专利名称：可控硅状态取样装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及可控硅工况检测装置，特别涉及一种用于微机电阻焊机控制箱的可控硅状态取样装置。
背景技术：
目前，在电阻焊技术中，焊接电流的调节通常由可控硅移相调压实现，为了控制焊接电流，需要知道可控硅的工作状态，何时触发导通，何时反向关断。通常在可控硅两端并联一个小功率工频降压变压器实现，当可控硅处于关断状态时，取样变压器原边承受电源电压，次级有电压输出；当可控硅导通时，取样变压器原边电压为零，次级没有电压输出；由于在移相调压过程中，取样变压器原边承受的非连续的正弦波电压谐波分量很大，取样变压器因过热极易损坏，因此造成产品的质量问题。
实用新型内容本实用新型的目的在于克服上述不足之处，提供一种结构简单、性能可靠的可控硅状态取样装置。
为实现上述目的本实用新型所采用的技术方案是一种可控硅状态取样装置，连接于可控硅与主控电路之间；其特征在于该装置由电阻、稳压二极管连接组成，即稳压二极管两端分别串联电阻与可控硅并联。
本实用新型的有益效果是因电阻器件对谐波分量不敏感，故该取样装置的可靠性大大提高，用于生产微机电阻焊机控制箱，防止过热烧毁，提高检测可靠性。该装置结构简单，使用方便；抗冲击能力强，提高产品质量；有效降低成本，延长使用寿命。
图1为本实用新型电路连接图；图2为现有可控硅状态取样装置中设有取样变压器的电路连接图。
具体实施方式
以下结合附图和较佳实施例，对依据本实用新型提供的具体实施方式
、结构、特征详述如下如图1所示，一种可控硅状态取样装置，连接于可控硅与主控电路之间；其特征在于该装置由电阻、稳压二极管连接组成，即稳压二极管两端分别串联电阻与可控硅并联。
稳压二极管Dw1、Dw2两端分别串联的电阻R1～R4各为2支大功率电阻，电阻R1～R4选取的较佳参数值为10K/10W。电阻R1～R4参数值的选取可根据产品设计需要变化，设置的取样电阻也可设为单支或多支，其上所述均应属于本发明构思范围之内。
稳压二极管Dw1、Dw2选取的较佳参数值为36V/1W，同样可根据产品设计需要变化。电路中的稳压二极管起过压保护作用。
当可控硅关断时，电源电压加在取样电阻两端，有电流流经取样电路回路；当可控硅导通时，取样电阻两端无电压，故无电流流经取样电阻回路；通过位于主控电路板内的光电耦合装置，准确地检测到可控硅导通状态。对比图2示出的电路，取样电阻代替取样变压器设置于可控硅两端，有效保护可控硅，提高可控硅工作状态取样的可靠性。
权利要求1.一种可控硅状态取样装置，连接于可控硅与主控电路之间；其特征在于该装置由电阻、稳压二极管连接组成，即稳压二极管两端分别串联电阻与可控硅并联。
专利摘要本实用新型涉及一种可控硅状态取样装置，连接于可控硅与主控电路之间；其特征在于该装置由电阻、稳压二极管连接组成，即稳压二极管两端分别串联电阻与可控硅并联。当可控硅关断时，电源电压加在取样电阻两端，有电流流经取样电路回路；当可控硅导通时，取样电阻两端无电压，故无电流流经取样电阻回路；通过位于主控电路板内的光电耦合装置，准确地检测到可控硅导通状态。因电路中的电阻器件对谐波分量不敏感，故该取样装置的可靠性大大提高，用于生产微机电阻焊机控制箱，防止过热烧毁，提高检测可靠性。该装置结构简单，使用方便；抗冲击能力强，提高产品质量；有效降低成本，延长使用寿命。
文档编号H02M5/02GK2814759SQ20052002624
公开日2006年9月6日 申请日期2005年6月21日 优先权日2005年6月21日
发明者赵继华 申请人:天津市商科机电设备有限公司