铁硅电抗器的铁心结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电抗器领域，特别是涉及铁硅电抗器的铁心结构。
【背景技术】
[0002]目前常规的电抗器采用硅钢片或非晶铁心，电抗器噪音较大，对生产工艺要求很高，且其抗直流饱和能力较弱。为了降低噪音、提高抗直流饱和的能力，设计人员往往需要减小磁场密度或采用更优良的铁心。
【实用新型内容】
[0003]为解决上述技术问题，本实用新型提供了铁硅电抗器的铁心结构。
[0004]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:铁硅电抗器的铁心结构，它由多个长方体块状的铁硅磁芯拼装成口字形空心柱状铁心；相接触的铁硅磁芯粘结固定。
[0005]所述的口字形空心柱状铁心由多层口字形铁硅磁芯组构成。
[0006]所述的口字形铁硅磁芯组包括前边铁硅磁芯组、后边铁硅磁芯组、左边铁硅磁芯组和右边铁硅磁芯组；所述的前边铁硅磁芯组和后边铁硅磁芯组分别由四个铁硅磁芯在同一水平面上分别按“田”字形排列组成；所述的左边铁硅磁芯组和右边铁硅磁芯组分别由两个铁硅磁芯分并排排列组成；所述的口字形铁硅磁芯组中的相接触的铁硅磁芯之间粘结固定。
[0007]工作原理:采用长方体块状的铁硅磁芯拼装灵活，可组合成各种尺寸的铁芯结构，相接触的铁硅磁芯粘结固定，降低了电抗器的噪音，提高电抗器的抗直流饱和能力。
[0008]本实用新型的有益效果:本实用新型的铁硅电抗器的铁心结构采用长方体块状的铁硅磁芯拼装灵活，可组合成各种尺寸的铁芯结构，相接触的铁硅磁芯粘结固定，降低了电抗器的噪音，提高电抗器的抗直流饱和能力。
【附图说明】
[0009]图1为实施例的铁硅电抗器的铁心结构的示意图；
[0010]图2为实施例的铁硅电抗器的铁心结构的口字形铁硅磁芯组的分解的示意图；
[0011]图3为实施例的铁硅电抗器的铁心结构的多层口字形铁硅磁芯组的分解示意图；
[0012]其中，1-前边铁硅磁芯组，2-后边铁硅磁芯组，3-左边铁硅磁芯组，4-右边铁硅磁芯组，5-铁硅磁芯，6- 口字形铁硅磁芯组。
【具体实施方式】
[0013]为了加深对本实用新型的理解，下面将结合附图和实施例对本实用新型做进一步详细描述，该实施例仅用于解释本实用新型，并不对本实用新型的保护范围构成限定。
[0014]实施例
[0015]如图1至图3所示，铁硅电抗器的铁心结构，它由多个长方体块状的铁硅磁芯5拼装成口字形空心柱状铁心；相接触的铁硅磁芯5粘结固定；所述的口字形空心柱状铁心由三层口字形铁硅磁芯组6构成；所述的口字形铁硅磁芯组包括前边铁硅磁芯组1、后边铁硅磁芯组2、左边铁娃磁芯组3和右边铁娃磁芯组4 ;所述的如边铁娃磁芯组I和后边铁娃磁芯组2分别由四个铁硅磁芯5在同一水平面上分别按“田”字形排列组成；所述的左边铁硅磁芯组3和右边铁硅磁芯组4分别由两个铁硅磁芯5分并排排列组成；所述的口字形铁硅磁芯组6中的相接触的铁硅磁芯5之间粘结固定。
[0016]本实施例的铁硅电抗器的铁心结构的工作原理:采用长方体块状的铁硅磁芯5拼装灵活，可组合成各种尺寸的铁芯结构，相接触的铁硅磁芯5粘结固定，降低了电抗器的噪音，提高电抗器的抗直流饱和能力。
[0017]上述实施例不应以任何方式限制本实用新型，凡采用等同替换或等效转换的方式获得的技术方案均落在本实用新型的保护范围内。
【主权项】
1.铁硅电抗器的铁心结构，其特征在于:它由多个长方体块状的铁硅磁芯拼装成口字形空心柱状铁心；相接触的铁娃磁芯粘结固定。2.根据权利要求1所述的铁硅电抗器的铁心结构，其特征在于:所述的口字形空心柱状铁心由多层口字形铁硅磁芯组构成。3.根据权利要求2所述的铁硅电抗器的铁心结构，其特征在于:所述的口字形铁硅磁芯组包括肖U边铁娃磁芯组、后边铁娃磁芯组、左边铁娃磁芯组和右边铁娃磁芯组；所述的如边铁硅磁芯组和后边铁硅磁芯组分别由四个铁硅磁芯在同一水平面上分别按“田”字形排列组成；所述的左边铁硅磁芯组和右边铁硅磁芯组分别由两个铁硅磁芯分并排排列组成；所述的口字形铁硅磁芯组中的相接触的铁硅磁芯之间粘结固定。
【专利摘要】铁硅电抗器的铁心结构，涉及电抗器领域。本实用新型解决了常规的电抗器采用硅钢片或非晶铁心，电抗器噪音较大，对生产工艺要求很高，且其抗直流饱和能力较弱的问题。铁硅电抗器的铁心结构，它由多个长方体块状的铁硅磁芯拼装成口字形空心柱状铁心；相接触的铁硅磁芯粘结固定；所述的口字形空心柱状铁心由多层口字形铁硅磁芯组构成。本实用新型的铁硅电抗器的铁心结构采用长方体块状的铁硅磁芯拼装灵活，可组合成各种尺寸的铁芯结构，相接触的铁硅磁芯粘结固定，降低了电抗器的噪音，提高电抗器的抗直流饱和能力。
【IPC分类】H01F27/24, H01F1/147
【公开号】CN204884797
【申请号】CN201520696100
【发明人】岳泽, 陈志锋
【申请人】苏州吴变电气科技有限公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年9月10日