Led正装芯片的高功率密度封装模组的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于半导体照明器件技术领域，具体涉及LED正装芯片的高功率密度封装模组。
【背景技术】
[0002]随着半导体技术的快速发展，LED封装技术得到了长足的进步，大功率LED封装器件也逐渐推广应用于各种普通照明和特殊照明应用领域。目前LED封装器件的功率可达到千瓦级，但功率密度相对较低。这还不能满足众多工业应用领域对高功率密度光输出的需求。
[0003]CN 201410291560.7提出了一种LED倒装芯片的大功率集成封装结构，LED倒装芯片焊接在正负极导电板间隔排布的封装基板上，倒装芯片的P型和N型电极横跨正、负导电板，并分别与对应导电板电气连接，实现了大功率的封装模组。但是该封装结构中，倒装芯片的两个电极必须准确对准相应导电板，而芯片本身的尺寸非常小，因此该发明的封装精度要求很高，操作比较困难。
【发明内容】
[0004]本实用新型的目的是提供一种可靠性好的LED正装芯片的高功率密度封装模组，以实现十千瓦级的大功率LED器件封装。
[0005]本实用新型提供的LED正装芯片的高功率密度封装模组，其封装基板表面为正、负极导电板交替排布的横截面，LED正装芯片的两侧P极和N极分别连接到相邻的两个正、负极导电板上，而所有正、负极导电板则分别与对应的驱动电源的正、负接口相连。
[0006]本实用新型中，所述封装模组包含至少I组正、负极导电板，相邻导电板之间有用于电气绝缘的导热绝缘层；所述导电板为具有高导热系数的金属板材或者为导电的非金属板材，厚度在I mm以上。
[0007]本实用新型中，所述LED正装芯片底部通过焊料或导热胶或共晶焊粘结在相邻的正、负导电板之间，每组正、负导电板上可以并联有若干个LED正装芯片；相同极性的导电板可以并联或串联形成模组的电输出端。
【附图说明】
[0008]图1为本实用新型的LED正装芯片的高功率密度封装模组的正视图。
[0009]图2为本实用新型的LED正装芯片的高功率密度封装模组的俯视图。
[0010]图3为本实用新型的负极单焊盘垂直芯片的封装模组的正视图。
[0011]图4为本实用新型的负极单焊盘垂直芯片的封装模组的俯视图。
[0012]图5为本实用新型的负极双焊盘垂直芯片的封装模组的正视图。
[0013]图6为本实用新型的负极双焊盘垂直芯片的封装模组的俯视图。
[0014]图中标号:1一正极导电板；2—绝缘Jj父；3一负极导电板；4一LED芯片；5—芯片N型电极；6—芯片P型电极；7—金线；8—导热胶；9一导电胶。
【具体实施方式】
[0015]以下结合附图和实施例，对本实用新型做进一步说明。所描述的实施例仅为本实用新型的部分实施例。基于本实用新型中的实施例而未作出创造性成果的其他所有实施例，都属于本实用新型的保护范围。
[0016]实施例1:本实用新型的LED正装芯片的高功率密度封装模组，其结构如图1和图2所示。封装基板由两组正极导电板I和负极导电板3交替排列构成。导电板厚度为2 _，长度为20 _。相邻导电板之间采用绝缘胶2进行电气绝缘。封装模组中包含十个功率为10 W的紫外LED正装芯片4，分为两排。芯片底部用导热胶8粘结在封装基板上，芯片的N型电极5和P型电极6分别通过金线7与负极导电板3和正极导电板I进行电连接。两组导电板中，相同极性的导电板并联，并连接到对应的电源接线端。
[0017]实施例2:本实用新型的负极单焊盘垂直芯片的高功率密度封装模组，其结构如图3和图4所示。封装基板由一个正极导电板I和两个负极导电板3交替排列构成。正极导电板厚度为5 _，负极导电板厚度为I _，长度均为20 _。相邻导电板之间采用绝缘胶2进行电气绝缘。封装模组中包含十个功率为10 W的紫外LED正装芯片4，分为两排。芯片底部的P型电极6用导电焊料9焊接在正极导电板I上，芯片的N型电极5通过金线7与相邻负极导电板3连接。两个负极导电板并联。
[0018]实施例3:本实用新型的负极双焊盘垂直芯片的高功率密度封装模组，其结构如图5和图6所示。封装基板由两个正极导电板I和三个负极导电板3交替排列构成。正极导电板厚度为3 mm，负极导电板厚度为I mm，长度均为20 mm。相邻导电板之间采用绝缘胶2进行电气绝缘。封装模组中包含十个功率为10 W的紫外LED正装芯片4，分为两行排列。芯片底部的P型电极6用导电焊料9焊接在正极导电板I上，芯片顶部两侧的N型电极5通过金线7与相邻负极导电板3连接。相同极性的导电板并联，并连接到对应的电源接线端。
【主权项】
1.一种LED正装芯片的高功率密度封装模组，其特征在于:封装基板表面为正、负极导电板交替排布的横截面，LED正装芯片的两侧P极和N极分别连接到相邻的两个正、负极导电板上，而所有正、负极导电板则分别与对应的驱动电源的正、负接口相连。2.根据权利要求1所述的LED正装芯片的高功率密度封装模组，其特征在于:包含至少I组正、负极导电板，相邻导电板之间有用于电气绝缘的导热绝缘层；所述导电板为具有高导热系数的金属板材或者为导电的非金属板材，厚度在I mm以上。3.根据权利要求2所述的LED正装芯片的高功率密度封装模组，其特征在于:所述LED正装芯片底部通过焊料或导热胶或共晶焊粘结在相邻的正、负导电板之间，每组正、负导电板上并联有若干个LED正装芯片；相同极性的导电板并联或串联形成模组的电输出端。
【专利摘要】本实用新型属于半导体照明器件技术领域，具体为LED正装芯片的高功率密度封装模组。本封装模组的封装基板表面为正、负极导电板交替排布的横截面，LED正装芯片的两侧P极和N极分别连接到相邻的两个正、负极导电板上，而所有正、负极导电板则分别与对应的驱动电源的正、负接口相连；相邻导电板之间有导热绝缘层；所述导电板为具有高导热系数的金属板材或者为导电的非金属板材，厚度在1mm以上；所述LED正装芯片底部通过焊料或导热胶或共晶焊粘结在相邻的正、负导电板之间，每组正负导电板上可以并联若干个LED正装芯片；相同极性的导电板可以并联或串联形成模组的电输出端。
【IPC分类】H01L33/62, H01L25/075
【公开号】CN205122582
【申请号】CN201520825587
【发明人】张善端, 韩秋漪, 荆忠
【申请人】复旦大学, 上海迈芯光电科技有限公司
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2015年10月25日