流，从而促进所述含氟气体与所述前驱物气体的混合。
[0030]图4D是沿着图4B的剖线4D-4D的主体400的侧视剖面图。所述通孔405B中的一者的剖面是示出为取向成相对于主体400的纵轴A成角度α。相对于所述纵轴A的所述角度α可为约40度到约50度，诸如约45度。虽然仅示出一个通孔405Β，但是所有的通孔405Β可以按角度α倾斜。所述通孔405Β可以向内地朝向纵轴A倾斜，朝向彼此倾斜，或者使用以上倾斜方式的组合。
[0031]根据本文描述的等离子体处理系统100的实施方式，可使用所述主气源122、辅助气源126和含氟气体源124形成OLED结构。所述OLED结构可包括形成在所述基板101上的第一阻挡层和第二阻挡层。所述第一阻挡层可为电介质层，诸如氮化硅(SiN)、氮氧化硅(S1N)、二氧化硅(S12)、氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)，或者其他合适的电介质层。所述第一阻挡层可通过以下步骤来沉积:引入含硅前驱物(诸如，甲硅烷)以及一或多种含氮前驱物(诸如队和NH 3)，以及氢气。
[0032]可在所述第一阻挡层上使用遮罩暴露的区域上形成缓冲粘附层。所述缓冲粘附层可包括电介质材料，诸如氮氧化硅。
[0033]可以在所述缓冲粘附层上沉积第二缓冲层。所述第二缓冲层可以是经氟化的等离子体聚合六甲基二硅氧烷(PP-HMDS0:F)。所述pp-HMDS0:F层的沉积是通过使来自含氟气体源124的一或多种含氟气体，以及HMDSO气体，与02、He或者N2O气体一起流动而实现的。所述含氟气体可以是三氟化氮(NF3)、SiF4、氟气(F2)、碳氟化物(CxFy)，或者它们的任意组入口 ο
[0034]氟掺杂的等离子体聚合HMDSO层具有优良的颗粒覆盖性能和表面平面化效应。使用耦接到分隔的进料管线134的含氟气体源124的试验结果显示:与使含氟气体与来自主气源122和辅助气源126的气体一起流动相比，所得膜中的颗粒具有大于约90%的减少。
[0035]可通过改进所述系统的气体面板来将现有的等离子体处理系统改装成包括含氟气体源124和进料管线134。例如，可以添加用于所述含氟气体源124的新管段，以及注射阀。还可将压力开关，诸如500托或者550托的开关，添加到所述气体面板和/或进料管线。
[0036]如上文所论述的分隔的供气管线的使用防止了前驱物气体和含氟气体之间的过早反应。所述过早反应产生颗粒，颗粒可造成在所述基板上形成的薄膜中的缺陷和/或减少产率。本文公开的实施方式被证实将颗粒减少了约90%或更多。
[0037]尽管上述内容是针对本公开案的实施方式，但可在不脱离本公开案的基本范围的情况下设计本公开案的其他和进一步实施方式，且本公开案的范围是由上文的权利要求书确定的。
【主权项】
1.一种等离子体处理腔室，包括: 第一前驱物源和第二前驱物源，所述第一前驱物源和所述第二前驱物源通过第一进料管线和第二进料管线耦接到设置在所述腔室上的远程等离子体源，所述第一前驱物源和所述第二前驱物源中的一者包含六甲基二硅氧烷流体；以及 第三前驱物源，所述第三前驱物源包含含氟气体，所述第三前驱物源通过与所述第一进料管线和所述第二进料管线分隔的第三进料管线耦接到在所述远程等离子体源和所述腔室之间延伸的输出导管。2.如权利要求1所述的腔室，其中所述第一进料管线或者所述第二进料管线中的一者包括蒸发器。3.如权利要求1所述的腔室，其中所述第一进料管线或者所述第二进料管线中的一者包括加热器。4.如权利要求1所述的腔室，其中所述输出导管包括混合区块的第一导管。5.如权利要求4所述的腔室，其中所述混合区块包括耦接到所述混合区块的第二导管。6.如权利要求5所述的腔室，其中所述第二导管包括凸缘，所述凸缘耦接到所述第三进料管线。7.如权利要求6所述的腔室，其中所述凸缘包括穿孔板。8.如权利要求7所述的腔室，其中所述穿孔板包括多个通孔，所述通孔中的至少一部分相对于所述穿孔板的纵轴倾斜。9.如权利要求8所述的腔室，其中通孔的所述部分相对于所述纵轴以40度到50度倾斜。10.如权利要求1所述的腔室，其中所述第一进料管线和所述第二进料管线耦接到设置在所述远程等离子体源与所述第一前驱物源和所述第二前驱物源之间的混合区块。11.一种等离子体处理腔室，包括: 第一前驱物源和第二前驱物源，所述第一前驱物源和所述第二前驱物源通过第一进料导管和第二进料导管耦接到设置在所述腔室上的远程等离子体源，所述第一前驱物源和所述第二前驱物源中的一者包含六甲基二硅氧烷流体； 蒸发器，所述蒸发器耦接到所述进料导管，所述进料导管耦接到包含所述六甲基二硅氧烷流体的所述前驱物来源；以及 第三前驱物源，所述第三前驱物源包含含氟气体，所述第三前驱物源通过与所述第一进料导管和所述第二进料导管分隔的第三进料导管耦接到在所述远程等离子体源和所述腔室之间延伸的输出导管。12.如权利要求11所述的腔室，其中所述第一进料导管和所述第二进料导管耦接到设置在所述远程等离子体源与所述第一前驱物源和所述第二前驱物源之间的混合区块。13.如权利要求11所述的腔室，其中所述输出导管包括混合区块的第一导管。14.如权利要求13所述的腔室，其中所述混合区块包括耦接到所述混合区块的第二导管。15.如权利要求14所述的腔室，其中所述第二导管包括凸缘，所述凸缘耦接到所述第三进料导管。16.如权利要求15所述的腔室，其中所述凸缘包括穿孔板。17.如权利要求16所述的腔室，其中所述穿孔板包括多个通孔，所述通孔中的至少一部分相对于所述穿孔板的纵轴倾斜。18.如权利要求17所述的腔室，其中通孔的所述部分相对于所述纵轴以40度到50度倾斜。19.一种等尚子体处理系统，包括: 腔室； 第一电极，所述第一电极设置在所述腔室内，所述第一电极促进所述腔室内的等离子体产生并且可相对于所述腔室内的第二电极移动； 第一前驱物源和第二前驱物源，所述第一前驱物源和所述第二前驱物源通过第一进料导管和第二进料导管耦接到设置在所述腔室上的远程等离子体源，所述第一前驱物源和所述第二前驱物源中的一者包含六甲基二硅氧烷流体；以及 第三前驱物源，所述第三前驱物源包含含氟气体，所述第三前驱物源通过与所述第一进料导管和所述第二进料导管分隔的第三进料导管耦接到在所述远程等离子体源和所述腔室之间延伸的输出导管。20.如权利要求19所述的系统，其中所述输出导管包括混合区块的第一导管。21.如权利要求20所述的系统，其中所述混合区块包括耦接到所述混合区块的第二导管。22.如权利要求21所述的系统，其中所述第二导管包括凸缘，所述凸缘耦接到所述第三进料导管。23.如权利要求22所述的系统，其中所述凸缘包括穿孔板。24.如权利要求23所述的系统，其中所述穿孔板包括多个通孔，所述通孔中的至少一部分相对于所述穿孔板的纵轴倾斜。25.如权利要求19所述的系统，其中所述第一进料导管和所述第二进料导管耦接到设置在所述远程等离子体源与所述第一前驱物源和所述第二前驱物源之间的混合区块。
【专利摘要】本公开案涉及具有分隔的供气管线的等离子体处理腔室及等离子体处理系统。本公开案公开了用于将前驱物气体分别提供到等离子体处理系统的方法与设备，所述等离子体系统包括第一前驱物源和第二前驱物源，以及第三前驱物源，所述第一前驱物源和第二前驱物源通过第一进料管线和第二进料管线耦接到设置在所述腔室上的远程等离子体源，所述第三前驱物源包含含氟气体并且通过与所述第一进料管线和所述第二进料管线分隔的第三进料管线耦接到在所述远程等离子体源和所述腔室之间延伸的输出导管。
【IPC分类】H01J37/32
【公开号】CN204857653
【申请号】CN201520346288
【发明人】S·D·亚达夫, 陈志坚
【申请人】应用材料公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年5月26日