一种硅块清洗装置的制造方法
【技术领域】
[0001 ]本实用新型涉及半导体加工设备技术领域，尤其涉及一种硅块清洗装置。
【背景技术】
[0002]作为多晶娃生产最后工艺中的一部分，酸洗娃对产品纯度的保持、表面杂质的处理有着至关重要的意义。酸洗工艺是将破碎好的硅块盛入硅块清洗装置中、放在酸洗设备进行酸洗，酸腐蚀表面的杂质，清除硅料表面污染，使硅表面金属杂质达到电子级表金属质量要求。
[0003]目前，现有的硅块清洗装置为底部和侧面有方孔的长方形篮子，硅块堆积在一起，在酸洗硅块的过程中，硅块与硅块接触面以及硅块与清洗篮之间的接触面不能充分酸洗，从而导致硅块上出现酸斑和色差，使产品反洗量增大。
【发明内容】
[0004]本实用新型提供一种硅块清洗装置，将原来硅块与清洗装置之间的面接触变为线接触，优化了多晶硅表面清洗工艺，提高了多晶硅料酸洗效率和产品质量。
[0005]本实用新型解决上述问题提出的技术方案为:提供一种硅块清洗装置，包括外框，所述外框包括底板以及由所述底板向上延伸的边框，所述底板与所述边框围合成一容置腔;所述底板上设有若干第一通孔，所述边框上设有若干第二通孔，所述第一通孔以及所述第二通孔用于注入清洗液;其特征在于，所述装置还包括多个相互堆叠设置在所述容置腔内的内框，所述内框的底部为包括若干承载条排列而成的镂空结构，所述内框用于装载硅块。
[0006]优选地，所述内框中还设置有至少一个挡板，所述挡板将所述内框分隔成多个格子。
[0007]优选地，所述格子的数量为2?5个。
[0008]优选地，所述底板上还设置有多个从所述底板上凸起的螺纹连接件。
[0009]优选地，所述螺纹连接件的顶端为球形或半球形。
[0010]优选地，所述螺纹连接件的顶端与所述底板之间的距离为4?6mm。
[0011]优选地，所述螺纹连接件和所述第一通孔分别呈阵列分布在所述底板上，并且，所述螺纹连接件和所述第一通孔呈相互交错阵列排布。
[0012]优选地，所述若干承载条呈等间距排列。
[0013]优选地，所述承载条的宽度为3?5mm，厚度为3?5mm。
[0014]优选地，所述第一通孔以及所述第二通孔为圆形孔或方形孔。
[0015]本实用新型提供的硅块清洗装置，通过将原来的清洗装置进行分层设置，使得原来硅块与清洗装置之间的面接触变为线接触，优化多晶硅表面清洗工艺，提高多晶硅料酸洗效率和产品质量，解决了硅块堆积造成酸洗不均匀，出现酸斑和色差的问题。
【附图说明】
[0016]通过结合附图进行的以下描述，本实用新型的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中:
[0017]图1为本实用新型硅块清洗装置结构示意图；
[0018]图2a为硅块清洗装置内框结构示意图；
[0019]图2b为硅块清洗装置内框另一结构示意图；
[0020]图3为硅块清洗装置第一底板结构示意图；
[0021 ]图4为硅块清洗装置外框剖视图。
【具体实施方式】
[0022]以下，将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。
[0023]参照图1，本实用新型提供的硅块清洗装置，包括外框I以及内框2，所述外框包括底板11、边框12。所述底板11与所述边框12围合成一容置腔，多个内框2相互堆叠设置在所述容置腔内。
[0024]具体的，所述边框12由所述底板11向上延伸得到，所述底板上设有若干第一通孔11a，所述边框上设有若干第二通孔12a，所述第一通孔Ila以及所述第二通孔12a用于注入清洗液，对承载于所述内框2上的硅块进行清洗。这里，所述的清洗液为硝酸、氢氟酸混合液，所以，为了防止所述硅块清洗装置在清洗过程中被腐蚀，所述硅块清洗装置的材料必须要耐腐蚀、耐磨损，优选的，所述底板11、所述边框12的材料为PP材料。其中，所述第一通孔Ila以所述第二通孔12a的形状可以为圆形孔或方形孔，这里不做限定。
[0025]结合图2a、图2b，为了解决硅块堆积造成清洗不均匀的问题，本实施例中硅块清洗装置包括多个相互堆叠设置在所述容置腔内的内框2，所述内框2用于承载需要进行清洗的硅块，其中，所述内框2的数量可以根据实际需要进行设定，这里不做限定，通常设定为2?4个。所述内框2的材料为耐酸碱材料，例如，所述内框2的材料为PE材料。
[0026]为了实现硅块与硅块清洗装置之间的接触方式为线接触，所述内框的底部21为包括若干承载条21a排列而成的镂空结构，所述承载条21a用于承载需要清洗的硅块;所述内框2可以由所述承载条21a沿水平方向等间距排列而成，也可以由所述承载条21a沿垂直方向等间距排列而成，还可以由所述承载条21a分别沿水平方向以及垂直方向等间距排列而成。其中，所述承载条21a的宽度为3?5mm，厚度为3?5mm，所述承载条的形状可以根据需要进行选定，为了减少所述承载条与硅块之间的接触面积，使得硅块清洗更彻底，优选的，所述承载条21a的形状为柱形，其直径为3?5_。
[0027]为了便于对硅块进行限位，本实施例中所述内框2还包括与所述边框12对应设置的侧壁22，所述承载条21a两端分别与所述侧壁22靠近所述底板11 一端连接。其中，所述侧壁22主要是起到支撑的作用。将需要清洗的硅块铺设于所述承载条21a上，然后将承载有硅块的内框2依次堆叠放入所述底板11与所述边框12围合成的容置腔内，这样上下内框2中位于所述承载条21a上的硅块不会接触，避免了硅块堆积造成清洗不均匀。其中，为了使得从第二通孔12a注入的清洗液顺利注入，上下堆叠的内框2的结构可以不相同(如图2a、图2b所示)，例如，位于上层的内框2的侧壁22可以只包括平行的两面，另两面形成为一开口，从第二通孔12a注入的清洗液就可以很容易从开口处流入