一种高防硫化led封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种LED封装结构，尤其涉及一种高防硫化LED封装结构。
【背景技术】
[0002]目前，LED支架底部的功能区基本上为镀银层，由于硫元素、卤素、氧元素等很容易透过封装胶体，与功能区的镀银层发生反应，产生黑色的银化合物，导致LED器件出现光衰现象，甚至银层被完全反应，造成金线与基板剥离，出现死灯现象。
[0003]为防止LED支架底部功能区的银层发生硫化反应，有人提出一种LED封装结构，在支架的空腔内壁及LED芯片上覆设一层防硫防氧膜，阻碍了通过封装胶体进入LED器件内部，与功能区的银层发生反应，然而空腔内壁涂覆防硫防氧膜，容易导致LED器件在使用过程中封装胶体的剥离，降低LED器件的可靠性。
[0004]鉴于现有技术存在的缺陷，急需研发一种高可靠性高防硫化的LED封装结构。【实用新型内容】
[0005]本实用新型的目的在于，提供一种高防硫化LED封装结构。
[0006]为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是:
[0007]—种高防硫化LED封装结构，包括:支架、设置在所述支架上的LED芯片以及覆盖所述LED芯片的封装胶体，其中，所述支架包括底座、设置在所述底座上的反射杯以及LED芯片安放区，其特征在于:在所述反射杯腔体内的底部设置有一层防硫化薄膜。
[0008]优选地，所述防硫化薄膜的厚度不大于所述LED芯片的厚度。
[0009]优选地，所述防硫化薄膜的厚度为5微米到250微米之间。
[0010]优选地，所述LED芯片表面不设置有所述防硫化薄膜。
[0011 ] 优选地，所述防硫化薄膜是一层绝缘透明材料。
[0012]优选地，所述防硫化薄膜为氟化物或硅化物薄膜。
[0013]优选地，所述防硫化薄膜通过点涂或喷涂的方式涂覆在所述反射杯腔体内的底部。
[0014]优选地，所述反射杯内壁底部设置有台阶结构。
[0015]优选地，所述台阶结构的高度不小于所述防硫化薄膜的厚度。
[0016]优选地，所述反射杯内壁底部设置有阶梯结构。
[0017]本实用新型公开的LED封装结构，具有以下优点:
[0018]1.本实用新型提供一种高防硫化LED封装结构，在反射杯腔体内的底部设置有一层透明防硫化薄膜，有效阻止硫元素、卤素、氧元素等渗入与反射杯腔体内的底部镀银层发生反应，造成器件出现光衰甚至死灯现象。
[0019]2.本实用新型提供的一种高防硫化LED封装结构，LED芯片表面不设置有防硫化薄膜，防止防硫化薄膜对LED芯片发出的光有吸收作用，确保了 LED器件的出光效率。
[0020]3.本实用新型提供的一种高防硫化LED封装结构，由于透明防硫化薄膜只涂覆在反射杯腔体内的底部，且该薄膜的厚度不大于芯片的厚度，封装胶体直接跟反射杯杯壁接触，防止器件在长期使用过程中封装胶体与反射杯剥离的现象。
[0021]4.本实用新型提供的一种高防硫化LED封装结构，在反射杯内壁底部设置台阶结构或阶梯结构，能有效的防止透明防硫化薄膜在点涂的过程中沿着反射杯内壁发生爬行现象。
【附图说明】
[0022]图1为本实用新型实施例一的一种尚防硫化LED封装结构不意图；
[0023]图2为本实用新型实施例一■的一种尚防硫化LED封装结构不意图；
[0024]图3为本实用新型其他实施例的一种高防硫化LED封装结构示意图；
[0025]图4为本实用新型其他实施例的一种尚防硫化LED封装结构不意图；
[0026]图5为本实用新型其他实施例的一种高防硫化LED封装结构示意图。
【具体实施方式】
[0027]为使本实用新型的技术方案更加清楚，以下结合附图和具体的实施例来对本实用新型进行详细说明。
[0028]实施例一
[0029]结合图1，介绍本实用新型实施例一所述的一种高防硫化LED封装结构。
[0030]如图1所示，本实施例一提供一种高防硫化LED封装结构，包括:一支架1、设置在所述支架I上的LED芯片2以及覆盖所述LED芯片2的封装胶体3。
[0031]所述支架I为金属支架或PLCC支架等，本实施例中所述支架为金属支架，其包括底座11以及设置在所述底座11上的反射杯12。其中，所述反射杯12内壁为一光滑的斜面，所述反射杯12可以由PPA、PCT、EMC、SMC等材料注塑而成，其为本领域常规技术，此处不再赘述。
[0032]所述支架I包括LED芯片安放区用于承载LED芯片2，在所述反射杯12腔体内的底部设置有一层防硫化薄膜13。
[0033]其中，所述防硫化薄膜13是一层连续的高致密高防水的绝缘透明材料，如娃化物或者氟化物薄膜等，其厚度不大于所述LED芯片2的厚度(常规的芯片厚度为80微米到450微米)，本实施例中所述防硫化薄膜13的厚度优选为5微米到250微米。所述防硫化薄膜13可以通过点涂或者喷涂的方式涂覆在所述支架I的反射杯腔体内的底部，涂覆方式优选为点涂的方式。
[0034]由于所述防硫化薄膜13是一层连续的高致密高防水的绝缘透明材料，硫元素、卤素、氧元素通过封装胶体或其他部位进入到LED器件内部时，防硫化薄膜13能够有效阻止硫元素、卤素、氧元素进一步与反射杯腔体内的底部的镀银层发生反应，进而防止LED器件在长期使用过程中由于镀银层被反应造成的光衰现象发生，进一步的，防硫化薄膜13虽然为透明材料，覆盖在LED芯片2表面，仍然会在一定的程度上对LED芯片2发出的光有吸收作用，本实施例中，防硫化薄膜13仅设置于反射杯腔体内的底部，LED芯片2表面不设置有该薄膜，不会吸收LED芯片2发出的光，保证了 LED器件的出光效率，最后，所述防硫化薄膜13仅在反射杯腔体内的底部设置，保证了封装胶体3与反射杯12内壁有足够的接触面积，不会产生在长期使用过程中，封装胶体3剥离的现象发生。
[0035]所述封装胶体3位于反射杯12腔体内部，完全覆盖LED芯片2，所述封装胶体3材料为环氧树脂、硅胶或硅树脂，封装胶体3中混有散射颗粒、红色荧光粉、黄色荧光粉、绿色荧光粉中的一种或几种。本实施例中优选为混有黄色荧光粉和散射颗粒的有机硅胶，不限于本实施例。该封装胶体用于防止LED芯片2受外界的环境如潮湿或者灰尘等杂质的影响。
[0036]实施例二
[0037]结合图2，介绍本实用新型实施例二所述的一种高防硫化LED封装结构。
[0038]本实施例二所述的一种高防硫化LED封装结构与实施例一相似，其区别在于:在所述反射杯12内壁底部设置有台阶结构121，如图2所示。具体地，所述台阶结构的高度不小于所述防硫化薄膜13的厚度。所述防硫化薄膜13仅设置于反射杯腔体内的底部，此处所述台阶结构121能有效的防止防硫化薄膜13在点涂的过程中沿着反射杯12的内壁爬行，导致防硫化薄膜13与反射杯12内壁的接触面积过大，从而产生在长期使用过程中所述封装胶体3与反射杯12内壁剥离的现象发生；另一方面，在所述反射杯内壁底部设置有台阶结构121，在点涂薄膜的过程中，有了台阶作为参照物，还有利于控制点涂防硫化薄膜13的厚度。
[0039]在其他实施例中，所述反射杯12内壁底部还可以设置有阶梯结构122。如图3至图5所示，所述反射杯12内壁底部阶梯结构122由垂直面、斜面或者圆弧面形式平滑过渡。所述防硫化薄膜13仅设置于反射杯腔体内的底部。
[0040]本实用新型公开的LED封装结构，具有以下优点:
[0041]1.本实用新型提供一种高防硫化LED封装结构，在反射杯腔体内的底部设置有一层透明防硫化薄膜，有效阻止硫元素、卤素、氧元素等渗入与反射杯腔体内的底部镀银层发生反应，造成器件出现光衰甚至死灯现象。
[0042]2.本实用新型提供的一种高防硫化LED封装结构，LED芯片表面不设置有防硫化薄膜，防止防硫化薄膜对LED芯片发出的光有吸收作用，确保了 LED器件的出光效率。
[0043]3.本实用新型提供的一种高防硫化LED封装结构，由于透明防硫化薄膜只涂覆在反射杯腔体内的底部，且该薄膜的厚度不大于芯片的厚度，封装胶体直接跟反射杯杯壁接触，防止器件在长期使用过程中封装胶体与反射杯剥离的现象。
[0044]4.本实用新型提供的高防硫化LED封装结构，在反射杯内壁底部设置台阶结构或阶梯结构，能有效的防止透明防硫化薄膜在点涂的过程中沿着反射杯内壁发生爬行现象。
[0045]以上对本实用新型进行了详细介绍，文中应用具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以对本实用新型进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本实用新型权利要求的保护范围内。
【主权项】
1.一种高防硫化LED封装结构，包括:支架、设置在所述支架上的LED芯片以及覆盖所述LED芯片的封装胶体，其中，所述支架包括底座、设置在所述底座上的反射杯以及LED芯片安放区，其特征在于:在所述反射杯腔体内的底部设置有一层防硫化薄膜。2.根据权利要求1所述的一种高防硫化LED封装结构，其特征在于:所述防硫化薄膜的厚度不大于所述LED芯片的厚度。3.根据权利要求1所述的一种高防硫化LED封装结构，其特征在于:所述防硫化薄膜的厚度为5微米到250微米之间。4.根据权利要求1所述的一种高防硫化LED封装结构，其特征在于:所述LED芯片表面不设置有所述防硫化薄膜。5.根据权利要求1所述的一种高防硫化LED封装结构，其特征在于:所述防硫化薄膜是一层绝缘透明材料。6.根据权利要求1所述的一种高防硫化LED封装结构，其特征在于:所述防硫化薄膜为氟化物或硅化物薄膜。7.根据权利要求1所述的一种高防硫化LED封装结构，其特征在于:所述防硫化薄膜通过点涂或喷涂的方式涂覆在所述反射杯腔体内的底部。8.根据权利要求1所述的一种高防硫化LED封装结构，其特征在于:所述反射杯内壁底部设置有台阶结构。9.根据权利要求8所述的一种高防硫化LED封装结构，其特征在于:所述台阶结构的高度不小于所述防硫化薄膜的厚度。10.根据权利要求1所述的一种高防硫化LED封装结构，其特征在于:所述反射杯内壁底部设置有阶梯结构。
【专利摘要】本实用新型提供一种高防硫化LED封装结构，包括：支架、设置在所述支架上的LED芯片以及覆盖所述LED芯片的封装胶体，其中，所述支架包括底座、设置在所述底座上的反射杯以及LED芯片安放区，其特征在于：在所述反射杯腔体内的底部设置有一层防硫化薄膜。该防硫化薄膜能够有效阻止硫元素、卤素、氧元素等渗入与反射杯腔体内的底部镀银层发生反应，造成器件出现光衰甚至死灯现象，LED芯片表面不设置有防硫化薄膜，防止防硫化薄膜对LED芯片发出的光有吸收作用，确保了LED器件的出光效率，在反射杯内壁底部设置台阶结构或阶梯结构，能有效的防止薄膜在点涂的过程中沿着反射杯内壁发生爬行现象。
【IPC分类】H01L33/54, H01L33/60
【公开号】CN204834689
【申请号】CN201520589491
【发明人】李正凯, 董国帅, 韦昊轩, 潘利兵, 李军政
【申请人】佛山市国星光电股份有限公司
【公开日】2015年12月2日
【申请日】2015年8月7日