7表面反应速率更加均匀，尤其是晶片7边缘的表面反应速度与晶片7中央反应速度几乎一致，提高了工艺的稳定性，提高了生产的良品率。
[0029]优选的是，所述石英密封板I底部设置有凹槽15，所述凹槽15用于容纳所述石英匀流板13，以在所述石英密封板I与所述石英匀流板13之间形成分布工艺气体的气体匀流层14。具体的，凹槽15的内径大于石英匀流板13的外径，凹槽15的深度大于石英匀流板13的厚度，所述石英密封板I的凹槽15的底壁与所述石英匀流板13之间形成分布工艺气体的气体匀流层14。
[0030]本实施例中的石英盖设置于真空反应腔室3的上部，石英密封板I为真空反应腔室3的顶盖，保持内腔11与外部环境隔离，由于真空的工艺条件，所以石英密封板I可以直接落放于真空反应腔室的侧壁的上端面17，而无需使用焊接、铆接、螺钉连接等固定连接方式，这样便于真空反应腔室3的维护，且石英匀流板13加工工艺简单。
[0031]如图2所示，优选的是，所述石英密封板I的凹槽的侧壁16的厚度小于所述真空反应腔室的侧壁9的厚度，所述石英密封板I的凹槽的侧壁16放置于所述真空反应腔室的侧壁的上端面17，所述石英匀流板的外围18放置于所述真空反应腔室的侧壁的上端面17。石英密封板I和石英匀流板13与真空反应腔室3的接触方式简单，只需要放置便可，从而使得真空反应腔室3便于组装和拆卸，且大大降低了真空反应腔室3的加工难度。石英匀流板的外围18具体的为石英匀流板13的外径附近区域。
[0032]优选的是，所述石英匀流板13与所述凹槽的侧壁16，或所述真空反应腔室的侧壁9固定连接。
[0033]如图3所示，优选的是，在所述真空反应腔室3的内侧壁设置有台阶19，所述石英匀流板的外围18放置于所述台阶19上。石英匀流板的外围18放置于台阶19上，进一步提高了石英匀流板13的放置稳定性，使得真空反应腔室3不进行工艺时，也就是非真空条件下，石英匀流板13能够更加稳固的放置，且易于拆装维护。
[0034]优选的是，所述的石英盖还包括密封圈20，该密封圈20位于所述石英密封板I与所述真空反应腔室的侧壁9之间，所述石英密封板I和/或所述真空反应腔室的侧壁9上设置有用于容纳所述密封圈20的凹槽15。真空条件下，真空反应腔室3进行工艺时，密封圈20大大提高了真空反应腔室3的密封性。
[0035]如图5所示，优选的是，在所述石英匀流板13上由中心向外的所述通孔12的分布密度由低到高。通过石英匀流板13的通孔12后的工艺气体在晶片7上分布更加均匀，从而使得工艺时内腔11内的晶片7表面反应速率更加均匀。
[0036]如图6所示，优选的是，在所述石英匀流板13上由中心向外的所述通孔12的直径由小到大。通过石英匀流板13的通孔12后的工艺气体在晶片7上分布更加均匀，从而使得工艺时内腔11内的晶片7表面反应速率更加均匀。
[0037]优选的是，所述通孔12为圆柱孔、圆锥孔、台阶孔中的一种或几种。
[0038]优选的是，所述通孔12的中心轴与所述真空反应腔室3的中心轴平行，或所述通孔12的中心轴由上至下向所述真空反应腔室3的外侧倾斜。
[0039]如图4所示，优选的是，所述通孔12在所述石英匀流板13上均匀分布。
[0040]实施例2
[0041 ]如图2、3所示，本实施例提供一种真空反应腔室3，包括实施例1中的石英盖。
[0042]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种石英盖，设置于真空反应腔室的上部，其特征在于，所述石英盖包括石英密封板和石英匀流板，所述石英密封板与所述真空反应腔室的侧壁和真空反应腔室的底壁围成所述真空反应腔室的内腔，所述石英匀流板位于所述内腔且在所述石英密封板的下方，所述石英密封板上设置有进气口，所述石英匀流板具有至少两个通孔，所述进气口、所述通孔和所述内腔之间连通。2.根据权利要求1所述的石英盖，其特征在于，所述石英密封板底部设置有凹槽，所述凹槽用于容纳所述石英匀流板，以在所述石英密封板与所述石英匀流板之间形成分布工艺气体的气体匀流层。3.根据权利要求2所述的石英盖，其特征在于，所述石英匀流板与所述凹槽的侧壁，或所述真空反应腔室的侧壁固定连接。4.根据权利要求1所述的石英盖，其特征在于，还包括密封圈，该密封圈位于所述石英密封板与所述真空反应腔室的侧壁之间，所述石英密封板和/或所述真空反应腔室的侧壁上设置有用于容纳所述密封圈的凹槽。5.根据权利要求1?4任意一项所述的石英盖，其特征在于，在所述石英匀流板上由中心向外的所述通孔的分布密度由低到高。6.根据权利要求1?4任意一项所述的石英盖，其特征在于，在所述石英匀流板上由中心向外的所述通孔的直径由小到大。7.根据权利要求1?4任意一项所述的石英盖，其特征在于，所述通孔为圆柱孔、圆锥孔、台阶孔中的一种或几种。8.根据权利要求1?4任意一项所述的石英盖，其特征在于，所述通孔的中心轴与所述真空反应腔室的中心轴平行，或所述通孔的中心轴由上至下向所述真空反应腔室的外侧倾斜。9.根据权利要求1?4任意一项所述的石英盖，其特征在于，所述通孔在所述石英匀流板上均匀分布。10.一种真空反应腔室，其特征在于，包括权利要求1?9任意一项所述的石英盖。
【专利摘要】本实用新型公开了一种石英盖及真空反应腔室，该石英盖设置于真空反应腔室的上部，所述石英盖包括石英密封板和石英匀流板，所述石英密封板与所述真空反应腔室的侧壁和真空反应腔室的底壁围成所述真空反应腔室的内腔，所述石英匀流板位于所述内腔且在所述石英盖板的下方，所述石英密封板上设置有进气口，所述石英匀流板具有至少两个通孔，所述进气口、所述通孔和所述内腔之间连通。本实用新型中的石英盖的石英匀流板位于所述内腔且在所述石英盖板的下方，且进气口、通孔和内腔之间连通，从而使得工艺气体在内腔均匀分布，进而可以使得工艺时内腔内的晶片表面反应速率更加均匀，提高了工艺的稳定性，提高了生产的良品率。所述真空反应腔室包括上述的石英盖。
【IPC分类】H01J37/32, H01L21/67
【公开号】CN205194654
【申请号】CN201521037086
【发明人】蒋中伟
【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
【公开日】2016年4月27日
【申请日】2015年12月14日