具有中空腔室的半导体封装结构及其下基板的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型是有关一种半导体封装结构，特别是一种具有中空腔室的半导体封装结构。
【背景技术】
[0002]现有习知微机电(MEMS, Micro-electromechanical Systems)封装制造过程是在基板上形成连接部，并将电子元件(如电阻器、晶体管、射频装置、集成电路或电容器)设置于基板，利用网版印刷方式将锡膏涂布于基板的连接部表面，再将盖体置于基板的连接部上以热压合制造过程进行封装，使得基板与盖体之间形成空腔，电子元件可在空腔中稳定操作，但受限于网版印刷制造过程需要较大的面积进行锡膏涂布，使得现有习知基板无法以微间距结构进行封装，因此发展微间距基板结构，以大幅缩小整体封装尺寸是微机电封装制造过程的重要课题。
【发明内容】
[0003]本实用新型的主要目的在于借由回焊焊球而在下基板的下金属层形成接合层，再通过接合层使下基板与上基板互相接合，并以下金属层的角隅的特殊结构避免接合层于成形过程中产生溢流或表面起伏的现象，而能避免污染并提高接合层表面共面性(Coplanarity)。
[0004]本实用新型的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。本实用新型的一种具有中空腔室的半导体封装结构包含下基板、接合层及上基板，该下基板具有下底板及下金属层，该下底板具有表面，该表面具有设置区、至少一个第一显露区及第二显露区，该设置区为封闭回路，且该设置区围绕该第二显露区，该下金属层形成于该设置区，该下金属层具有至少一个角隅，该角隅具有第一外侧面、第二外侧面及外连接面，该外连接面连接该第一外侧面及该第二外侧面，且该外连接面位于该第一外侧面及该第二外侧面之间，该第一外侧面具有第一底边，该第一底边具有第一端点，该第一端点延伸形成第一延伸线，该第二外侧面具有第二底边，该第二底边具有第二端点，该第二端点延伸形成第二延伸线，该第一延伸线及该第二延伸线相交形成相交点，连接该相交点、该第一端点及该第二端点所形成的区域为该第一显露区，该接合层形成于该下金属层上，该上基板具有接合表面，该接合表面连接该接合层，使该上基板及该下基板之间形成中空腔室。
[0005]本实用新型的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
[0006]前述的具有中空腔室的半导体封装结构，其中该下金属层的该角隅另具有相对于该第一外侧面的第一内侧面及相对于该第二外侧面的第二内侧面，该第一内侧面及该第二内侧面面向该第二显露区，该第一外侧面及该第一内侧面之间具有第一宽度，该第一宽度为该第一外侧面及该第一内侧面的最短距离，该第二显露区的边缘及该外连接面之间具有连接宽度，该连接宽度为该第二显露区的边缘及该外连接面的最短距离，该第一宽度与该连接宽度的比率介于1:0.8至1: 1.4之间。
[0007]前述的具有中空腔室的半导体封装结构，其中该角隅另具有相对于该外连接面的内连接面，该内连接面连接该第一内侧面及该第二内侧面，且该内连接面位于该第一内侧面及该第二内侧面之间，该内连接面及该第一内侧面之间具有夹角，该夹角小于180度。
[0008]前述的具有中空腔室的半导体封装结构，其中该接合层由多个焊球回焊形成。
[0009]前述的具有中空腔室的半导体封装结构，其中该下底板另具有下凸出部，该设置区及该第一显露区位于该下凸出部的表面。
[0010]前述的具有中空腔室的半导体封装结构，其中该上基板具有上金属层，该上金属层形成于该上基板的该接合表面，该接合表面经由该上金属层连接该接合层。
[0011]前述的具有中空腔室的半导体封装结构，其中该上基板另具有上底板，该上底板具有上凸出部，该接合表面为该上凸出部的表面。
[0012]前述的具有中空腔室的半导体封装结构，其中该下底板的该表面另具有第三显露区，该第三显露区围绕该设置区及该第一显露区，且该第一显露区位于该第三显露区及该设置区之间。
[0013]本实用新型的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本实用新型提出的一种具有中空腔室的半导体封装结构的下基板，其包含:下底板，具有表面，该表面具有设置区、至少一个第一显露区及第二显露区，该设置区为封闭回路，且该设置区围绕该第二显露区；以及下金属层，形成于该设置区，该下金属层具有至少一个角隅，该角隅具有第一外侧面、第二外侧面及外连接面，该外连接面连接该第一外侧面及该第二外侧面，且该外连接面位于该第一外侧面及该第二外侧面之间，该第一外侧面具有第一底边，该第一底边具有第一端点，该第一端点延伸形成第一延伸线，该第二外侧面具有第二底边，该第二底边具有第二端点，该第二端点延伸形成第二延伸线，该第一延伸线及该第二延伸线相交形成相交点，连接该相交点、该第一端点及该第二端点所形成的区域为该第一显露区。
[0014]本实用新型的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
[0015]前述的具有中空腔室的半导体封装结构的下基板，其中该下金属层的该角隅另具有相对于该第一外侧面的第一内侧面及相对于该第二外侧面的第二内侧面，该第一内侧面及该第二内侧面面向该第二显露区，该第一外侧面及该第一内侧面之间具有第一宽度，该第一宽度为该第一外侧面及该第一内侧面的最短距离，该第二显露区的边缘及该外连接面之间具有连接宽度，该连接宽度为该第二显露区的边缘及该外连接面的最短距离，该第一宽度与该连接宽度的比率介于1:0.8至1: 1.4之间。
[0016]前述的具有中空腔室的半导体封装结构的下基板，其中该下金属层的该角隅另具有相对于该外连接面的内连接面，该内连接面连接该第一内侧面及该第二内侧面，且该内连接面位于该第一内侧面及该第二内侧面之间，该内连接面及该第一内侧面之间具有夹角，该夹角小于180度。
[0017]前述的具有中空腔室的半导体封装结构的下基板，其中该下底板另具有下凸出部，该设置区及该第一显露区位于该下凸出部的表面。
[0018]前述的具有中空腔室的半导体封装结构的下基板，其中该下底板的该表面另具有第三显露区，该第三显露区围绕该设置区及该第一显露区，且该第一显露区位于该第三显露区及该设置区之间。
[0019]本实用新型的目的及解决其技术问题另外再采用以下技术方案来实现。依据本实用新型提出的一种具有中空腔室的半导体封装制造过程，其包含:提供下底板，该下底板具有表面，该表面具有设置区、至少一个第一显露区及第二显露区，该设置区为封闭回路，且该设置区围绕该第二显露区；形成下金属层于该设置区，该下金属层具有至少一个角隅，该角隅具有第一外侧面、第二外侧面及外连接面，该外连接面连接该第一外侧面及该第二外侧面，且该外连接面位于该第一外侧面及该第二外侧面之间，该第一外侧面具有第一底边，该第一底边具有第一端点，该第一端点延伸形成第一延伸线，该第二外侧面具有第二底边，该第二底边具有第二端点，该第二端点延伸形成第二延伸线，该第一延伸线及该第二延伸线相交形成相交点，连接该相交点、该第一端点及该第二端点所形成的区域为该第一显露区，其中，该下底板及该下金属层形成下基板；设置多个焊球于该下金属层上；回焊所述焊球，使所述焊球熔化并互相连接，以形成接合层于该下金属层上；以及将上基板与该下基板进行连接，该上基板具有接合表面，该接合表面连接该接合层，使该上基板及该下基板之间形成中空腔室。
[0020]本实用新型的目的及解决其技术问题还可采用以