专利名称：浪涌抑制装置的制作方法
技术领域：
本实用新型有关于一种浪涌抑制装置，特别是一种浪涌抑制装置。
背景技术：
浪涌保护元件(surge protection device,通常简称为SPD)是一种常见的电子零件；浪涌保护元件用以抑制吸收浪涌。然而，浪涌保护元件受限于浪涌电流与钳位电压的关系；例如，当浪涌电流为200安培时，钳位电压为880伏特；换句话说，受保护的元件必须能承受880伏特。如果受保护的元件的承受电压越高，则受保护的元件价格越高；如此将增加受保护的元件成本。
实用新型内容为改善上述公知技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种浪涌抑制装置。为达成本实用新型的上述目的，本实用新型的浪涌抑制装置应用于一交流电源供应装置，该浪涌抑制装置包含:一整流单元，电性连接至该交流电源供应装置；及一第一瞬变电压浪涌抑制器，电性连接至该整流单元。其中该整流单元包含:一第一二极管，电性连接至该交流电源供应装置及该第一瞬变电压浪涌抑制器；一第二二极管，电性连接至该交流电源供应装置、该第一瞬变电压浪涌抑制器及该第一二极管；一第三二极管，电性连接至该交流电源供应装置、该第一瞬变电压浪涌抑制器及该第一二极管；及一第四二极管，电性连接至该交流电源供应装置、该第一瞬变电压浪涌抑制器、该第二二极管及该第三二极管。上述的浪涌抑制装置，还包含:一第一浪涌保护元件，电性连接至该第一二极管、该第二二极管及该第一瞬变电压浪涌抑制器。
·[0007]上述的浪涌抑制装置，还包含:一第一开关单元，电性连接至该第一二极管、该第二二极管及该第一浪涌保护元件。上述的浪涌抑制装置，还包含:一第二浪涌保护元件，电性连接至该第三二极管、该第四二极管及该第一瞬变电压浪涌抑制器。上述的浪涌抑制装置，还包含:一第二瞬变电压浪涌抑制器，电性连接至该第三二极管、该第四二极管及该第二浪涌保护元件。上述的浪涌抑制装置，还包含:一第二开关单元，电性连接至该第三二极管、该第四二极管及该第二瞬变电压浪涌抑制器。上述的浪涌抑制装置，还包含:一开关控制器，电性连接至该第一开关单元及该第
二开关单元。上述的浪涌抑制装置，还包含:一浪涌侦测电路，电性连接至该交流电源供应装置及该开关控制器。上述的浪涌抑制装置，该第一浪涌保护元件为一金属氧化物变阻器、一避雷管或一电阻；该第二浪涌保护元件为一金属氧化物变阻器、一避雷管或一电阻。上述的浪涌抑制装置，其中该第一开关单元为一金属氧化半导体场效晶体管、一绝缘栅极双极性晶体管、一硅控整流器或一双极性接面晶体管；该第二开关单元为一金属氧化半导体场效晶体管、一绝缘栅极双极性晶体管、一硅控整流器或一双极性接面晶体管。本实用新型应用于一高电压系统。本实用新型将浪涌电压箝位为低电压。同时本实用新型不使用保险丝，因此可自动恢复；再者，本实用新型可快速抑制吸收浪涌。
图1为本实用新型的浪涌抑制装置的第一实施例方块图；图2为本实用新型的浪涌抑制装置的第二实施例方块图；图3为本实用新型的浪涌抑制装置的第三实施例方块图；图4为本实用新型的浪涌抑制装置的第四实施例方块图；图5为本实用新型的浪涌抑制装置的第五实施例方块图；图6为本实用新型的浪涌抑制装置的第六实施例方块图；图7为本实用新型的浪涌抑制装置的第七实施例方块图。其中，附图标记:浪涌抑制装置10交流电源供应装置20整流单元102第一开关单元104第一浪涌保护元件106第一瞬变电压浪涌抑制器108第二浪涌保护元件110第二瞬变电压浪涌抑制器112第二开关单元114开关控制器116浪涌侦测电路118第一二极管10202第二二极管10204第三二极管10206第四二极管10208
具体实施方式
请参考图1，其为本实用新型的浪涌抑制装置的第一实施例方块图。一浪涌抑制装置10应用于一交流电源供应装置20 ;该浪涌抑制装置10包含一整流单元102及一第一瞬变电压浪涌抑制器(transient voltage surge suppressor,通常简称为 TVSS) 108。该整流单元102包含一第一二极管10202、一第二二极管10204、一第三二极管10206及一第四二极管10208。该第一瞬变电压浪涌抑制器108电性连接至该第一二极管10202、该第二二极管10204、该第三二极管10206及该第四二极管10208 ;该交流电源供应装置20电性连接至该第一二极管10202、该第二二极管10204、该第三二极管10206及该第四二极管10208 ;该第一二极管10202电性连接至该第二二极管10204及该第三二极管10206 ;该第四二极管10208电性连接至该第二二极管10204及该第三二极管10206。该第一瞬变电压浪涌抑制器108在没有遇到浪涌时为高阻抗元件；该第一瞬变电压浪涌抑制器108在遇到浪涌时为低阻抗元件。如果没有浪涌时，该交流电源供应装置20将提供电源给一电子装置(图1未示)。如果有浪涌时，该第一瞬变电压浪涌抑制器108用以抑制吸收浪涌；该整流单元102用以对浪涌进行整流(因为该第一瞬变电压浪涌抑制器108为一单向元件)。[0037]请参考图2，其为本实用新型的浪涌抑制装置的第二实施例方块图。图2与图1类似，故于此不再赘述。再者，该浪涌抑制装置10更包含一第一浪涌保护元件106。该第一浪涌保护元件106可为但不限定为一金属氧化物变阻器(metal oxide varistor,通常简称为MOV)、一避雷管(gas tube)或一电阻。请参考图3，其为本实用新型的浪涌抑制装置的第三实施例方块图。一浪涌抑制装置10应用于一交流电源供应装置20 ;该浪涌抑制装置10包含一整流单元102、一第一开关单元104、一第一瞬变电压浪涌抑制器108、一开关控制器116及一浪涌侦测电路118。该整流单元102包含一第一二极管10202、一第二二极管10204、一第三二极管10206及一第四二极管10208。该交流电源供应装置20电性连接至该第一二极管10202、该第二二极管10204、该第三二极管10206、该第四二极管10208及该浪涌侦测电路118 ;该第一二极管10202电性连接至该第二二极管10204、该第三二极管10206及该第一瞬变电压浪涌抑制器108 ;该第二二极管10204电性连接至该第四二极管10208及该第一瞬变电压浪涌抑制器108 ;该第三二极管10206电性连接至该第四二极管10208及该第一开关单元104 ;该第四二极管10208电性连接至该第一开关单元104。该开关控制器116电性连接至该浪涌侦测电路118及该第一开关单元104 ;该第一开关单元104电性连接至该第一瞬变电压浪涌抑制器108。
该第一瞬变电压浪涌抑制器108在没有遇到浪涌时为高阻抗元件；该第一瞬变电压浪涌抑制器108在遇到浪涌时为低阻抗元件。该浪涌侦测电路118用以侦测浪涌并通知该开关控制器116 ;如果没有浪涌时，该开关控制器116控制该第一开关单元104不导通；该交流电源供应装置20将提供电源给一电子装置(图3未示)。如果有浪涌时，该开关控制器116控制该第一开关单元104导通；该第一瞬变电压浪涌抑制器108用以抑制吸收浪涌；该整流单元102用以对浪涌进行整流(因为该第一瞬变电压浪涌抑制器108为一单向元件)。再者，该第一开关单元104可为但不限定为一金属氧化半导体场效晶体管(metaloxide semiconductor field effect transistor,通常简称为 M0SFET)、一绝缘栅极双极性晶体管(insulation gate bipolar transistor,通常简称为IGBT)、一娃控整流器(silicon controlled rectifier,通常简称为SCR)或一双极性接面晶体管(bipolarjunction transistor,通常简称为 BJT)。请参考图4，其为本实用新型的浪涌抑制装置的第四实施例方块图。一浪涌抑制装置10应用于一交流电源供应装置20 ;该浪涌抑制装置10包含一第一瞬变电压浪涌抑制器108及一第二瞬变电压浪涌抑制器112。该交流电源供应装置20电性连接至该第一瞬变电压浪涌抑制器108及该第二瞬变电压浪涌抑制器112 ;该第一瞬变电压浪涌抑制器108电性连接至该第二瞬变电压浪涌抑制器112。该第一瞬变电压浪涌抑制器108及该第二瞬变电压浪涌抑制器112在没有遇到浪涌时为高阻抗元件；该第一瞬变电压浪涌抑制器108及该第二瞬变电压浪涌抑制器112在遇到浪涌时为低阻抗元件。[0049]如果没有浪涌时，该交流电源供应装置20将提供电源给一电子装置(图4未示)。如果有浪涌时，该第一瞬变电压浪涌抑制器108及该第二瞬变电压浪涌抑制器112用以抑制吸收浪涌；其中，该第二瞬变电压浪涌抑制器112用以抑制吸收反向的浪涌。请参考图5，其为本实用新型的浪涌抑制装置的第五实施例方块图。图5与图4类似，故于此不再赘述。再者，该浪涌抑制装置10更包含一第一浪涌保护元件106。该第一浪涌保护元件106可为但不限定为一金属氧化物变阻器、一避雷管或一电阻。请参考图6，其为本实用新型的浪涌抑制装置的第六实施例方块图。一浪涌抑制装置10应用于一交流电源供应装置20 ;该浪涌抑制装置10包含一第一开关单元104、一第一浪涌保护元件106、一第二开关单元114、一开关控制器116及一浪涌侦测电路118。该交流电源供应装置20电性连接至该浪涌侦测电路118、该第一开关单元104及该第二开关单元114 ;该开关控制器116电性连接至该浪涌侦测电路118、该第一开关单元104及该第二开关单元114 ;该第一浪涌保护元件106电性连接至该第一开关单元104及该第二开关单元114。该浪涌侦测电路118用以侦测浪涌并通知该开关控制器116 ;如果没有浪涌时，该开关控制器116控制该第一开关单元104及该第二开关单元114不导通；该交流电源供应装置20将提供电源给一电子装置(图6未示)。如果有浪涌时，该开关控制器116控制该第一开关单元104及该第二开关单元114导通；该第一浪涌保护元件106用以抑制吸收浪涌。再者，该第一浪涌保护元件106可为但不限定为一金属氧化物变阻器、一避雷管、一电阻或一瞬变电压浪涌抑制器。该第一开关单元104可为 但不限定为一金属氧化半导体场效晶体管、一绝缘栅极双极性晶体管、一硅控整流器或一双极性接面晶体管；该第二开关单元114可为但不限定为一金属氧化半导体场效晶体管、一绝缘栅极双极性晶体管、一硅控整流器或一双极性接面晶体管。请参考图7，其为本实用新型的浪涌抑制装置的第七实施例方块图。一浪涌抑制装置10应用于一交流电源供应装置20 ;该浪涌抑制装置10包含一整流单元102、一第一开关单元104、一第一浪涌保护元件106、一第一瞬变电压浪涌抑制器108、一第二浪涌保护元件110、一第二瞬变电压浪涌抑制器112、一第二开关单元114、一开关控制器116及一浪涌侦测电路118。该整流单元102包含一第一二极管10202、一第二二极管10204、一第三二极管10206及一第四二极管10208。该交流电源供应装置20电性连接至该第一二极管10202、该第二二极管10204、该第三二极管10206、该第四二极管10208及该浪涌侦测电路118 ;该第一二极管10202电性连接至该第二二极管10204、该第三二极管10206及该第一开关单元104 ;该第二二极管10204电性连接至该第四二极管10208及该第一开关单元104 ;该第三二极管10206电性连接至该第四二极管10208及该第二开关单元114 ;该第四二极管10208电性连接至该第二开关单元114。该开关控制器116电性连接至该浪涌侦测电路118、该第一开关单元104及该第二开关单元114 ;该第一浪涌保护元件106电性连接至该第一开关单元104及该第一瞬变电压浪涌抑制器108 ;该第二浪涌保护元件110电性连接至该第一瞬变电压浪涌抑制器108及该第二瞬变电压浪涌抑制器112 ;该第二瞬变电压浪涌抑制器112电性连接至该第二开关单元114。该第一瞬变电压浪涌抑制器108及该第二瞬变电压浪涌抑制器112在没有遇到浪涌时为高阻抗元件；该第一瞬变电压浪涌抑制器108及该第二瞬变电压浪涌抑制器112在遇到浪涌时为低阻抗元件。该浪涌侦测电路118用以侦测浪涌并通知该开关控制器116 ;如果没有浪涌时，该开关控制器116控制该第一开关单元104及该第二开关单元114不导通；该交流电源供应装置20将提供电源给一电子装置(图7未示)。如果有浪涌时，该开关控制器116控制该第一开关单元104及该第二开关单元114导通；该第一浪涌保护元件106、该第一瞬变电压浪涌抑制器108、该第二浪涌保护元件110、及该第二瞬变电压浪涌抑制器112用以抑制吸收浪涌；该整流单元102用以对浪涌进行整流(因为该第一瞬变电压浪涌抑制器108为一单向元件)；该第二瞬变电压浪涌抑制器112用以抑制吸收反向的浪涌。再者，该第 一浪涌保护元件106可为但不限定为一金属氧化物变阻器、一避雷管或一电阻；该第二浪涌保护元件110可为但不限定为一金属氧化物变阻器、一避雷管或一电阻。该第一开关单元104可为但不限定为一金属氧化半导体场效晶体管、一绝缘栅极双极性晶体管、一硅控整流器或一双极性接面晶体管；该第二开关单元114可为但不限定为一金属氧化半导体场效晶体管、一绝缘栅极双极性晶体管、一硅控整流器或一双极性接面晶体管。综上所述，本实用新型应用于一高电压系统(该交流电源供应装置20可为但不限定为240伏特)；本实用新型将浪涌电压箝位为低电压(例如，公知技术的箝位为880伏特，本实用新型的箝位为650伏特)；本实用新型不使用保险丝，因此可自动恢复；再者，本实用新型可快速抑制吸收浪涌。然以上所述者，仅为本实用新型的较佳实施例，当不能限定本实用新型实施的范围，即凡依本实用新型申请专利范围所作的均等变化与修饰等，皆应仍属本实用新型的专利涵盖范围意图保护的范畴。综上所述，当知本实用新型已具有产业利用性、新颖性与进步性，又本实用新型的构造亦未曾见于同类产品及公开使用，完全符合新型专利申请要件，于是依专利法提出申请。
权利要求1.一种浪涌抑制装置，应用于一交流电源供应装置，其特征在于，该浪涌抑制装置包含: 一整流单元，电性连接至该交流电源供应装置 '及 一第一瞬变电压浪涌抑制器，电性连接至该整流单元； 其中该整流单元包含: 一第一二极管，电性连接至该交流电源供应装置及该第一瞬变电压浪涌抑制器； 一第二二极管，电性连接至该交流电源供应装置、该第一瞬变电压浪涌抑制器及该第一二极管； 一第三二极管，电性连接至该交流电源供应装置、该第一瞬变电压浪涌抑制器及该第一二极管；及 一第四二极管，电性连接至该交流电源供应装置、该第一瞬变电压浪涌抑制器、该第二二极管及该第三二极管。
2.如权利要求1所述的浪涌抑制装置，其特征在于，还包含: 一第一浪涌保护元件，电性连接至该第一二极管、该第二二极管及该第一瞬变电压浪涌抑制器。
3.如权利要求2所述的浪涌抑制装置，其特征在于，还包含: 一第一开关单元，电性连接至该第一二极管、该第二二极管及该第一浪涌保护元件。
4.如权 利要求3所述的浪涌抑制装置，其特征在于，还包含: 一第二浪涌保护元件，电性连接至该第三二极管、该第四二极管及该第一瞬变电压浪涌抑制器。
5.如权利要求4所述的浪涌抑制装置，其特征在于，还包含: 一第二瞬变电压浪涌抑制器，电性连接至该第三二极管、该第四二极管及该第二浪涌保护元件。
6.如权利要求5所述的浪涌抑制装置，其特征在于，还包含: 一第二开关单元，电性连接至该第三二极管、该第四二极管及该第二瞬变电压浪涌抑制器。
7.如权利要求6所述的浪涌抑制装置，其特征在于，还包含: 一开关控制器，电性连接至该第一开关单元及该第二开关单元。
8.如权利要求7所述的浪涌抑制装置，其特征在于，还包含: 一浪涌侦测电路，电性连接至该交流电源供应装置及该开关控制器。
9.如权利要求8所述的浪涌抑制装置，其特征在于，该第一浪涌保护元件为一金属氧化物变阻器、一避雷管或一电阻；该第二浪涌保护元件为一金属氧化物变阻器、一避雷管或一电阻。
10.如权利要求9所述的浪涌抑制装置，其特征在于，该第一开关单元为一金属氧化半导体场效晶体管、一绝缘栅极双极性晶体管、一硅控整流器或一双极性接面晶体管；该第二开关单元为一金属氧化半导体场效晶体管、一绝缘栅极双极性晶体管、一硅控整流器或一双极性接面晶体管。
专利摘要一种浪涌抑制装置，应用于一交流电源供应装置；该浪涌抑制装置包含一整流单元及一第一瞬变电压浪涌抑制器；该整流单元包含一第一二极管、一第二二极管、一第三二极管及一第四二极管。该第一瞬变电压浪涌抑制器电性连接至该第一二极管、该第二二极管、该第三二极管及该第四二极管；该交流电源供应装置电性连接至该第一二极管、该第二二极管、该第三二极管及该第四二极管；该第一二极管电性连接至该第二二极管及该第三二极管；该第四二极管电性连接至该第二二极管及该第三二极管。
文档编号H02H9/04GK203119469SQ20132008089
公开日2013年8月7日 申请日期2013年2月22日 优先权日2013年2月22日
发明者陈俊吉, 黄韦舜 申请人:群光电能科技股份有限公司