专利名称：基于igbt控制的无级调节消弧线圈的制作方法
技术领域：
基于IGBT控制的无级调节消弧线圈技术领域[0001]本实用新型涉及基于IGBT控制的无级调节消弧线圈，属于电力配电网谐振接地 系统技术领域。
背景技术：
[0002]配电网中性点接地方式的选择与电力系统安全可靠运行密切相关，是城网和农 网建设中必须关注的重要问题。绝大多数配电网的中性点都采用消弧线圈接地方式。[0003]目前，国内研制出各种方式的自动跟踪消弧线圈，在一定程度上解决了单相接 地电容电流的补偿，但目前的自动消弧线圈要么存在不能够实现连续无级补偿，要么存 在调节速度慢，要么是可实现连续无级补偿但产生很多的谐波入电网，还需增加滤波装 置等缺点，故给接地方式带来一系列问题。[0004]现有的一种消弧线圈包括高短路阻抗变压器，使用时把高短路阻抗变压器的一 次绕组作为工作绕组接入配电网中性点，二次绕组作为控制绕组由2个反向连接的可控 硅短接，调节可控硅的导通角在0 180度之间变化，使可控硅的等效阻抗在无穷大至零 之间变化，输出的补偿电流在零至额定值之间得到调节，这种消弧线圈无法精确、快速 实现连续无级补偿，还可能产生很多的谐波入电网。实用新型内容[0005]本实用新型的目的是提供一种基于IGBT控制的无级调节消弧线圈，以解决现有 消弧线圈无法协调解决连续无级补偿、调节速度慢、大谐波入电网的问题。[0006]为实现上述目的，本实用新型的基于IGBT控制的无级调节消弧线圈技术方案 如下该消弧线圈包括高短路阻抗变压器，该高短路阻抗变压器的一次绕组作为工作绕 组，二次绕组作为控制绕组，在所述二次绕组回路上串联绝缘栅双极型晶体管IGBT模 块。[0007]进一步的，所述绝缘栅双极型晶体管IGBT模块包括一个IGBT管和一个消弧控 制器，所述IGBT管的集电极与发射极分别连入二次绕组回路，IGBT管的栅极与消弧控 制器的控制端相连。[0008]本实用新型的基于IGBT控制的无级调节消弧线圈，在使用时将高短路阻抗变压 器的工作绕组接入电网系统中性点，二次绕组回路上串联绝缘栅双极型晶体管IGBT模 块，既实现了消弧线圈补偿电流的无级调节的同时，又无需安装滤波装置，并且其结构 设计简单，可靠性较高。[0009]绝缘栅双极型晶体管IGBT模块包括一个大电流IGBT管和一个消弧控制器，消 弧控制器通过控制端控制IGBT的阻抗从⑴到0之间变化，从而实现一次电感电流的从0 到额定电流之间无级变化。[0010]由于采用IGBT管斩波控制，在调节过程中不会产生大的谐波产生，故不需要滤 波绕组即可实现无谐波。
[0011]图1是本实用新型实施例的结构示意图。
具体实施方式
[0012]本实用新型的基于IGBT控制的无级调节消弧线圈实施例的结构示意图如图1所 示，该消弧线圈是将高短路阻抗变压器的一次绕组Nl作为工作绕组，二次绕组N2作为 控制绕组，在二次绕组回路上串联绝缘栅双极型晶体管IGBT模块，该模块包括一个大电 流IGBT管和一个消弧控制器，所述IGBT管的集电极C与发射极E分别连入二次绕组回 路，IGBT管的栅极G与消弧控制器的控制端相连。[0013]本实用新型的基于IGBT管控制的无级调节消弧线圈，属于无级连续调节无谐波 的消弧线圈，微机控制器通过控制串联在短路阻抗消弧线圈的IGBT管的通断流量，从而 来实现改变一次线圈的电感电流的目的。其中，IGBT管的控制采用斩波技术，可实现在 调节过程中，IGBT不会产生大的谐波，可不需加装滤波绕组。从而能够降低设备的制造 成本，简化其结构设计，可靠性较高，是一种较为理想的消弧线圈。另外此消弧线圈伏 安特性线性度好、响应快，能在大范围内连续调节，补偿效果好等，可完全克服现有的 各类自动跟踪补偿消弧线圈的缺点。
权利要求1.一种基于IGBT控制的无级调节消弧线圈，该消弧线圈包括高短路阻抗变压器，该 高短路阻抗变压器的一次绕组作为工作绕组，二次绕组作为控制绕组，其特征在于在 所述二次绕组回路上串联绝缘栅双极型晶体管IGBT模块。
2.根据权利要求1所述的基于IGBT控制的无级调节消弧线圈，其特征在于所述绝 缘栅双极型晶体管IGBT模块包括一个IGBT管和一个消弧控制器，所述IGBT管的集电 极与发射极分别连入二次绕组回路，IGBT管的栅极与消弧控制器的控制端相连。
专利摘要本实用新型涉及基于IGBT控制的无级调节消弧线圈，该消弧线圈是将高短路阻抗变压器的一次绕组作为工作绕组，二次绕组作为控制绕组，在二次绕组回路上串联绝缘栅双极型晶体管IGBT模块；在使用时将工作绕组接入电网系统中性点，二次绕组回路上串联绝缘栅双极型晶体管IGBT模块，既实现了消弧线圈补偿电流的无级调节的同时，又无需安装滤波装置，并且其结构设计简单，可靠性较高。
文档编号H02J3/01GK201805225SQ20102027401
公开日2011年4月20日 申请日期2010年7月28日 优先权日2010年7月28日
发明者常会军, 曹廷根, 李华清, 邓书举 申请人:河南许继电抗器有限公司, 许继集团有限公司