专利名称：自举式谐振功率变换器构制的非接触铝箔电磁封口机的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种自举式谐振高频功率变换器构制的铝箔电磁封口机。属于铝箔电磁封口机的改进，确切地说是电磁封口机中的高频功率变换器的创新。
背景技术：
瓶装商品密封性不好，会导致商品保质期缩短，容易受潮变质，造成大量经济损失。一些质量、效益相当好的产品往往不能进入国际市场，包装技术达不到国际标准是主要原因之一。采用的接触式电加热封口技术是将加热头直接作用在瓶口上，不同口径的瓶子须配备相应的封口模具，存在操作复杂、封口效果一致性差、大批量生产难以控制等问题。
铝箔电磁感应非接触封口技术可以大大提高包装质量，是目前世界发达国家普遍采用的先进包装技术。铝箔电磁封口机的高频功率变换器是产生高频交变电磁场的装置。铝箔纸板复合内盖是由热熔胶将铝箔和纸板粘合构成，铝箔表面涂有PE、PT、PET等涂层。当瓶子传送到高频电磁发生器下方时，复合内盖上的铝箔处于高频交变电磁场中，铝箔被高频电磁感应加热，表面的涂层熔化，使铝箔牢固粘附在瓶体上，达到气闭密封的效果，同时，铝箔和纸板之间的热熔胶遇热后粘度迅速降低，使铝箔与纸板脱离。由于高频磁场仅使铝箔等金属感应发热，对非金属不起作用，不产生热量，封口时不接触瓶口且时间非常短，因此能够保证瓶内物品不受任何影响，极大地提高了产品包装质量和保存期。
目前非接触铝箔电磁封口机的高频功率变换器电路复杂、调试困难、容易损坏、效率低。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种自举式谐振高频功率变换器构制的非接触铝箔电磁封口机。其中主要结构高频功率变换器具有电路简单、调试容易、工作可靠、易于维护的特点。
为达到上述目的，本实用新型是通过下述方案实现的。非接触铝箔电磁封口机的高频功率变换器由单相整流电路、滤波电路、自举式谐振逆变电路、驱动控制及保护电路、反馈电路组成，其功能是将单相50Hz交流电经整流、滤波转换为直流电压，再逆变为50KHz～100KHz的超音频电压。其特征是自举式谐振逆变电路由VD1和VD2两个串联接在直流电压之间的功率场效应管，一个自举电容C1的一端接在两个串联的功率场效应管的中点(VD1的源极与VD2漏极的连接点)，电容的另一端与LC并联负载的一端相连组成，LC并联负载的另一端则根据需要接到直流电压的正极或接地。
本实用新型的优点在于所采用的自举式高频功率变换器电路简单、调试容易。对功率场效应管的冲击很小，无需外加续流二极管及缓冲电路，功率效应管的自身损耗低，转换效率高。整机辐射极小、无噪音、工作可靠、易于维护。
图1为本实用新型的自举式谐振高频功率变换器的电路结构框图。
图2为用于负载接地的自举式谐振逆变电路图。
图3为用于负载接电源正极的自举式谐振逆变电路图。
图1中1为整流电路、2为滤波电路、3为谐振逆变电路、4为驱动及保护电路、5为反馈电路。
具体实施方式
结合附图说明自举式谐振逆变电路的工作原理如下由驱动控制电路驱动二个功率场效应管VD1和VD2交替开关工作，驱动信号频率在0.5～1倍负载谐振之间可调，且应具有一定死区，以防VD1与VD2直通短路。以图2(a)为例，当VD1开通、VD2关断时，恒定直流电压U为负载供电，同时为自举电容C1充电当VD1关断、VD2开通时，自举电容C1放电保持负载振幅。周而复始，即从负载电感线圈L中发出超音频电压信号。
权利要求1.一种自举式谐振功率变换器构制的非接触铝箔电磁封口机，它的主要结构高频功率变换器由单相整流电路、滤波电路、自举式谐振逆变电路、驱动控制及保护电路、反馈电路组成，其功能是将单相50Hz交流电经整流、滤波转换为直流电压，再逆变为50KHz～100KHz的超音频电压，其特征是自举式谐振逆变电路由VD1和VD2两个串联接在直流电压之间的功率场效应管，一个自举电容C1的一端接在两个串联的功率场效应管的中点，电容的另一端与LC并联负载的一端相连组成，LC并联负载的另一端则根据需要接到直流电压的正极或接地。
专利摘要本实用新型公开了一种自举式谐振功率变换器构制的非接触铝箔电磁封口机。它的主要结构高频功率变换器由单相整流电路、滤波电路、自举式谐振逆变电路、驱动控制及保护电路、反馈电路组成。其功能是将单相50Hz交流电经整流、滤波转换为直流电压,再逆变为50KHz～100KHz的超音频电压,其特征是:自举式谐振逆变电路由VD1和VD2两个串联接在直流电压之间的功率场效应管,一个自举电容C1的一端接在两个串联的功率场效应管的中点,电容的另一端与LC并联负载的一端相连组成,LC并联负载的另一端则根据需要接到直流电压的正极或接地。本实用新型的优点在于所采用的自举式高频功率变换器电路简单、调试容易、工作可靠、易于维护。
文档编号H02M7/5383GK2511041SQ0127037
公开日2002年9月11日 申请日期2001年11月9日 优先权日2001年11月9日
发明者贾贵玺 申请人:天津大学