用两者组合可制作出光电转换效率近于100%的巧四甲酸 二酢光禪合器。在此基础上，2015年3月经天水国营第八屯一厂对该器件的光电参数全面 测试，测试结果见表2。从表2可W看出，由巧四甲酸二酢制作的光电探测器在偏压为1. 5V ，lOOOlx (勒克斯）的白光照射下，其光电流在80 μ A左右，其电参数比较均匀，其暗电流在 lOnA左右。它大大低于利用单晶Si制作的光敏二极管的暗电流。同时，由表2可看出，在 无光照1. 5V偏压作用下，测得其暗电流在lOnm左右，其光电流与暗电流之比为ΙΟ3 (即光 电流是暗电流的1000倍)，由于暗电流十分微弱，它在电路中产生的噪声电流也十分小。由 此得出，运种新型的巧四甲酸二酢光电探测器在使用电路中（包括制作的光禪合器)，有非 常好的工作状态；另外，在低溫（-55Γ)及高溫（125°C)的条件下循环储存8小时，测其电 参数未发现有劣化现象，说明该有机光电探测器的电参数不受其环境溫度的变化的影响， 具有十分良好的可靠性和稳定性。
[0018] 本实用新型提供的巧四甲酸二酢有机层光禪合器已经制作出产品，并且于2014 年12月委托北京瑞普北光电子有限公司对其进行了光电参数的测试，测试结果见表3。
[0019]
[0020] 由表3的测试结果看出，运种新型光禪合器的电参数完全符合该公司同类产品的 质量指标。
[0021] 2015年7月，兰州大学物理科学技术学院对巧四甲酸二酢有机层光电禪合器也进 行了电学参数测试，测试结果见表4。
[0022]
[0023]由表4可W看出，本实用新型巧四甲酸二酢有机层光电禪合器的输入/输出传输 特性、隔离特性的参数及光电性能完全达到了由Si制作的光敏二极管忍片与GaAs红外发 光二极管忍片组合的光禪合器的技术指标。另外，由于暗电流的大幅度降低及反向击穿电 压的提高，从而增强了它在电路中使用的稳定性和可靠性；其光电转化的量子效率达到了 98% W上，比娃光敏二极管忍片及Ξ极管忍片组合的光禪器的光电转换量子效率提高20%， 制造成本是单晶娃器件的50%。它完全可W替代同类产品中的Si光敏二极忍片管组成的 光禪合器；同时，由表4中的测试数据可W看出，该光禪合器的输入特性由GaAs发光二极管 忍片决定；然而输出特性完全由作为受光器的巧四甲酸二酢光禪合器忍片决定，其暗电流 非常小，在nA数量级；其反向击穿电压在90V左右；它对信号有良好的传输特性，并且隔离 特性测出的电容十分小，在2-3PF(微微法拉);其绝缘电阻高达1〇ι°Ω，实现了电性能的完全 隔离。由其输入特性、输出特性、传输特性及隔离特性的逐个光电参数测试的结果表明，本 实用新型提供的光禪合器具有很好的抑制干扰并消除噪声的的特性。运些特性参数与厦口 华联光电技术责任有限公司及北京瑞普光电子有限公司的产品相比，达到了其参数标准， 并且个别参数还优于上述公司的产品的数值，实现了电性能的完全隔离具有十分良好的可 靠性和稳定性，完全在各种电路中稳定可靠使用；它在计算机及电子电路中具有广阔的用 途及市场前景。
【附图说明】
[0024] 图1是本实用新型光禪合器的结构示意图；
[0025] 图2是巧四甲酸二酢光电探测器忍片的剖面示意图；
[0026] 图3是制作本实用新型光禪合器时，在单晶Si片表面沉积的巧四甲酸二酢的X射 线衍射图；该图的横坐标表示衍射角度为2 Θ，纵坐标为衍射峰的相对强度；
[0027] 图4是利用微电子学平面工艺光刻方法，在IT0薄膜的表面刻蚀直径为50 μπι的 Al-Ni电极引线孔、在每个忍片的四周边缘光刻出宽度为30 μπι的台阶的光刻板图；
[0028] 图5是巧四甲酸二酢有机光电探测器忍片的光谱响应曲线图，横坐标为入射光的 波长(波长间隔lOnm)，纵坐标为峰值响应度。
[0029] 图中：l-GaAs红外发光二极管忍片，2-巧四甲酸二酢光电探测器忍片，3-金属 壳体，4-金电极层，5-P-Si衬底层，6-巧四甲酸二酢单晶膜层，7- ITO膜层，8-儀膜层， 9-侣膜层，H1-金电极层厚度，肥一P-Si衬底层厚度，H3-巧四甲酸二酢单晶膜层厚度， H4-IT0膜层厚度，册一儀膜层厚度，册一侣膜层厚度，a-掩模图形正方形边长，b-刻蚀 台阶宽度，c-Al-Ni电极引线孔边缘与ITO膜左端的间距，d-Al-Ni电极引线孔直径，e-Al-Ni电极引线孔边缘与ITO膜上端的间距。
【具体实施方式】
[0030] 如图1所示：一种巧四甲酸二酢有机层光电禪合器，包括组装在同一密封的金属 壳体3内的发光器和雙光器，发光器为GaAs红外发光二极管忍片1，雙光器为巧四甲酸二酢 光电探测器电极忍片2。金属壳体3是顶端开口的金属壳体，高透明环氧树脂注入金属壳 体，将两个忍片在电气上完全绝缘封装。
[003。 参见图2 :巧四甲酸二酢光电探测器电极忍化包括依次叠层的金电极层4、P-Si 衬底层5、巧四甲酸二酢单晶膜层6和ITO膜层7, ITO膜层7表面设有儀膜层8,儀膜层8 表面设有侣膜层9 ;儀膜层8与侣膜层9组成忍片电极，忍片电极的直径为50 μ m。
[0032] 叠层的金电极层4、P-Si衬底层5与巧四甲酸二酢单晶膜层6的边长为3000 μm， ITO膜层7的边长为2940 μ m。
[0033] 金电极层厚度化为200皿，P-Si衬底层厚度肥为350 μπι,巧四甲酸二酢单晶膜 层厚度册为100皿，I TO膜层厚度H4为150皿，儀膜层厚度册为50皿，侣膜层厚度册 为 250 nm。
[0034] 厚度为350 μπι的P-Si (100)单晶衬底的下面蒸锻了 200皿的Au层，形成了欧姆 接触层；在P-Si (100)单晶衬底的上面蒸锻了 lOOnm的巧四甲酸二酢（PTCDA)单晶膜层，两 者的界面形成了同型异质结，具有肖特基势垒特性，在势垒中存在电场及电势。在被沉积的 巧四甲酸二酢的表面利用瓣射的方法沉积厚度150nm的IT0透明导电膜，在其表面瓣射沉 积50皿的高纯Ni (纯度为99. 99%)薄膜，之后，再瓣射250皿的高纯A1 (纯度为99. 99%)薄 膜，并在溫度为150°C，且通入氨气的合金化炉中微合金化3分钟，制得Al/NiATO/PTCDA/ P-Si/Au六层结构的基片。Ni薄膜的作用是防止A1与IT0发生反应，阻止了 A1与0反应 形成Al2〇3,提高了该光电探测器的稳定性及可靠性。
[0035] 本实用新型的制作方法是：采用微电子学中制造半导体Si器件的平面工艺制作 巧四甲酸二酢光电探测器电极忍片，而后将巧四甲酸二酢光电探测器电极忍片与GaAs红 外发光二极管忍片，用用高透明环氧树脂封装固定在园形顶端开口的金属壳体的引线柱 上；具体步骤简述如下：
[0036] 1、将厚度350 μ m，电阻率2 Ω . cm,晶面指数为100,经抛光后的P型单晶Si片进 行清洁处理：依次用甲苯、四氯化碳、丙酬、无水乙醇各超声波处理5mim后，使用去离子水 冲洗；经H2SO4煮沸3min冷却至室溫后再次用大量去离子水冲洗；用夹具将该Si片放置在 高真空加热蒸锻设备中，在Si片的背面蒸锻200nm的Au薄膜后，并在合金化炉中通&气， 形成Au-Si欧姆接触层巧日图2中的P-Si衬底层5与Au薄膜4的界面处)。
[0037] 2、在高真空状态下，将巧四甲酸二酢在其升华点向Si片正面沉积100皿的薄膜， 它在单晶Si片的