶工序前，需要将晶圆3翻转180度，即使得电路标记面(即正面)向下放置，使晶圆的电路正面和固晶薄膜贴合。翻模过程应采用先贴新膜后除旧膜的方式进行，膜应贴附平整可靠，
[0032]参见图2，为本实例中晶圆电路面贴附固晶薄膜并涂布胶膜的示意图，在经过晶圆翻模工艺后，金属支撑架I将固晶薄膜2有效固定起来，晶圆3的电路正面和固晶薄膜的薄膜胶体21贴附在一起；并且，晶圆3的电路反面暴露。
[0033]针对暴露出的晶圆3的电路反面，通过涂胶设备，将胶体涂布在晶圆3的电路反面表面，固化后形成胶膜层4。
[0034]待胶膜完全干透后，再次将晶圆翻模，将预置了胶膜的晶圆的胶膜层4和固晶薄膜2的薄膜胶体21贴合在一起，待切割(参见图3)。
[0035]参见图3，为本实例中经过预置了胶膜的晶圆经过切割工序后的示意图。将完成胶膜涂布和翻模的晶圆通过晶圆切割设备按要求切割好，形成一颗颗独立的芯片32待封装使用。具体过程如下:
[0036]完成胶膜涂布和固化的晶圆，由金属支撑架I将固晶薄膜2有效固定起来，经过翻模，使得晶圆3的电路面标记31向上，胶膜层4向下和固晶薄膜2的薄膜胶体21贴附在一起，芯片32之间形成相应的切割槽33，使芯片32之间相互独立，芯片32底部的胶膜4也通过切割槽33独立，该切割槽的深度控制在大于胶膜底部的深度。
[0037]参见图4，为本实例中经过预置胶膜后的单个芯片及胶膜示意图，芯片被取下后胶膜层4和芯片32附着在一起。
[0038]利用上述预置了胶膜的芯片进行智能卡模块的生产时，将芯片安装在载带上加热固化，然后经过引线焊接、封装、测试等工艺，形成性能稳定的封装模块。采用该芯片进行模块的封装，不仅可以省去设备点胶的工序，大大提高了生产效率，同时避免了由于点胶制程产生的不良率，有效降低了产品成本，整个生产过程可以延用现有设备进行大批量生产。
[0039]以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【主权项】
1.一种预置胶膜的芯片，包括芯片电路层，其特征在于，所述芯片还包括胶膜层，所述胶膜层预设在芯片的电路层的反面，该胶膜层与芯片的电路层反面对应配合且紧密贴合。
2.根据权利要求1所述的一种预置胶膜的芯片，其特征在于，所述的胶膜层具有随温度变化而产生状态和粘性变化的特性，常温下胶膜呈固态，加热后胶膜融化，并产生粘结力，胶膜的低温融化温度在50-100°C之间。
3.根据权利要求1所述的一种预置胶膜的芯片，其特征在于，所述的胶膜层经过一次低温加热融化后在常温下固化，在二次低温加热时不可再次融化。
4.根据权利要求1所述的一种预置胶膜的芯片，其特征在于，所述的胶膜层经过一次低温加热融化后在常温下固化，在二次低温加热时可以再次融化。
5.根据权利要求1所述的一种预置胶膜的芯片，其特征在于，所述的胶膜层经100-200°C快速高温加热后达到最终固化，最终固化后再次加热不能融化，具有不可回溯的特性。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的一种预置胶膜的芯片，其特征在于，所述的胶膜层厚度均勾为5?30um。
【专利摘要】本实用新型公开了一种预置胶膜的芯片，该芯片的电路层反面上预置胶膜层，该胶膜层与芯片的电路层反面对应配合且紧密贴合。本实用新型提供的芯片的背面预置了胶膜，将芯片安装在载带上加热固化，然后经过引线焊接、封装、测试等工艺，形成性能稳定的封装模块。采用该芯片进行模块的封装，可以省去设备点胶的工序，大大提高了生产效率，同时避免了由于点胶制程产生的不良率，有效降低了产品成本，整个生产过程可以延用现有设备进行大批量生产。
【IPC分类】H01L23-02, C09J7-00
【公开号】CN204441272
【申请号】CN201420871900
【发明人】杨辉峰, 沈建
【申请人】上海仪电智能电子有限公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2014年12月30日