择合适的防反射涂层的材质。
[0062]在该实施例中，如图6所示，将该保护盖板200与晶圆1000的第一表面相结合，使得支撑结构220与影像传感区102对位压合，可以通过在支撑结构220和/或晶圆1000的第一表面之间设置粘合层(图未示出)，来实现保护盖板200与晶圆1000的对位压合，例如，可以在支撑结构220的表面和/或晶圆1000的第一表面的相应位置处，通过喷涂、旋涂或者黏贴的工艺设置粘合层，再将二者进行压合，通过所述粘合层实现相结合。所述粘合层既可以实现粘接作用，又可以起到绝缘和密封作用。所述粘合层可以为高分子粘接材料，例如硅胶、环氧树脂、苯并环丁烯等聚合物材料。
[0063]而后，通过通孔105工艺实现焊垫104与外部电路的电连接，从而，将影像传感区102的电信号引出至外部电路。
[0064]具体的，首先，从而第二表面1002对晶圆1000进行减薄，以便于后续通孔的刻蚀，可以采用机械化学研磨、化学机械研磨工艺或二者的结合进行减薄。
[0065]接着，为了避免或者减少光线特别是红外光线从第二表面进入到影像传感区102，如图7所示，可以至少在第二表面对应影像传感区102的设置遮光层101。所述遮光层101可以为金属材料，例如可以为铝、铝合金或者其他适宜的金属材料。在一个优选的实施例中，首先，可以通过溅射工艺在晶圆1000的第二表面上形成金属层，如铝金属；接着，对该金属层进行黑化处理，可以通过酸碱药水对所述金属层进行黑化，例如，可以采用含硫的碱溶液对所述招金属层进行处理，黑化后的金属层的厚度可以为lym?ΙΟμ??，优选地，可以为5 μ m，6 μ m等在所述铝金属层上形成黑色的硫化物膜层，提高所述铝材料层的遮光效果；而后，对金属材料层进行图形化，仅在第二表面上影像传感区102对应的位置形成遮光层101，该遮光层也可以较影像传感区102具有更大的面积，以完全遮盖影像传感区，起到更好的遮光效果。
[0066]而后，从第二表面1002形成贯通至焊垫104的通孔105，如图8所示。具体的，可以利用刻蚀技术，如反应离子刻蚀或感应耦等离子体刻蚀等，对晶圆1000进行刻蚀，直至暴露出焊垫104，也可以进一步对焊垫104进行过刻蚀，即刻蚀掉部分厚度的焊垫，从而，形成暴露焊垫的通孔105。
[0067]接着，在通孔105侧壁以及通孔105两侧的第二表面1002上形成钝化层106，如图9所示。所述钝化层106可以为氧化物或氮化物的介质材料，如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅或他们的叠层等。具体的，首先，沉积钝化材料层，如氧化硅，可以采用化学气相沉积的方法进行沉积，接着，进行掩膜工艺，在掩膜的掩蔽下进行刻蚀，将焊垫104之上的钝化材料层去除，从而，仅在通孔105侧壁以及通孔105两侧的第二表面1002上形成钝化层106。采用钝化层形成的电绝缘层具有更好的覆盖性，同时，可以采用刻蚀工艺选择性去除焊垫上的钝化层，从而，保证后续形成的电连线层与焊垫呈面接触，保证二者之间更好的接触和结合力。
[0068]而后，在第二表面1002上的钝化层106上形成缓冲层107，如图10所示。所述缓冲层107的材料可以为有机高分子光刻胶，例如，环氧树脂或丙烯酸树脂等，更优选地，缓冲层可以为感光胶，可以通过旋涂或喷涂等工艺，形成缓冲材料层，而后，对缓冲材料层进行曝光和显影，从而，仅在第二表面1002上的钝化层106上形成缓冲层107，该缓冲层至少形成在第二表面上的焊接凸点区域，或者进一步沿将要形成的电连线层延伸，较焊接凸点区域缓冲层可以具有更大的面积。
[0069]接着，形成覆盖通孔105内壁及缓冲层107的电连线层108，如图11所示。所述电连线层的材料为导电材料，可以为金属材料薄膜，例如Al、Au和Cu等，可以通过RDL(重布线层)技术来形成电连线层或其他合适的沉积工艺，例如可以采用RDL技术进行Cu的电镀，并溅射Ti进行打底，形成电连线层108，RDL技术使得焊区位置重新布局，可以更好地满足焊区对焊接凸点最小间距的要求。
[0070]而后，形成阻焊层120，并在第二表面上的阻焊层120中形成开口 121，如图12所示。阻焊层120在焊接凸点工艺中对其他层起到绝缘保护层的作用，阻焊层例如可以为防焊感光油墨，，也可以采用与缓冲层107相同的材料，例如有机高分子光刻胶，以进一步释放焊接凸点对钝化层造成的冲击力。可以通过刻蚀工艺在阻焊层中形成开口 121，开口 121暴露电连线层108，用于形成焊接凸点。在一个具体的实施例中，阻焊层为防焊感光油墨，旋涂防焊感光油墨，而后，通过曝光显影工艺形成开口 121，如图12所示。
[0071]接着，在开口 121中形成焊接凸点122，如图13所示。具体的实施例中，首先，可以先形成UBM (Under Bump Metal,球下金属层)，而后进行植球工艺，通过掩膜版将焊料球放置于UBM上，而后采用回流焊工艺，在开孔中形成焊接凸点122，焊接凸点可以为焊球、金属柱等连接结构，材料可以为铜、铝、金、锡或铅等金属材料或他们的合金材料。
[0072]进一步的，可以继续进行切割工艺，沿晶圆1000的切割道区域1100，对晶圆1000和保护盖板200进行切割，将上述晶圆的封装结构切割为单个独立的芯片，从而获得独立影像传感芯片的封装结构。
[0073]此外，与上述实施例的封装方法不同的是，在另一些实施例中，在第二表面上并不形成遮光层，而缓冲层107选择感光胶，感光胶具有吸光作用，除了缓解对钝化层的冲击力之外，还可以避免光线从第二表面进入影像传感区。在这些实施例中，其他加工工艺都通上述实施例相同，在此不再赘述。
[0074]虽然本实用新型披露如上，但本实用新型并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本实用新型的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
【主权项】
1.一种影像传感芯片封装结构，其特征在于，包括: 影像传感芯片，其具有相对的第一表面和第二表面，在第一表面上设置有影像传感区以及位于影像传感区周围的焊垫； 从第二表面贯通至焊垫的通孔； 设置于通孔侧壁以及第二表面上的钝化层； 设置于通孔底面以及钝化层上的电连线层； 电连接于电连线层的焊接凸点； 位于电连线层与钝化层之间的缓冲层。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括:遮光层，位于第二表面上且覆盖所述影像传感区。3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述遮光层的材质为金属。4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述金属为经过表面黑化处理的A1。5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述缓冲层的材质为感光胶。6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括覆盖电连线层并填充通孔的阻焊层。7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括与所述影像传感芯片对位压合的保护盖板。8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述保护盖板为光学玻璃，光学玻璃的至少一个表面上设置有防反射层。9.根据权利要求1-8中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述缓冲层的厚度范围为5-25微米。
【专利摘要】本实用新型提供了一种影像传感芯片封装结构，包括：影像传感芯片，其具有相对的第一表面和第二表面，在第一表面上设置有影像传感区以及位于影像传感区周围的焊垫；从第二表面贯通至焊垫的通孔；设置于通孔侧壁以及第二表面上的钝化层；设置于通孔底面以及钝化层上的电连线层；电连接于电连线层的焊接凸点；位于电连线层与钝化层之间的缓冲层。该封装结构降低了影像传感芯片封装结构的潜在缺陷。
【IPC分类】H01L27/146
【公开号】CN205159327
【申请号】CN201520848187
【发明人】王之奇, 谢国梁, 金之雄, 李俊杰
【申请人】苏州晶方半导体科技股份有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年10月28日