用于无引脚封装结构的引线框架及封装结构的制作方法

文档序号:10212295阅读:517来源:国知局
用于无引脚封装结构的引线框架及封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体封装领域,尤其涉及一种用于无引脚封装结构的引线框架及封装结构。
【背景技术】
[0002]现有技术中,QFN(Quad Flat No lead)是一种方形扁平无引脚半导体芯片封装结构,其内部俯视构造如图1所示,截面剖视构造如图2所示。从这两个视图中可以看出,封装结构是在芯片封装空间的下部由中央的基岛10和围绕基岛10布置的导电焊盘11构成,基岛10上放置芯片12,芯片12上的各导电部分别通过金属线13与各导电焊盘11电连接,其余封装空间填充环氧树脂14。DFN(Dual Flat No lead)是一种矩形扁平无引脚半导体芯片封装结构,其中矩形指的是该芯片在俯视状态下为长方形,其封装结构与QFN相同。一方面,在QFN和DFN的封装结构中都需要基岛来放置芯片,基岛为引线框架的一部分,由金属材料制成,其作用一是在封装中作为芯片的安置基座,二是具有散热功能。但是由于PCB板布线要求在塑封体下面有线路,不允许产品有外露的散热片,以避免散热对PCB板线路的影响。
[0003]现有的解决方法为:一、通过设计无基岛外露的框架并采取设备凸台支撑焊片焊线。但是,需要根据每种框架设计的不同设计专用的凸台支撑焊盘,费用支出较大,凸台制作与框架制作公差间的不匹配将会影响焊片焊线的良率;封装前需要贴膜盖住外露的引脚部分,贴膜作业的不稳定会影响封装溢胶的比例,造成良率损失。二、通过设计无基岛外露的框架并采取预封装工艺先做好焊片支撑结构。但是,目前预封装框架的厚度由于封装能力限制无法小于0.127mm ;预封装工艺的增加会进一步造成框架成品的良率损失(溢胶、框架变形、镀层不良等);基于不同框架厚度及框架外形尺寸需要投资不同的预封装模具。
[0004]因此,实现无基岛外露的封装成为急需解决的问题。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型所要解决的技术问题是,提供一种用于无引脚封装结构的引线框架及封装结构,其能实现无基岛外露的QFN/DFN封装需求。
[0006]为了解决上述问题,本实用新型提供了一种用于无引脚封装结构的引线框架,包括框架本体及多个贯穿所述框架本体的导电粧,在所述框架本体的一表面上设置有与所述导电粧电连接的导电焊盘,所述框架本体的表面上未设置导电焊盘的位置用于放置芯片,所述导电焊盘能够通过金属线与所述芯片电连接,所述框架本体采用绝缘材料制成。
[0007]进一步,所述引线框架的厚度为60~150微米。
[0008]进一步,所述导电焊盘表面及导电粧裸露在外的表面均覆盖一层镍钯金层。
[0009]进一步,所述导电粧突出于所述框架本体,以便于与外部部件电连接。
[0010]进一步,所述导电焊盘覆盖面积大于所述导电粧的端面积。
[0011]本实用新型还提供一种采用上述的引线框架的封装结构,包括引线框架及芯片,所述引线框架包括框架本体及多个贯穿所述框架本体的导电粧,在所述框架本体的一表面上设置有与所述导电粧电连接的导电焊盘,所述框架本体的表面上未设置导电焊盘的位置放置所述芯片,所述导电焊盘通过金属线与所述芯片电连接,所述框架本体采用绝缘材料制成。
[0012]本实用新型的优点在于:1、采用绝缘引线框架本体支撑芯片,塑封后无基岛外露,能实现无基岛外露的QFN/DFN封装需求;2、能够使得框架的结构设计更加合理,有效改善打线布局,缩短线长,降低打线风险;3、能够更有效的利用塑封体内的空间,实现小尺寸封装体的封装;4、本实用新型相对基于传统框架的设计在切割道上没有金属,能使排列密度更高,能有效降低成本。
【附图说明】
[0013]图1及图2是现有的封装体的结构示意图;
[0014]图3是本实用新型用于无引脚封装结构的引线框架的结构示意图;
[0015]图4是本实用新型用于无引脚封装结构的引线框架的制作方法的步骤示意图;
[0016]图5A~图5E是本实用新型用于无引脚封装结构的引线框架的制作流程图;
[0017]图6是采用本实用新型引线框架的封装结构的结构示意图。
【具体实施方式】
[0018]下面结合附图对本实用新型提供的用于无引脚封装结构的引线框架及封装结构的【具体实施方式】做详细说明。附图仅用于说明本实用新型引线框架的结构,并不用于限定本实用新型各个部件之间的尺寸关系。
[0019]参见图3,本实用新型用于无引脚封装结构的引线框架30包括框架本体31及多个贯穿所述框架本体31的导电粧32。
[0020]所述引线框架本体31采用绝缘材料制成,所述绝缘材料可以采用现有技术中已知的绝缘材料,本实用新型不进行限制。在本【具体实施方式】中,所述框架本体31厚度较薄,为薄膜框架本体。
[0021 ] 所述导电粧32由导电材料制成,贯穿所述框架本体31,即所述导电粧32的两端从所述框架本体31的两面暴露。进一步,在本【具体实施方式】中,所述导电粧32突出于所述框架本体31,以便于后续与外部部件电连接,其作用类似于引脚类产品的引脚。
[0022]在所述框架本体31的一表面上设置有与所述导电粧32电连接的导电焊盘33。所述导电焊盘33直接覆盖在所述导电粧32暴露于所述框架本体31表面的端面上。进一步,所述导电焊盘33覆盖面积大于所述导电粧32的端面积,所述导电焊盘33与所述导电粧32采用相同材料制成,例如铜。在本【具体实施方式】中,所述导电焊盘33表面及导电粧31裸露在外的表面均覆盖一层镍钯金层34,以提高导电性能,为了更清楚的看到镍钯金层34,在附图中夸大了镍钯金层34的厚度。
[0023]进一步,所述引线框架30的厚度为60~150微米,所述厚度指的是引线框架30的总厚度,其以框架本体31的厚度或导电粧32和导电焊盘33的总厚度中
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