一种新型冲击波高频高压电路的制作方法

文档序号:12838613阅读:243来源:国知局

本发明涉及电路技术,尤其涉及一种新型冲击波高频高压电路。



背景技术:

现有冲击波高压发生电路一般采用工频调压器和工频高压变压器升压,产品体积较大,重量大,价格较高,使用受到限制,但也没有更好的解决方案。



技术实现要素:

有鉴于此,本发明的目的是提供一种冲击波高频高压电路,以解决现有技术中的不足。

为了达到上述目的,本发明的目的是通过下述技术方案实现的:

一种新型冲击波高频高压电路,其中,包括pwm驱动部分、继电器开关部分、电流保护部分和高压产生部分,所述继电器开关部分用于控制电路通电,所述pwm驱动部分分别连接所述高压产生部分和所述电流保护部分,所述高压产生部分包括第一桥式电路、两个驱动变压器和一个高压变压器,所述第一桥式电路设于所述驱动变压器的输出端和所述高压变压器的输入端之间,所述pwm驱动部分连接所述驱动变压器的输入端,所述pwm驱动部分包括相互连接的pwm控制芯片和电位器,所述pwm控制芯片通过所述电位器无级调节pwm波占空比。

上述冲击波高频高压电路,其中,所述继电器开关部分包括滤波器、第二桥式电路、继电器和光电耦合器,所述光电耦合器控制所述继电器的开合,所述滤波器的输入端连接外部电源,输出端连接所述继电器和第二桥式电路。

上述冲击波高频高压电路,其中,所述高压产生部分中的所述高压变压器的输出端设有充电限流电阻和电流采样电阻。

上述冲击波高频高压电路,其中,所述电流保护部分包括两个相互串接的电压比较器。

与已有技术相比,本发明的有益效果在于:

采用pwm驱动高频变压器产生高压,体积小,重量轻。

附图说明

构成本发明的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:

图1示出了本发明冲击波高频高压电路的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

需要说明的是,在不冲突的情况下,本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

参考图1所示,本发明冲击波高频高压电路,包括pwm驱动部分、继电器开关部分、电流保护部分和高压产生部分,继电器开关部分用于控制电路通电,pwm驱动部分分别连接高压产生部分和电流保护部分,高压产生部分包括第一桥式电路1、两个驱动变压器t2、t3和一个高压变压器t1,第一桥式电路1设于驱动变压器t2、t3的输出端和高压变压器t1的输入端之间,pwm驱动部分连接驱动变压器t2、t3的输入端,pwm驱动部分包括相互连接的pwm控制芯片u1和电位器w1,pwm控制芯片u1通过电位器w1无级调节pwm波占空比。

在本发明的优选实施例中,继电器开关部分包括滤波器2、第二桥式电路3、继电器k1和光电耦合器u3,光电耦合器u3控制继电器k1的开合,滤波器2的输入端连接外部电源+220v,输出端连接继电器k1和第二桥式电路3。高压产生部分中的高压变压器t1的输出端设有大功率的充电限流电阻r01和小阻值的电流采样电阻r02。电流保护部分包括两个相互串接的电压比较器u2a、u2b。pwm控制芯片u1可以采用sg3526芯片。

驱动变压器t2、t3用于隔离前级和网电源部分,高压变压器t1输出高压。q1-q4为大功率mos管,组成第一桥式电路1,通过光电耦合器u3控制继电器k1吸合,电路通电开始工作,pwm波由pwm控制芯片u1产生,通过电位器w1可无级调节pwm波占空比,既可调节输出高压。当输出短路或电流过大时,电流保护部分工作,pwm波自动关闭输出。

从上述实施例可以看出,本发明的优势在于:

采用pwm驱动高频变压器产生高压,体积小,重量轻。

以上对本发明的具体实施例进行了详细描述,但本发明并不限制于以上描述的具体实施例,其只是作为范例。对于本领域技术人员而言,任何等同修改和替代也都在本发明的范畴之中。因此,在不脱离本发明的精神和范围下所作出的均等变换和修改,都应涵盖在本发明的范围内。



技术特征:

技术总结
本发明涉及一种新型冲击波高频高压电路,包括PWM驱动部分、继电器开关部分、电流保护部分和高压产生部分,所述继电器开关部分用于控制电路通电,所述PWM驱动部分分别连接所述高压产生部分和所述电流保护部分,所述高压产生部分包括第一桥式电路、两个驱动变压器和一个高压变压器,所述第一桥式电路设于所述驱动变压器的输出端和所述高压变压器的输入端之间,所述PWM驱动部分连接所述驱动变压器的输入端,所述PWM驱动部分包括相互连接的PWM控制芯片和电位器,所述PWM控制芯片通过所述电位器无级调节PWM波占空比。与已有技术相比,本发明的有益效果在于:采用PWM驱动高频变压器产生高压,体积小,重量轻。

技术研发人员:孔庆园
受保护的技术使用者:上海卡姆南洋医疗器械股份有限公司
技术研发日:2016.04.14
技术公布日:2017.10.31
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